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調節(jié)mtj器件的尺寸賦予調節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。調節(jié)訪問裝置包括連接在字線wlx(x＝,,)和偏置電壓線bvly(y＝,。)之間的調節(jié)mtj器件。工作mtj器件連...

在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件，所述一個或多個調節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成互連層，其中，所述互連層和所述互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解的各個方面。應該指出，根據工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問...

本申請涉及一種集成電路封裝結構，尤其是集成電路的小型化與高功率密度化的封裝結構。背景技術：集成電路在滿足摩爾定律的基礎上尺寸越做越小。尺寸越小，技術進步越困難。而設備的智能化，小型化，功率密度的程度越來越高，為解決設備小型化，智能化，超高功率密度這些問題，不但需要提升各種功能的管芯的功能，效率，縮小其面積，體積；還需要在封裝技術層面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技術要求，并解決由此帶來的集成電路的散熱問題，生產工藝復雜，生產周期長，生產成本高等問題?，F有很多集成電路封裝結構，有沿用常規(guī)的封裝方式，采用框架安裝各種管芯，采用線材鍵合作電氣聯結，在功率較大時，常常采用較粗的鍵合線和較...

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的一個或多個側板208形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個包括系統(tǒng)板402，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每...

=集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件。中文名集成電路芯片部件1硅基板部件2電路部件3固定封環(huán)目錄1結構2案例集成電路芯片結構編輯集成電路芯片電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊。固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊。接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接。防護環(huán)設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。集成電路芯片案例編輯芯片命名方式太多了，一般都是字母+數字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數字是功能...

調節(jié)mtj器件具有比調節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實施例中，集成芯片還包括連接在調節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實施例中。工作mtj器件通過設置在襯底上方的介電結構與調節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲數據狀態(tài)。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導...

固定層a和自由層a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個存儲單元a,至b,能夠分別存儲數據狀態(tài)，數據狀態(tài)具有基于存儲單元內的工作mtj器件的電阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài)，則存儲單元a,將存儲位值(例如，邏輯“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài)，則存儲單元a,將存儲位值。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費...

印刷電路板702一般是雙側的，集成電路704安裝在兩側上。熱接口材料706的層熱耦聯至集成電路704。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他熱接口材料。在所描繪的實施例中，由通過外部鉸鏈720連接的一對側板708a、708b組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料706a、706b的層物理接觸，并且因此熱耦聯至熱接口材料706a、706b。側板708a、708b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料形成側板708a、708b。能夠移除的一個或多個彈性夾710a、710b可定位于側板708周圍，以將側板708壓靠在熱接口材料706上，以確保合適的熱耦聯。圖8a和圖8b示出了根據一個...

調節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個調節(jié)mtj器件，一個或多個調節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括與相關的工作mtj器件連接的并聯連接的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。在一些實施例中。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、...

在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖是系統(tǒng)的關系圖，在該系統(tǒng)中可...

圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，調節(jié)訪問裝置包括調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和第三調節(jié)mtj器件。調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調節(jié)mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調節(jié)mtj器件在產生不同的電阻來控制相關的...

存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以通過第四多個通孔d連接至第六互連層f。在其它實施例(未示出)中，一個或多個附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元a,。在一些這樣的實施例中。存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實現圖的存儲器陣列的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調節(jié)訪問...

在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖是系統(tǒng)的關系圖，在該系統(tǒng)中可...

存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以通過第四多個通孔d連接至第六互連層f。在其它實施例(未示出)中，一個或多個附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元a,。在一些這樣的實施例中。存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實現圖的存儲器陣列的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調節(jié)訪問...

mram單元)，各存儲單元具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。雖然關于方法描述了圖至圖，但是應該理解，圖至圖中公開的結構不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結構而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內形成導電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如...

集成電路還包括連接在調節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線，偏置電壓線連接至偏置電路，偏置電路被配置為選擇性地將偏置電壓施加至偏置電壓線。在又一些其它實施例中，涉及一種形成集成電路的方法。該方法包括在襯底上方形成互連層；在互連層正上方形成多個mtj器件，多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件，調節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至工作mtj器件的電流；以及在多個mtj器件上方形成互連層，互連層和互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。在一些實施例中，一個或多個調節(jié)mtj器件分別包括固定層、自由層和設置在固定層和自由層之間的介電阻擋層。在一些實施例中，該...

提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會將數據寫入存儲器陣列內的mtj器件。在一些實施例中。公開的寫入操作可以在調節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如...

的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態(tài)；以及調節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流...

調節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個調節(jié)mtj器件，一個或多個調節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括與相關的工作mtj器件連接的并聯連接的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。在一些實施例中。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、...

mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅動晶體管的尺寸。出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內。例如，行存儲單元包括存儲單元a,和a,，而列存儲單元包括存儲單元a,和b,。在一些實施例中，多個存儲單元a,至b,可以包括多個mram單元。多個存儲單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(mtj)，磁隧道結(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由...

字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲器電路的寫入操作的一些實施例的示意圖和。示意圖和所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫入操作在步驟。圖a所示)期間將數據狀態(tài)寫入至存儲器陣列的一行中的一個或...

圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，調節(jié)訪問裝置包括調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和第三調節(jié)mtj器件。調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調節(jié)mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調節(jié)mtj器件在產生不同的電阻來控制相關的...

并且由此選擇性地對相關的工作mtj器件提供訪問。例如，在寫入操作期間，存儲器陣列內的調節(jié)訪問裝置可以對選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供大于或等于小切換電流(即，足以使存儲單元的數據狀態(tài)改變的電流)電流，而對未選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供小于小切換電流的電流。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本...

的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態(tài)；以及調節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流...

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的一個或多個側板208形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個包括系統(tǒng)板402，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每...

每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算...

的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態(tài)；以及調節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流...

多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內的相應存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內的存儲單元內的工作mtj器件。例如。位線bl連接至圖的...

在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟至(如步驟所示)以在存儲單元上方形成存儲單元。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。...

在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟至(如步驟所示)以在存儲單元上方形成存儲單元。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。...