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背板材料：無(wú)氧銅(OFC)–目前經(jīng)常使用的作背板的材料。因?yàn)闊o(wú)氧銅具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng)，無(wú)氧銅背板可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進(jìn)行高溫貼合的條件下，無(wú)氧銅容易被氧化和發(fā)生翹曲，所以會(huì)使用金屬鉬為背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無(wú)法與無(wú)氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背板材料。不銹鋼管(SST)–目前**常使用不銹鋼管作為旋轉(zhuǎn)靶材的背管，因?yàn)椴讳P鋼管具有良好的強(qiáng)度和導(dǎo)熱性而且非常經(jīng)濟(jì)。 背板重復(fù)使用大部分背板可以重復(fù)使用，尤其是采用金屬銦進(jìn)行貼合的比較容易進(jìn)行清潔和重新使用。...

光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾虷JT光伏電池。以HJT電池片為例，在HJT電池片結(jié)構(gòu)中具有TCO薄膜層，該薄膜承擔(dān)著透光以及導(dǎo)電的重要作用。應(yīng)用PVD技術(shù)，使離子和靶材表面的原子離開(kāi)靶材，在基底上形成透明導(dǎo)電薄膜。以鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)為例，鈣鈦礦電池是由多層薄膜以及玻璃等構(gòu)成。例如ITO薄膜就需要光伏靶材進(jìn)行制備。薄膜較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶（氧化鋁鋅）等，ITO靶材是當(dāng)前太陽(yáng)能電池主要的濺射靶材。薄膜電池中透明導(dǎo)電膜至關(guān)重要，承擔(dān)著透光和導(dǎo)電的雙重作用。從ITO靶材的優(yōu)勢(shì)來(lái)看，氧化銦錫（ITO）是N型半導(dǎo)體材料，具有高導(dǎo)電率、高可見(jiàn)光透過(guò)率、較強(qiáng)的...

靶材作為半導(dǎo)體、顯示面板、光伏電池等的關(guān)鍵原料，預(yù)計(jì)2025年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)333億美元，從下游來(lái)看，能夠認(rèn)為半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)、顯示面板靶材市場(chǎng)以及光伏面板靶材市場(chǎng)未來(lái)成長(zhǎng)空間較大，國(guó)產(chǎn)替代需求強(qiáng)烈。而HJT電池靶材有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代國(guó)產(chǎn)靶材廠商有望在HJT電池時(shí)代實(shí)現(xiàn)靶材上的彎道超車。對(duì)于異質(zhì)結(jié)電池這個(gè)全新領(lǐng)域，靶材還未大規(guī)模應(yīng)用，考慮到電池廠商與海外企業(yè)合作研發(fā)效率較低，同時(shí)隆華科技等國(guó)內(nèi)的靶材廠商品質(zhì)已經(jīng)在顯示面板領(lǐng)域得到充分展現(xiàn)。因此從HJT電池靶材應(yīng)用源頭開(kāi)始，HJT電池靶材國(guó)產(chǎn)化就已先行一步。鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜...

光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾虷JT光伏電池。以HJT電池片為例，在HJT電池片結(jié)構(gòu)中具有TCO薄膜層，該薄膜承擔(dān)著透光以及導(dǎo)電的重要作用。應(yīng)用PVD技術(shù)，使離子和靶材表面的原子離開(kāi)靶材，在基底上形成透明導(dǎo)電薄膜。以鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)為例，鈣鈦礦電池是由多層薄膜以及玻璃等構(gòu)成。例如ITO薄膜就需要光伏靶材進(jìn)行制備。薄膜較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶（氧化鋁鋅）等，ITO靶材是當(dāng)前太陽(yáng)能電池主要的濺射靶材。薄膜電池中透明導(dǎo)電膜至關(guān)重要，承擔(dān)著透光和導(dǎo)電的雙重作用。從ITO靶材的優(yōu)勢(shì)來(lái)看，氧化銦錫（ITO）是N型半導(dǎo)體材料，具有高導(dǎo)電率、高可見(jiàn)光透過(guò)率、較強(qiáng)的...

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。湖南顯示行業(yè)陶瓷靶材推薦廠家鈣鈦礦太陽(yáng)電池在短短數(shù)十年間...

