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MOS場效應管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導線與大地連接，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離，然后拆掉導線。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大，驗證此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。(3)．檢驗放大能力(跨導)將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用指頭觸摸G極，表針理應較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G...

由于PASSZEN1放大器工作在單端甲類狀態(tài)，雙通道工作時，靜態(tài)電流約為4A，如采用單只變壓器供電，變壓器容量與次級線徑均要較大，否則采用每聲道獨自供電是個不錯的選擇。本機采用1只500W環(huán)牛為雙聲道供電；由于靜態(tài)電流較大，整流橋的容量、品質(zhì)一定要有保證，雙聲道供電應選用50A整流橋，否則壓降過大，整流橋嚴重發(fā)熱，甚至燒毀，應保證供電電壓在34V左右；同時由于電源電路負載較重，濾波電容一定要有足夠的容量，否則可能引發(fā)交流聲，如在不采用穩(wěn)壓供電情況下難以消除交流聲，可采用簡單的RC濾波形式，效果也很好，此時R應采用阻值在0.1Ω以下的電阻，并采用多階濾波形式。盟科MK3404參數(shù)是可以替代AO3...

晶閘管又稱可控硅，其與場效應管一樣，皆為半導體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們在電路中的用途卻不一樣。晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們在電子電路中可以作為電子開關使用，用來控制負載的通斷；可以用來調(diào)節(jié)交流電壓，從而實現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控燈，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關驅(qū)動燈泡工作。在白熾燈泡無級調(diào)光或電風扇無級調(diào)速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來實現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。雙向晶閘管的電路符號。MOS場效應管的電路符號。場效應管屬于單極型半導體器件，其可以分為結型場...

焊料性能不良、助焊劑性能不良、基板焊盤金屬鍍層不良；焊接參數(shù)（溫度、時間）設置不當。影響：虛焊使焊點成為或有接觸電阻的連接狀態(tài)，導致電路工作不正常，或出現(xiàn)電連接時通時不通的不穩(wěn)定現(xiàn)象，電路中的噪聲(特別在通信電路中)增加而沒有規(guī)律性，給電路的調(diào)試、使用和維護帶來重大隱患。此外，也有一部分虛焊點在電路開始工作的一段較長時間內(nèi)，保持電氣接觸尚好，因此不容易發(fā)現(xiàn)。但在溫度變化、濕度變化和振動等環(huán)境條件作用下，接觸表面逐步被氧化，接觸慢慢地變得不完全起來，進而使電路“**”。另外，虛焊點的接觸電阻會引起局部發(fā)熱，局部溫度升高又促使不完全接觸的焊點情況進一步惡化，**終甚至使焊點脫落，電路完全不能正常工...

場效應三極管的型號命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J表示結型場效應管，O表示絕緣柵場效應管。第二位字母表示材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。第二種命名方法是CS××#，CS表示場效應管，××以數(shù)字表示型號的序號，#用字母表示同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以用作可變電...

場效應管和晶閘管都是電子電路中常用的開關型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場效應管包括結型場效應管JFET和金屬-氧化物半導體場效應管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。PMOS的襯底為N型半導體，在VGS《0時，會形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導體，在VGS》0時，會形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。MOS管是電壓驅(qū)動型的器件，主要用作可控整流、功率開關、信號放大等，應用比較多...

焊料性能不良、助焊劑性能不良、基板焊盤金屬鍍層不良；焊接參數(shù)（溫度、時間）設置不當。影響：虛焊使焊點成為或有接觸電阻的連接狀態(tài)，導致電路工作不正常，或出現(xiàn)電連接時通時不通的不穩(wěn)定現(xiàn)象，電路中的噪聲(特別在通信電路中)增加而沒有規(guī)律性，給電路的調(diào)試、使用和維護帶來重大隱患。此外，也有一部分虛焊點在電路開始工作的一段較長時間內(nèi)，保持電氣接觸尚好，因此不容易發(fā)現(xiàn)。但在溫度變化、濕度變化和振動等環(huán)境條件作用下，接觸表面逐步被氧化，接觸慢慢地變得不完全起來，進而使電路“**”。另外，虛焊點的接觸電阻會引起局部發(fā)熱，局部溫度升高又促使不完全接觸的焊點情況進一步惡化，**終甚至使焊點脫落，電路完全不能正常工...

