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圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和第三調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調(diào)節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調(diào)節(jié)mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調(diào)節(jié)mtj器件在產(chǎn)生不同的電阻來控制相關(guān)的工作mtj器件內(nèi)的電流方面賦予調(diào)節(jié)訪問裝置更大的靈活性。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。雖然關(guān)于具...

在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實(shí)施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實(shí)施例中，多個底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實(shí)施例中。自由層可以形成為接觸底...

并且由此選擇性地對相關(guān)的工作mtj器件提供訪問。例如，在寫入操作期間，存儲器陣列內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置可以對選擇的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件提供大于或等于小切換電流(即，足以使存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)改變的電流)電流，而對未選擇的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件提供小于小切換電流的電流。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本...

所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件2...

mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內(nèi)。例如，行存儲單元包括存儲單元a,和a,，而列存儲單元包括存儲單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個存儲單元a,至b,可以包括多個mram單元。多個存儲單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由...

在印刷電路板上安裝有一個或多個集成電路(一般地以示出)。印刷電路板一般是雙側(cè)的，集成電路安裝在兩側(cè)上。熱接口材料6的層熱耦聯(lián)至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他熱接口材料。在所描繪的實(shí)施例中，由通過外部鉸鏈連接的一對側(cè)板a、b組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料6a、6b的層物理接觸，并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料6a、6b。側(cè)板a、b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料形成側(cè)板a、b。能夠移除的一個或多個彈性夾a、b可定位于側(cè)板周圍。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易...

在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件、和。可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實(shí)施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件、和。的截面圖所示，在多個mtj器件、和上方形成多個頂電極通孔。多個頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中?？梢栽诙鄠€mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個頂電極通孔。在各個實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃...

在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件、和?？梢詫Υ殴潭ぁ⒔殡娮钃鯇雍痛抛杂赡?shí)施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件、和。的截面圖所示，在多個mtj器件、和上方形成多個頂電極通孔。多個頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中?？梢栽诙鄠€mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個頂電極通孔。在各個實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃...

調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件，一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括與相關(guān)的工作mtj器件連接的并聯(lián)連接的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件，所述一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流...

凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內(nèi)。例如，行存儲單元包...

圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。如截面圖所示，調(diào)節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調(diào)節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器...

下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1示出依據(jù)本申請一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)；圖2示出依據(jù)本申請另一實(shí)施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。具體實(shí)現(xiàn)方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請方案，下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖，對本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本申請一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本...

介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導(dǎo)電互連層a至c。在一些實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個堆疊的ild層。在各個實(shí)施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實(shí)施例中，多個導(dǎo)電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實(shí)施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距...

另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實(shí)施例以兩個系統(tǒng)板為一對。每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路...

在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結(jié)構(gòu)的互連層。多個互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟至(如步驟所示)以在存儲單元上方形成存儲單元。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。...

熱接口材料6a、6b的層熱耦聯(lián)至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導(dǎo)熱膏及類似物。在所描繪的實(shí)施例中，具有一對側(cè)板a、b的能夠移除的散熱器與熱接口材料6a、6b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯(lián)至所述熱接口材料6a、6b。側(cè)板a、b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板a、b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側(cè)板。為了降造成本，側(cè)板a、b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾a、b、c、d可以定位在側(cè)板a、b周圍，以將側(cè)板壓靠在熱接口材料6a、6b上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖示出了圖的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖...

調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)...

亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián)。圖是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件并且包括已附接的分流管。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列...

在一些這樣的實(shí)施例中。存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當(dāng)理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實(shí)現(xiàn)圖的存儲器陣列的集成芯片的兩個非限制性實(shí)施例，并且可以在可選實(shí)施例中使用其它實(shí)施方式。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路包括多個存儲單元a。至c,，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為...

然后在開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b?？梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置，調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件...

調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)...

互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層a通過互連層b和多個通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的位線bl。在一些實(shí)施例中，存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過多個通孔b連接至第三互連層c。在一些實(shí)施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實(shí)施例中。第四互連層d在存儲單元b,的工作mt...

字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設(shè)置存儲器陣列的行內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置低電阻。可以將組偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，...