陶瓷靶材陶瓷靶材按化學(xué)組成,可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.陶瓷靶材是比較脆的靶材,通常陶瓷靶材都會(huì)綁定背板一起使用,背板除了在濺射過(guò)程中可支撐陶瓷靶材,還可以在濺射過(guò)程中起到熱傳遞的作用.陶瓷靶材的種類很多,應(yīng)用范圍廣,主要用于微電子領(lǐng)域,顯示器用,存儲(chǔ)等領(lǐng)域.陶瓷靶材作為非金屬薄膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)材料,已得到空前的發(fā)展.陶瓷靶材的制備工藝難點(diǎn)主要有:超大尺寸陶瓷靶材制備技術(shù)、如何抑制濺射過(guò)程中微粒的產(chǎn)生、如何保證陶瓷靶材的相結(jié)構(gòu)及組織均勻性、盡量提高陶瓷靶材的致密度及減少含氣量等.陶瓷靶材的特性要求:（1）純度:陶瓷靶材的純度對(duì)濺射薄膜...

陶瓷靶材的制備工藝烘料:稱量前將起始原料置于烘箱中烘料3~6小時(shí),烘料溫度為100~120℃;配料:將烘干的原料按照相應(yīng)的化學(xué)計(jì)量比稱量;球磨:將稱量好的原料以某種制備方式混料,混料時(shí)間為4~12小時(shí),制成均勻漿料;干燥:將制得的均勻漿料烘干;煅燒:將烘干的粉料過(guò)篩并輕壓成塊狀坯體置于馬弗爐中,在800~950℃煅燒4~8小時(shí),制成煅燒粉料;球磨:將煅燒后的粉料研磨成細(xì)粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;制坯:將制成的陶瓷粉料采用鋼模手壓成直徑5~20mm、厚度約0.5~1.2mm的樣片,將樣片放入冷等靜壓機(jī)中,施加200~350MPa的壓力,保壓60~180s,制成所得陶瓷坯體;燒結(jié):將制成的陶...

靶材是半導(dǎo)體、顯示面板、異質(zhì)結(jié)光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵材料，存在工藝不可替代性。據(jù)測(cè)算 2019年全球靶材市場(chǎng)規(guī)模在 160 億美元左右，而國(guó)內(nèi)總需求占比超 30%。本土廠商供給約占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的 30%，以中低端產(chǎn)品為主，先進(jìn)靶材主要從美日韓進(jìn)口，當(dāng)前國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)靶材合計(jì)營(yíng)收在 30-40 億元范圍，占國(guó)內(nèi)總需求 10%左右。國(guó)家 863 計(jì)劃、02 專項(xiàng)、進(jìn)口關(guān)稅、材料強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略等政策大力扶持，國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行且空間巨大，批量訂單也將持續(xù)向前列梯隊(duì)企業(yè)聚集。AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。浙江功能性陶瓷靶材廠家AZO透明導(dǎo)電薄膜具有高可見(jiàn)光透過(guò)率和低電阻率的特點(diǎn)，因此可以作為...

濺射靶材開(kāi)裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開(kāi)裂。一般來(lái)說(shuō)，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過(guò)程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過(guò)程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...

氧化鋁薄膜是一種重要的功能薄膜材料，由于具有較高的介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率、抗輻照損傷能力強(qiáng)、抗堿離子滲透能力強(qiáng)以及在很寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)透明等諸多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，使其在微電子器件、電致發(fā)光器件、光波導(dǎo)器件以及抗腐蝕涂層等眾多領(lǐng)域有著廣的應(yīng)用。磁控濺射具有濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)等明顯優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨廣，成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一。濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材表面進(jìn)行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來(lái)，被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層。用這...

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無(wú)論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應(yīng)用。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒，再透...

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來(lái)。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定 1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及燒結(jié)靶材；2、節(jié)省成本，防止變形，如靶材太貴，可將靶材做薄些，綁定背靶以防止變形。三、背靶的選擇 1、常用無(wú)氧銅，導(dǎo)電性好，無(wú)氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；2、厚度適中，一般建議背靶厚度3mm左右。太厚，消耗部分磁強(qiáng)；太薄，容易變形。四、綁定過(guò)程 1、綁定前將靶材和背靶表面預(yù)處理2、將靶材和背靶放置在釬焊臺(tái)上，升溫...

磁控濺射時(shí)靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的，（細(xì)孔）在孔中有一些有機(jī)污染物（極端可能性）；2、可能靶材有點(diǎn)粗糙，用紙巾用異丙醇擦拭，粗糙的表面在目標(biāo)表面保留了一些細(xì)薄的組織纖維，這可能是碳污染的來(lái)源；3、沉積速率可能相當(dāng)高，并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物；4、基板與靶材保持非常接近，在目前的濺射條件下（功率、壓力、子靶材距離）有一些發(fā)熱，氣體中有一些污染；5、真空室漏氣或漏水，真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分，沒(méi)有充入氬氣，充入空氣或其他氣體，可能引起中毒，這些成分與靶材反應(yīng)，變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。福建氧化...