書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的。可以毫不夸張的講，只要不是做IC設計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法：用作開關的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導通。VGS沒有電壓差，MOS管就關閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關（N-MOS）：設備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應用于設備通...

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產(chǎn)和應用。主要生產(chǎn)場效應管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標準絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦主板...

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代結型場效應管，O代絕緣柵場效應管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代場效應管，××以數(shù)字代型號的序號，#用字母代同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場效應管的作用：場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以用作可變電阻。...

MK3401是一款P溝道的增強型場效應管，其參數(shù)匹配萬代AO3401，有SOT-23和SOT-23-3L兩種封裝，盟科從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產(chǎn)和應用。還有其他一些系列，如三極管，二極管，LDO，質(zhì)量穩(wěn)定，供貨能力強。這款電壓BVDSS是大于30V，電流ID可達4.2A，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下小于65毫歐，VGS@4.5V檔位下小于80毫歐。開啟電壓VGS(th)典型值在0.7V左右。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標準絲印為A19T，也可以支持ODM定制，盟科一直致力于做好產(chǎn)品和服務。公司在深圳寶安區(qū)，廠房面積有1萬平方左右，有10幾條生產(chǎn)線。MOS其他系列的...

場效應管(Field-EffectTransistor)也是一種具有PN結結構的半導體器件，簡稱FET,它與三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過改變柵極的電壓可以控制漏極和源極之間的電流，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點，但容易被擊穿。場效應管按其結構不同分為兩大類，即絕緣柵型場效應管和結型場效應管。絕緣柵型場效應管由金屬、氧化物和半導體材料制成，簡稱MOS管。M0S管按其工作狀態(tài)可分為增強型和耗盡型兩種，每種類型按其導電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結型場效應管按其導電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。功率mos管盟科電子做得很不錯。東莞插件場效應管代理品...

場效應管和晶閘管都是電子電路中常用的開關型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場效應管包括結型場效應管JFET和金屬-氧化物半導體場效應管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。PMOS的襯底為N型半導體，在VGS《0時，會形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導體，在VGS》0時，會形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。MOS管是電壓驅(qū)動型的器件，主要用作可控整流、功率開關、信號放大等，應用比較多...

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復雜一點。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關，也可以用作信號放大。三極管分為NPN型和PNP型，當三極管的PN結正向偏置之后，三極管導通。對于NPN三極管而言：在基極是高電平時，三極管導通；在基極是低電平時，三極管截至。對于PNP三極管而言：在基極是高電平時，三極管截至；在基極是低電平時，三極管導通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件，與三極管相比較，其過電流能力會更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導通條件不一樣。NMOS管，在Vgs>0時導通，Vgs<><0時導通，vgs>0...

場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。由于場效應管是電壓型控制器件，它的柵極幾乎不取電流，輸入阻抗非常高，其實要想獲得較大恒流輸出，并且精度提高可以采取基準源與比較器結合方法來獲得所需要的效果。盟科MK6801參數(shù)是可以替代AO6801的。中山品質(zhì)場效應管供應場...

柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉移特性，反映這兩者之間關系的曲線稱為轉移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結型場效應管的轉移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時，漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq；當UGs=0時，ID的值為場效應管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時，反映ID與Uds之間的關系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結型場效應管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時，應工作在飽和區(qū)（這一點與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對應普通三...

場效應管(Field-EffectTransistor)也是一種具有PN結結構的半導體器件，簡稱FET,它與三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過改變柵極的電壓可以控制漏極和源極之間的電流，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點，但容易被擊穿。場效應管按其結構不同分為兩大類，即絕緣柵型場效應管和結型場效應管。絕緣柵型場效應管由金屬、氧化物和半導體材料制成，簡稱MOS管。M0S管按其工作狀態(tài)可分為增強型和耗盡型兩種，每種類型按其導電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結型場效應管按其導電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。mos管代工盟科電子做得很不錯。中山雙P場效應管怎么樣...

