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場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET，一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高，高達(dá)109Ω以上，從導(dǎo)電溝道來(lái)分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無(wú)論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱(chēng)為NMOS，P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOS。MOS管共有3個(gè)腳，柵極G，漏極D，源極S，通常情況下，MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的，而且，MOS管的...

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET，一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高，高達(dá)10^9Ω以上，從導(dǎo)電溝道來(lái)分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無(wú)論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱(chēng)為NMOS，P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOS。場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。2301一般用在什么地方？東莞N+P場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第...

場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很多方面，如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制器件，它的柵極幾乎不取電流，輸入阻抗非常高，其實(shí)要想獲得較大恒流輸出，并且精度提高可...

場(chǎng)效應(yīng)管在mpn中，它的長(zhǎng)相和我們常面講的三極管非常像，所以有不少修朋友好長(zhǎng)時(shí)間還分不清楚，統(tǒng)一的把這些長(zhǎng)相相同的三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙二極管、還有各種穩(wěn)壓IC統(tǒng)統(tǒng)稱(chēng)作“三個(gè)腳的管管”，呵呵，如果這樣麻木不分的話(huà)，你的維修技術(shù)恐怕很難快速提高的哦！關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類(lèi)繁多，特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開(kāi)關(guān)使用，所以需要通過(guò)電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來(lái)了增強(qiáng)型的場(chǎng)效應(yīng)管(MOS型)，它的電路圖符號(hào)：能替代AO的國(guó)產(chǎn)品牌有哪些？珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管 ...

場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和比較大漏源電流IDSM。什么型號(hào)做小風(fēng)扇開(kāi)關(guān)性?xún)r(jià)比好？中山雙P場(chǎng)效應(yīng)管多少錢(qián) 目前電腦多媒體...

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，...

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)依次相反。電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)械的各接線端子，再把電路板接上來(lái)。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在容許條件下，接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)留意查明原來(lái)的保護(hù)二極管是不是損壞。JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試設(shè)備，可用于標(biāo)稱(chēng)電流約在2-85A，功率在300W以?xún)?nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀它可以...

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：所謂的增強(qiáng)還是耗盡，主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到一定程度后，反型層才出現(xiàn)，(當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個(gè)就是增強(qiáng)。相反，如果反型層一開(kāi)始就存在，隨著電壓強(qiáng)弱，反型層會(huì)出現(xiàn)增加或者衰減，(當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的)這個(gè)就是耗盡。耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別詳解耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開(kāi)啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負(fù)電壓控制...

場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開(kāi)關(guān)作用，作開(kāi)關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類(lèi)電子負(fù)載控制、開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管，MOS管非常明顯的特性是開(kāi)關(guān)特性好，對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō)，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō)，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況，也就是驅(qū)動(dòng)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開(kāi)關(guān)電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開(kāi)關(guān)管。場(chǎng)效應(yīng)管按導(dǎo)電方式：耗盡型與增...

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)依次相反。電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)械的各接線端子，再把電路板接上來(lái)。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在容許條件下，接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)留意查明原來(lái)的保護(hù)二極管是不是損壞。JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試設(shè)備，可用于標(biāo)稱(chēng)電流約在2-85A，功率在300W以?xún)?nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀它可以...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。場(chǎng)效應(yīng)管和mos管的區(qū)別是什么？惠州雙P場(chǎng)效應(yīng)管多少錢(qián)...

近些年來(lái)，隨著電子電腦技術(shù)的不斷發(fā)展，各種電子合成器、各種音頻效果器和膽音效果器軟件以及虛擬揚(yáng)聲器技術(shù)層出不窮。這使得音頻放大器硬件的發(fā)展和普及遠(yuǎn)遠(yuǎn)趕不上軟件的速度，在精確度上硬件往往也趕不上軟件，如電腦模擬3D效果逼真度很大超過(guò)真實(shí)3D效果，不受聽(tīng)音室的空間以及聲源合成的限制，同時(shí)也節(jié)省投入硬件的開(kāi)支。綠色音響、雙料發(fā)燒——電腦音響很有可能會(huì)成為未來(lái)音響的主流，硬件不行軟件來(lái)，實(shí)行軟硬兼施，功能強(qiáng)悍，集中體現(xiàn)了高效、便捷、神奇以及經(jīng)濟(jì)的特點(diǎn)。如在電腦中設(shè)置虛擬光驅(qū)，每次播放樂(lè)曲時(shí)，就不必啟動(dòng)物理光驅(qū)，這樣不僅減少等待曲目時(shí)間及物理光驅(qū)的磨損，更重要的是消除了物理光驅(qū)的噪聲，實(shí)現(xiàn)高保真放音。再...