靶材開(kāi)裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標(biāo)始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過(guò)程中產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不能通過(guò)退火過(guò)程完全消除，因?yàn)樗沁@些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，轟擊的氣體離子將其動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，為它們提供足夠的能量來(lái)脫離晶格。這種放熱動(dòng)量傳遞增加了目標(biāo)的溫度，在原子水平上可能達(dá)到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標(biāo)中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當(dāng)?shù)纳?，靶材可能?huì)開(kāi)裂。靶材開(kāi)裂預(yù)防措施為了防止靶材開(kāi)裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運(yùn)用水冷機(jī)制來(lái)去...

鈣鈦礦太陽(yáng)電池在短短數(shù)十年間不斷刷新轉(zhuǎn)換效率?；谡玫拟}鈦礦太陽(yáng)電池面臨著眾多問(wèn)題，如遲滯較大，光熱穩(wěn)定性差等，相較之下倒置結(jié)構(gòu)可以較好的解決上述問(wèn)題。倒置結(jié)構(gòu)中空穴傳輸層主要有氧化鎳(NiOx)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)等幾種，但是PEDOT:PSS，PTAA等空穴傳輸層并不穩(wěn)定且成本較高，考慮到未來(lái)大面積生產(chǎn)所需，目前只有NiOx較為適合。現(xiàn)有的NiOx制備工藝以納米晶溶液旋涂、化學(xué)浴沉積、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積等為主。目前合適的大面積制備技術(shù)以化學(xué)氣相沉積為主，其中磁控濺射制備可重...

主要PVD方法的特點(diǎn)：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過(guò)程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專業(yè)性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷。（4）終端應(yīng)用：1）半導(dǎo)體芯片：?jiǎn)卧骷械慕橘|(zhì)層、導(dǎo)體層與保護(hù)層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料；3）薄膜太陽(yáng)能電池——第三代，濺射鍍膜工藝是被優(yōu)先選用的制備方法，靶材是不可或缺的原材料；4）計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器：磁信息存儲(chǔ)、磁光信息存儲(chǔ)和全光信息存儲(chǔ)等。在光盤、機(jī)械硬盤等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn)；黑...

光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾虷JT光伏電池。以HJT電池片為例，在HJT電池片結(jié)構(gòu)中具有TCO薄膜層，該薄膜承擔(dān)著透光以及導(dǎo)電的重要作用。應(yīng)用PVD技術(shù)，使離子和靶材表面的原子離開(kāi)靶材，在基底上形成透明導(dǎo)電薄膜。以鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)為例，鈣鈦礦電池是由多層薄膜以及玻璃等構(gòu)成。例如ITO薄膜就需要光伏靶材進(jìn)行制備。薄膜較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶（氧化鋁鋅）等，ITO靶材是當(dāng)前太陽(yáng)能電池主要的濺射靶材。薄膜電池中透明導(dǎo)電膜至關(guān)重要，承擔(dān)著透光和導(dǎo)電的雙重作用。從ITO靶材的優(yōu)勢(shì)來(lái)看，氧化銦錫（ITO）是N型半導(dǎo)體材料，具有高導(dǎo)電率、高可見(jiàn)光透過(guò)率、較強(qiáng)的...

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無(wú)論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應(yīng)用。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒，再透...

鍍膜的主要工藝有PVD和化學(xué)氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術(shù)是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣。PVD技術(shù)分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優(yōu)劣勢(shì)：真空蒸鍍法對(duì)于基板材質(zhì)沒(méi)有限制；濺鍍法薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強(qiáng)，清洗過(guò)程簡(jiǎn)化，但在高功率下影響鍍膜質(zhì)量。不同方法的選擇主要取決于產(chǎn)品用途與應(yīng)用場(chǎng)景。（2）CVD技術(shù)主要通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室，在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。內(nèi)蒙古鍍膜陶瓷靶材多少錢靶材是...

靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計(jì)算得出。熱噴涂的靶材結(jié)構(gòu)疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過(guò)程中迅速導(dǎo)致放電，甚至燒毀靶材。同時(shí)，靶材濺射表面的高溫會(huì)迅速導(dǎo)致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質(zhì)量。相對(duì)密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對(duì)密度應(yīng)在98%以上，粉末冶金靶材應(yīng)在9...