音頻放大器藝術魅力及評價音頻放大器按所用放大器件可分為電子管放大器、晶體管放大器、集成電路放大器、場效應管放大器以及由上述所用器件兩種或兩種以上組成的混合放大器，各類放大器電路及所用元器件也是五花八門、千變?nèi)f化，由此對音源的重放音質(zhì)又各具特色，很難說哪一種放大器能以偏概全、技壓群芳成為多功能放大器。電子管放大器由于空間電荷的傳輸時滯作用，重放音色溫暖柔和，尤其是弦樂人聲，表現(xiàn)為醇美剔透，耐人尋味。晶體管以及集成電路放大器具有犀利的分析力、寬闊的頻響和強勁的動態(tài)，具有朝氣蓬勃、催人奮進的感召力。場效應管放大器以及混合器件放大器，力圖綜合電子管和晶體管音頻特性，開創(chuàng)異彩，讓樂聲更傳神，讓音色更完美...

PASSZEN1的靜態(tài)工作電流由R1設定，適當加大R1可進一步降低功耗，但同時機器的最大輸出功率也有所下降。在散熱片面積偏小情況下，可利用上述方法折中，但一般不建議這樣做。在電路連接無誤情況下，給機器加電，測量Q1的S，D腳間電壓，并調(diào)整P1，使得S，D間電壓為供電電壓的一半。機器音色的調(diào)校對本放大器音色影響較大的器件，主要是IRFP140及輸出電容C3，C4，電容應盡量選取音頻電容器，同時也可使用1支6800uF并聯(lián)1支1uFCBB電容代替C3，C4。盟科有插件封裝形式的MOS管。中山低壓場效應管盟科SOT-23-6LSOP-8這兩個封裝主要做一些N+P雙N雙P的產(chǎn)品。很多型號參數(shù)可以跟AO...

由于PASSZEN1放大器工作在單端甲類狀態(tài)，雙通道工作時，靜態(tài)電流約為4A，如采用單只變壓器供電，變壓器容量與次級線徑均要較大，否則采用每聲道獨自供電是個不錯的選擇。本機采用1只500W環(huán)牛為雙聲道供電；由于靜態(tài)電流較大，整流橋的容量、品質(zhì)一定要有保證，雙聲道供電應選用50A整流橋，否則壓降過大，整流橋嚴重發(fā)熱，甚至燒毀，應保證供電電壓在34V左右；同時由于電源電路負載較重，濾波電容一定要有足夠的容量，否則可能引發(fā)交流聲，如在不采用穩(wěn)壓供電情況下難以消除交流聲，可采用簡單的RC濾波形式，效果也很好，此時R應采用阻值在0.1Ω以下的電阻，并采用多階濾波形式。盟科電子場效應管可以方便地用作恒流源...

場效應管非常重要的一個作用是作開關作用，作開關時候多數(shù)應用于各類電子負載控制、開關電源開關管，MOS管非常明顯的特性是開關特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是驅(qū)動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調(diào)制器或開關穩(wěn)壓控制器的功率開關管。盟科MK2301參數(shù)是可以替代...

盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢，選型上電壓從20V-100V，電流從2A-50A等。用于消費類市場，如MK2301MK2302MK3400MK3401這些為耐壓20V30V的MOS管，成本低，用作開關，調(diào)檔。小風扇，電動玩具，按摩器，安防市場等。外觀選型上，小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L，大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進口芯片，十幾年的封裝經(jīng)驗使得我們的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng)，讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬代，SI威世，LRC樂山無線電，長晶科技等，歡迎客戶索要樣品測試，我們將竭誠為您服務。252封裝場效應管選擇深...