導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET)，簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。MOS在電路中應(yīng)用很常見(jiàn)，主要作為開(kāi)關(guān)管，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常見(jiàn)。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)，另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯(cuò)，JFET相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較少使用的。盟科電子場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗...

MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場(chǎng)合下不能滿(mǎn)足人們的要求，經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流，故此命名，它的特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng)，在工藝上便于集成，因此得到廣的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同，場(chǎng)效應(yīng)三極管可分為以下兩大類(lèi)。①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管(JFET)②絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管(MOS管)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片，在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域，進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價(jià)...

將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng)。無(wú)論表針的擺動(dòng)...

為了安全地使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)同時(shí)也要注意管子的防潮。為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好...

場(chǎng)效應(yīng)管在mpn中，它的長(zhǎng)相和我們常面講的三極管非常像，所以有不少修朋友好長(zhǎng)時(shí)間還分不清楚，統(tǒng)一的把這些長(zhǎng)相相同的三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙二極管、還有各種穩(wěn)壓IC統(tǒng)統(tǒng)稱(chēng)作“三個(gè)腳的管管”，呵呵，如果這樣麻木不分的話(huà)，你的維修技術(shù)恐怕很難快速提高的哦！關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類(lèi)繁多，特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開(kāi)關(guān)使用，所以需要通過(guò)電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來(lái)了增強(qiáng)型的場(chǎng)效應(yīng)管(MOS型)，它的電路圖符號(hào)：什么型號(hào)做小風(fēng)扇開(kāi)關(guān)性?xún)r(jià)比好？惠州小家電場(chǎng)效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨...

深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，占地面積10000余平方米，是一家專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專(zhuān)注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷(xiāo)售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展，現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)管，二極管，三極管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導(dǎo)體元器件，超過(guò)8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信，計(jì)算機(jī)，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域，且可承接OEM/ODM定制。深圳工廠有哪...

導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET)，簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。MOS在電路中應(yīng)用很常見(jiàn)，主要作為開(kāi)關(guān)管，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常見(jiàn)。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)，另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯(cuò)，JFET相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較少使用的。功率mos管盟科電子做得很不錯(cuò)。?；葜莸凸β蕡?chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)場(chǎng)管效應(yīng)管分結(jié)型、絕...

場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開(kāi)關(guān)型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場(chǎng)效應(yīng)管包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個(gè)電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS《0時(shí)，會(huì)形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體，在VGS》0時(shí)，會(huì)形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的器件，主要用作可控整流、功率開(kāi)關(guān)、信號(hào)放大等...

場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開(kāi)發(fā)出來(lái)的。三極管通過(guò)電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對(duì)的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對(duì)要小而已。就其性能而言，場(chǎng)效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)明顯提升整體性能。三極管是雙極型管子，即管子工作時(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場(chǎng)效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時(shí)要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種載流子；三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會(huì)有輸出電流；場(chǎng)效應(yīng)管屬于電...

場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor)也是一種具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱(chēng)FET, 它與三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過(guò)改變柵極的電壓可以控制漏極和源極之間的電流，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點(diǎn)，但容易被擊穿。場(chǎng)效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)不同分為兩大類(lèi)，即絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料制成，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管。M0S管按其工作狀態(tài)可分 為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，每種類(lèi)型按其導(dǎo)電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管按其導(dǎo)電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。盟科電子2010年就開(kāi)始做場(chǎng)效應(yīng)管了。加工場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號(hào)源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。252封裝場(chǎng)效應(yīng)管盟科電子做得很不...