ITO靶材生產(chǎn)過(guò)程包括金屬提純和靶材制造兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導(dǎo)電性能等性狀，對(duì)成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標(biāo)，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導(dǎo)電性等特點(diǎn)，而以化合物、合金的形式被廣泛應(yīng)用。目前，銦的主要應(yīng)用領(lǐng)域是平板顯示領(lǐng)域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費(fèi)量的80%；其次是半導(dǎo)體領(lǐng)域、焊料和合金領(lǐng)域、太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域等。生產(chǎn)ITO靶材對(duì)于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。冷等靜壓法制...

從ITO靶材制備方法來(lái)看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn)：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對(duì)更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢(shì)；2）產(chǎn)品的密度相對(duì)更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤(rùn)滑劑；4）生產(chǎn)成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進(jìn)行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進(jìn)行砂磨。然后進(jìn)行噴霧干燥，調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，噴霧制備不同松裝密度的ITO...

陶瓷靶材是一種重要的濺射靶材，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域的薄膜制備和表面處理。作為一種高純度、高密度的材料，陶瓷靶材具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。首先，陶瓷靶材具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，能夠在高溫和復(fù)雜的化學(xué)環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這使得陶瓷靶材在各種薄膜制備過(guò)程中能夠提供穩(wěn)定的材料源，確保薄膜的質(zhì)量和性能。其次，陶瓷靶材具有良好的機(jī)械性能和熱導(dǎo)性能。這使得陶瓷靶材在濺射過(guò)程中能夠承受高能量的離子轟擊和高溫的熱沖擊，不易發(fā)生破裂和變形。同時(shí)，陶瓷靶材的高熱導(dǎo)性能能夠有效地散熱，保持靶材表面的穩(wěn)定溫度，提高濺射過(guò)程的效率和穩(wěn)定性。此外，陶瓷靶材具有優(yōu)異的光學(xué)性能和電學(xué)性能。不同種類的陶瓷靶材具有不同的光...

薄膜晶體管液晶顯示面板（TFT-LCD）是當(dāng)前的主流平面顯示技術(shù)。薄膜晶體管陣列的制作原理，是在真空條件下，利用離子束流去轟擊固體，使固體表面的原子電離后沉積在玻璃基板上，經(jīng)過(guò)反復(fù)多次的“沉積+刻蝕”，一層層（一般為7－12層）地堆積制作出薄膜晶體管陣列。這種被轟擊的固體，即用濺射法沉積薄膜的原材料，就被稱作濺射靶材。除LCD外，近年來(lái)快速發(fā)展的OLED面板產(chǎn)業(yè)靶材需求增長(zhǎng)也十分明顯。OLED典型結(jié)構(gòu)是在氧化銦錫（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的發(fā)光材料，ITO透明電極作為器件的陽(yáng)極，鉬或者合金材料作為器件的陰極。平板顯示制造中主要使用的靶材為鉬鋁銅金屬靶材和氧化銦錫（ITO）靶材。目前國(guó)內(nèi)...

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜。（2）背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，涉及焊接工藝。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程。機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。中國(guó)香港氧化鋅陶瓷靶材價(jià)錢磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)（1600度，通氧氣燒結(jié)）形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。 ITO靶材中氧化銦：氧化錫的配比分為90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。...

靶材主要由靶坯、背板等部分組成：其中，靶坯是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源，即高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的重要部分部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上，制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境。因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板主要起到固定濺射靶材的作用，需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。天津陶瓷...

濺射靶材開(kāi)裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開(kāi)裂。一般來(lái)說(shuō)，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過(guò)程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過(guò)程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...

濺射靶材開(kāi)裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開(kāi)裂。一般來(lái)說(shuō)，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過(guò)程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過(guò)程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...

陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn)：1.導(dǎo)電性:金屬靶材都具有導(dǎo)電性,可以適應(yīng)各種不同電源類型機(jī)臺(tái),而陶瓷靶材因?yàn)榇蟛糠植痪邆鋵?dǎo)電性,只能使用射頻電源. 2.導(dǎo)熱性:金屬靶材導(dǎo)熱性能好,濺射時(shí)可以大功率運(yùn)行.陶瓷靶材導(dǎo)熱性較差,濺射時(shí)功率不宜過(guò)高.復(fù)合性:3. 金屬靶材內(nèi)很難摻入其他陶瓷類物質(zhì),濺射后膜層功能比較單一.陶瓷靶材可以根據(jù)需要摻入不同金屬及陶瓷類物質(zhì),濺射后可以形成多種物質(zhì)組成的復(fù)合膜層,這點(diǎn)陶瓷靶材比金屬靶材占優(yōu).陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn)。福建陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一...