場效應管非常重要的一個作用是作開關作用，作開關時候多數(shù)應用于各類電子負載控制、開關電源開關管，MOS管非常明顯的特性是開關特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是驅(qū)動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調(diào)制器或開關穩(wěn)壓控制器的功率開關管。盟科電子在深圳做場效應管質(zhì)量很...

盟科的型號MK15N10，用于加濕器市場，還有很多同種功能的霧化類產(chǎn)品。結電容Ciss控制在600nf左右，開關速度快。內(nèi)阻也控制在90mr左右的范圍，本產(chǎn)品在霧化類市場用途很廣，同事LED市場也有很多用途。很多方案商都選用盟科的MK15N10。深圳市盟科電子科技有限公司逐漸選用12寸晶圓進行投產(chǎn)，成本更有優(yōu)勢，供貨能力更強。生產(chǎn)設備采用ASM大力神鋁線機和POWERC鋁線機，同時工廠還配備了X-RAY和超聲波掃描儀，制程更加可控。盟科也承接OEM訂單，客戶有很好的晶圓渠道是，可以自購晶圓，我司進行封測，良率質(zhì)量可控，歡迎合作。盟科MK6803參數(shù)是可以替代AO6803的。紹興場效應管生產(chǎn)過程...

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設計中場效應管特長沒有得到充分發(fā)揮，甚至認為聲音偏冷、偏暗，其實這不是場效應管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場效應管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場效應管轉移特性，在低偏置時具有嚴重的非線性，帶來嚴重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動聽，更具有電子管的醇美音**科電子MOS管可以用作可變電阻。深圳有什么場效應管銷售廠盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機，手持咖啡機，破壁機等家電...

MOS場效應管的測試方法(1)．準備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。(2)．判定電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。(3)．檢查放大能力(跨導)將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側...

MK3401是一款P溝道的增強型場效應管，其參數(shù)匹配萬代AO3401，有SOT-23和SOT-23-3L兩種封裝，盟科從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產(chǎn)和應用。還有其他一些系列，如三極管，二極管，LDO，質(zhì)量穩(wěn)定，供貨能力強。這款電壓BVDSS是大于30V，電流ID可達4.2A，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下小于65毫歐，VGS@4.5V檔位下小于80毫歐。開啟電壓VGS(th)典型值在0.7V左右。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標準絲印為A19T，也可以支持ODM定制，盟科一直致力于做好產(chǎn)品和服務。公司在深圳寶安區(qū)，廠房面積有1萬平方左右，有10幾條生產(chǎn)線。MOS其他系列的...

目前電腦多媒體音響正處于進階時期，并與電視也架起了溝通的橋梁，其前景是十分燦爛誘人的!電腦以及音響發(fā)燒友，是一個不惜時間和精力，積極探索追求音質(zhì)的特殊層面，將繼續(xù)擔起一份愛樂責任，生活中多一首甜美的歌聲，就少一幕苦澀的紛爭。無論是普通音響，還是電腦多媒體音響，功率放大器依然是音頻能量擴大推動揚聲器出聲不可或缺的終端，各類放大器均能較好地實現(xiàn)這一功能。不過現(xiàn)代人們對音響(技術因素為主，如頻率響應、失真度、信噪比等)和音樂(藝術魅力為主，如聲底是否醇厚、堂音是否豐富、聽感是否順耳等)的苛求愈來愈高，不少“金耳朵”能夠聽出歌手的齒音、口角以及身臨其境、直逼現(xiàn)場的感覺，因此對音頻放大器重放音色也寄予更...

場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。由于場效應管是電壓型控制器件，它的柵極幾乎不取電流，輸入阻抗非常高，其實要想獲得較大恒流輸出，并且精度提高可以采取基準源與比較器結合方法來獲得所需要的效果。盟科電子有做SOT-23場效應管。深圳品質(zhì)場效應管批量定制柵極電壓（...

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代結型場效應管，O代絕緣柵場效應管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代場效應管，××以數(shù)字代型號的序號，#用字母代同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場效應管的作用：場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以用作可變電阻。...