音頻放大器藝術(shù)魅力及評(píng)價(jià)音頻放大器按所用放大器件可分為電子管放大器、晶體管放大器、集成電路放大器、場(chǎng)效應(yīng)管放大器以及由上述所用器件兩種或兩種以上組成的混合放大器，各類(lèi)放大器電路及所用元器件也是五花八門(mén)、千變?nèi)f化，由此對(duì)音源的重放音質(zhì)又各具特色，很難說(shuō)哪一種放大器能以偏概全、技?jí)喝悍汲蔀槎喙δ芊糯笃鳌ｋ娮庸芊糯笃饔捎诳臻g電荷的傳輸時(shí)滯作用，重放音色溫暖柔和，尤其是弦樂(lè)人聲，表現(xiàn)為醇美剔透，耐人尋味。晶體管以及集成電路放大器具有犀利的分析力、寬闊的頻響和強(qiáng)勁的動(dòng)態(tài)，具有朝氣蓬勃、催人奮進(jìn)的感召力。場(chǎng)效應(yīng)管放大器以及混合器件放大器，力圖綜合電子管和晶體管音頻特性，開(kāi)創(chuàng)異彩，讓樂(lè)聲更傳神，...

焊料性能不良、助焊劑性能不良、基板焊盤(pán)金屬鍍層不良；焊接參數(shù)（溫度、時(shí)間）設(shè)置不當(dāng)。影響：虛焊使焊點(diǎn)成為或有接觸電阻的連接狀態(tài)，導(dǎo)致電路工作不正常，或出現(xiàn)電連接時(shí)通時(shí)不通的不穩(wěn)定現(xiàn)象，電路中的噪聲(特別在通信電路中)增加而沒(méi)有規(guī)律性，給電路的調(diào)試、使用和維護(hù)帶來(lái)重大隱患。此外，也有一部分虛焊點(diǎn)在電路開(kāi)始工作的一段較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，保持電氣接觸尚好，因此不容易發(fā)現(xiàn)。但在溫度變化、濕度變化和振動(dòng)等環(huán)境條件作用下，接觸表面逐步被氧化，接觸慢慢地變得不完全起來(lái)，進(jìn)而使電路“**”。另外，虛焊點(diǎn)的接觸電阻會(huì)引起局部發(fā)熱，局部溫度升高又促使不完全接觸的焊點(diǎn)情況進(jìn)一步惡化，**終甚至使焊點(diǎn)脫落，電路完全不能正常工...

由于甲類(lèi)功放在信號(hào)放大過(guò)程中，不存在交越失真，音樂(lè)味濃郁．深受音響發(fā)燒友推崇而制約甲類(lèi)功放普及的一個(gè)重要因素是幾乎所有的單端甲類(lèi)機(jī)器都需要輸出變壓器；另外甲類(lèi)機(jī)器功耗較大．機(jī)器的穩(wěn)定性也受到影響。一般家用的甲類(lèi)功放，具有的6W的功率輸出．足以滿(mǎn)足音樂(lè)欣賞的要求．前提是聽(tīng)音面積不能太大．另外音箱要有較好的靈敏度，從降低功率作成本、減小功耗、提高可靠性的角度考慮．需要選擇一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，功耗相對(duì)較低的線路。國(guó)內(nèi)品質(zhì)比較好的場(chǎng)效應(yīng)管廠家。東莞P溝道場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，我們先了解一下只含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過(guò)程。如圖6所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)...

場(chǎng)效應(yīng)管/場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET）兩大類(lèi)。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和M...

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，而晶體管是既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)，因此靈活性比晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得...

各類(lèi)音頻放大器具有各自的優(yōu)點(diǎn)及屬性，也各有其不足之處，而場(chǎng)效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)還具備兩者所沒(méi)有的優(yōu)勢(shì)。在電路程式上，大量實(shí)踐證明，單端甲類(lèi)功放是以效率換音質(zhì)的典范，具有出色的音樂(lè)魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復(fù)制作功放，反復(fù)對(duì)比聽(tīng)音，非常終為A類(lèi)所動(dòng)，似乎覺(jué)得沒(méi)有A類(lèi)的音樂(lè)猶如孤獨(dú)的音樂(lè)。各類(lèi)音頻放大器具有各自的優(yōu)點(diǎn)及屬性，也各有其不足之處，而場(chǎng)效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)還具備兩者所沒(méi)有的優(yōu)勢(shì)。在電路程式上，大量實(shí)踐證明，單端甲類(lèi)功放是以效率換音質(zhì)的典范，具有出色的音樂(lè)魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復(fù)制作功放，反...

場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor，F(xiàn)ET）的簡(jiǎn)稱(chēng)。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點(diǎn)，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，所以被稱(chēng)為雙極型晶體管；而場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，...