芯片是集成電路一種簡稱，其實(shí)芯片一詞的真正含義是指集成電路封裝內(nèi)部的一點(diǎn)點(diǎn)大的半導(dǎo)體芯片，也就是管芯。嚴(yán)格講芯片和集成電路不能互換。集成電路就是通過半導(dǎo)體技術(shù)，薄膜技術(shù)和厚膜技術(shù)制造的，凡是把一定功能的電路小型化后做在一定封裝的電路形式下的，都可以叫做集成電路。半導(dǎo)體是一種介于良好導(dǎo)體和非良好導(dǎo)體（或說絕緣體）之間的物質(zhì)。集成電路范圍要廣多了，把一些電阻電容二極管集成到一起就算是集成電路了，可能是一塊模擬信號轉(zhuǎn)換的芯片，也可能是一塊邏輯控制的芯片，但是總得來說，這個概念更加偏向于底層的東西。集成電路是指組成電路的有源器件、無源元件及其互連一起制作在半導(dǎo)體襯底上或絕緣基片上，形成結(jié)構(gòu)上緊密聯(lián)系的...

與此同時，必須高度重視發(fā)揮市場力量和產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重要作用，建立企業(yè)為主體的攻關(guān)機(jī)制，依靠企業(yè)家實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，特別要善于發(fā)現(xiàn)和珍惜既懂技術(shù)又有很強(qiáng)組織能力的帶領(lǐng)人才，給予他們充分的發(fā)揮空間。必須始終堅持國際合作，廣交朋友，擴(kuò)大開放，堅定維護(hù)全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。2022年以來，半導(dǎo)體行業(yè)的外部環(huán)境和內(nèi)部條件發(fā)生了深刻變化。與此同時，貿(mào)易保護(hù)主義增加了市場的不確定性，令行業(yè)未來前景雪上加霜。在當(dāng)前全球半導(dǎo)體需求疲軟、主動去庫存的情況下，美國強(qiáng)推排他性的"芯片法案"，不僅導(dǎo)致其本土半導(dǎo)體制造商不得不加大投入，使得去庫存壓力增加，而且還導(dǎo)致全球半導(dǎo)體生產(chǎn)分工受阻，進(jìn)一步破壞全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈...

芯片是集成電路一種簡稱，其實(shí)芯片一詞的真正含義是指集成電路封裝內(nèi)部的一點(diǎn)點(diǎn)大的半導(dǎo)體芯片，也就是管芯。嚴(yán)格講芯片和集成電路不能互換。集成電路就是通過半導(dǎo)體技術(shù)，薄膜技術(shù)和厚膜技術(shù)制造的，凡是把一定功能的電路小型化后做在一定封裝的電路形式下的，都可以叫做集成電路。集成電路的制造過程十分復(fù)雜，需要經(jīng)過多道工序，包括晶圓制備、光刻、蝕刻、沉積、清洗等。其中，光刻技術(shù)是集成電路制造中極為關(guān)鍵的一環(huán)，它能夠?qū)⑽⒚准墑e的電路圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片上。集成電路是現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的關(guān)鍵樞紐，關(guān)系中國式現(xiàn)代化進(jìn)程。廣州計算機(jī)集成電路IC當(dāng)前，集成電路市場需求強(qiáng)勁，國產(chǎn)替代呈加速態(tài)勢。集成電路是我國主要的進(jìn)口商品，當(dāng)...

國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖示出依據(jù)本申請一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)；圖示出依據(jù)本申請另一實(shí)施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。具體實(shí)現(xiàn)方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請方案，下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖，對本申請實(shí)...

所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件2...

目前中國集成電路產(chǎn)業(yè)已具備一定基礎(chǔ)，多年來中國集成電路產(chǎn)業(yè)所聚集的技術(shù)創(chuàng)新活力、市場拓展能力、資源整合動力以及廣闊的市場潛力，為產(chǎn)業(yè)在未來5年～10年實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展、邁上新的臺階奠定了基礎(chǔ)。從進(jìn)口情況來看，集成電路行業(yè)已成為我國進(jìn)口依賴程度較高的行業(yè)之一，尤其是質(zhì)量芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口，考慮到集成電路行業(yè)對國民經(jīng)濟(jì)及社會發(fā)展的戰(zhàn)略性地位和國際貿(mào)易摩擦預(yù)期等因素，集成電路的國產(chǎn)化更具緊迫性。從出口情況來看，目前國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，并在半導(dǎo)體設(shè)備、材料、制造工藝等薄弱環(huán)節(jié)逐步取得突破，產(chǎn)品穩(wěn)定性和安全性的提升也在推動行業(yè)出口增長。模擬集成電路有，例如傳感器、電源控制電路和運(yùn)放，處理模擬信號。東莞混合...