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銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實施例中，互連層b從調節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調節(jié)mtj器件正上方。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應于電信號(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中。mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵...

為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優(yōu)勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅動晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或寫入操作期間選擇性地向相關的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅動晶體管限制了存儲器陣列內的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不...

=集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件。中文名集成電路芯片部件1硅基板部件2電路部件3固定封環(huán)目錄1結構2案例集成電路芯片結構編輯集成電路芯片電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊。固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊。接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接。防護環(huán)設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。集成電路芯片案例編輯芯片命名方式太多了，一般都是字母+數字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數字是功能...

中間填充層中可能還包含其他的中間基板層，元件被上下基板夾在中間填充層之中，與上下基板直接聯結或者與中間填充層中的其他中間基板層直接聯結。上基板，下基板，元件，中間基板通過焊接的方法電氣聯結和物理聯結。依據本申請另一方面通過本集成電路封裝方法封裝的集成電路有明顯的分層結構，上下兩層基板層，中間的元件層，中間基板層，元件層或者中間基板層還被中間的填充層所包裹，填充層使用填充材料加強元件以及上下層的基板的固定，保證元件熱的導出，電的絕緣，以及整個集成電路的結構的穩(wěn)定性。上下兩層的基板是分層的，中間基板層也是分層的。設計好的金屬層通過聯結pad完成集成電路的互聯，滿足大電流互聯要求。深圳市美信...

圖b示出了對應于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。如截面圖所示，調節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。調節(jié)mtj器件的尺寸賦予調節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器...

圖2a和圖2b示出了根據一個實施例的雙列直插式存儲模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲模塊組件200包括印刷電路板202，印刷電路板202上安裝有一個或多個集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側的，集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯至集成電路204。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口...

所述印刷電路板具有布置在印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側；安裝在印刷電路板上的一個或多個集成電路。與集成電路熱耦聯的第二熱接口材料層6；以及與第二熱接口材料層6熱耦聯的能夠移除的散熱器，所述散熱器具有越過印刷電路板的與連接側相對的側延伸的頂表面。在6處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯。在處，流程包括將每個冷卻管6的端部耦聯至分流管66a，以及將每個冷卻管6的第二端部耦聯至第二分流管66b。在處，流程包括將泵、熱交換器和儲液器與分流管6...

在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實施例中。自由層可以形成為接觸底...

可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件、和。在其它實施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件、和。的截面圖所示，在多個mtj器件、和上方形成多個頂電極通孔。多個頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實施例中?？梢栽诙鄠€mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內形成多個頂電極通孔。在各個實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個實施例中，多個頂電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化...

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的一個或多個側板208形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個包括系統板402，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每...

產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。所述頂表面由越過印刷電路板的與連接側相對的側延伸的一個或多個側板形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件a和b。印刷電路裝配件a和b中的每個包括系統板，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為。冷卻管6鄰接地且平行于每個印刷電路板插座地安裝。熱接口材料層在冷卻管的與系統板相對的一側布置在每個冷卻管6上，并且熱耦聯至該冷卻管6。多個雙列直插式存儲模塊組件電耦聯至系統板，所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個雙列直插式存...

互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結構?；ミB層a通過互連層b和多個通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結構。離散的互連結構限定連接至圖的存儲器陣列的列內的相應存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內的相應存儲單元的位線bl。在一些實施例中，存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以通過多個通孔b連接至第三互連層c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實施例中。第四互連層d在存儲單元b,的工作mt...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務?；ミB層從工作mtj器件正下方連續(xù)延伸至調節(jié)mtj器件正下方。在一些實施例中，集成電路還包括連接在字線和工作mtj器...

內的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因為非零偏置電壓v(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內的調節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數據狀態(tài)寫入至存儲單元a,內的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl和wl的工作mtj器件也不受寫入操作的步驟的影響。b的示意圖所示，通過將數據狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,內的工作mtj器件來實施寫入操作的步驟。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl并且將第三偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操...

圖b示出了對應于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。如截面圖所示，調節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。調節(jié)mtj器件的尺寸賦予調節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器...

并且由此選擇性地對相關的工作mtj器件提供訪問。例如，在寫入操作期間，存儲器陣列內的調節(jié)訪問裝置可以對選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供大于或等于小切換電流(即，足以使存儲單元的數據狀態(tài)改變的電流)電流，而對未選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供小于小切換電流的電流。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本...

圖2a和圖2b示出了根據一個實施例的雙列直插式存儲模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲模塊組件200包括印刷電路板202，印刷電路板202上安裝有一個或多個集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側的，集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯至集成電路204。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務?；ミB層從工作mtj器件正下方連續(xù)延伸至調節(jié)mtj器件正下方。在一些實施例中，集成電路還包括連接在字線和工作mtj器...

字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲器電路的寫入操作的一些實施例的示意圖和。示意圖和所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫入操作在步驟。圖a所示)期間將數據狀態(tài)寫入至存儲器陣列的一行中的一個或...

在各個實施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示，在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術：現代計算機系統產生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產生的。為了合適地運行，這些計算機...

上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內層金屬層通過聯結pad與元件聯結，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內層金屬層通過聯接pad與元件聯結，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱以外，上層基板內部還有一層或者多層金屬層，并通過開孔沉金，以完成復雜的集成電路互聯。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯結pad就是此集成電路的聯結pad，留待pcb應用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯結pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過開孔沉金...

以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內的調節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a。內的調節(jié)mtj器件...

這是一種在小型化和高功率密度產品上比較成功的封裝結構。同樣的，bga封裝也具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能以及更短的電氣聯結路線從而在多引腳的cpu以及內存芯片上得到廣泛應用。本申請在此基礎上，提出了一種封裝結構，該方法結合qfn和bga封裝的優(yōu)點，滿足大電流聯結，小封裝尺寸，多層結構的聯結結構，生產工藝簡單，性價比高，具有較高的經濟性。技術實現要素：依據本申請一方面本集成電路封裝結構包括上基板，下基板，中間填充層，中間填充層中可能還包含其他的中間基板層，元件被上下基板夾在中間填充層之中，與上下基板直接聯結或者與中間填充層中的其他中間基板層直接聯結。上基板，下基板，元件，中間基板...

為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優(yōu)勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅動晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或寫入操作期間選擇性地向相關的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅動晶體管限制了存儲器陣列內的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不...

銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實施例中，互連層b從調節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調節(jié)mtj器件正上方。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應于電信號(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中。mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵...

每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統和系統中的一個或多個元素/部件。圖1是系統100的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。系統100包括計算部件120，所述計算...

圖至圖中公開的結構不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結構而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內形成導電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W機械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實施例中，襯底可以是任何類型的半導體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導...

本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務?？稍诟鱾€實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。而且，為便于描述。在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個實施例和和布置的具體實例等空間相對術語，以描述所示的...

互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結構。互連層a通過互連層b和多個通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結構。離散的互連結構限定連接至圖的存儲器陣列的列內的相應存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內的相應存儲單元的位線bl。在一些實施例中，存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以通過多個通孔b連接至第三互連層c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實施例中。第四互連層d在存儲單元b,的工作mt...