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肉桂酸酯類(lèi)的光刻膠：這類(lèi)光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會(huì)打開(kāi)，產(chǎn)生自由基，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對(duì)二氧化硅、鋁、氧化鉻等材料都...

浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí)，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒(méi)工藝中；光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必...

光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)...

在一些反應(yīng)中，三氟乙酸作為母液需要回收，其重要目的是為了出去其中的水分，但由于三氟乙酸易與水形成共沸物，因此不能采用蒸餾的方法進(jìn)行分離。參照三氟乙酸純化工藝，將三氟乙酸母液制成鈉鹽，然后再用濃硫酸酸化，蒸出三氟乙酸。在中和反應(yīng)中，放熱較小，但由于反應(yīng)會(huì)產(chǎn)生大量...

干式無(wú)油真空泵(如耐化學(xué)腐蝕隔膜泵或干式渦旋泵)比較適合處理三氟乙酸（TFA）。由于TFA的揮發(fā)性，甚至幾毫巴足以有效蒸發(fā)。因此，不需要深度真空，例如由油潤(rùn)滑旋轉(zhuǎn)葉片泵產(chǎn)生的真空，這可能使冷阱中溶劑蒸汽的收集更加復(fù)雜。選擇冷阱時(shí)，以下特性是**重要的：它的內(nèi)壁...

三氟乙酸是一種強(qiáng)酸，其酸性比硫酸和鹽酸還要強(qiáng)。它可以與堿反應(yīng)生成相應(yīng)的三氟乙酸鹽。由于其強(qiáng)酸性，三氟乙酸在有機(jī)合成中被廣泛應(yīng)用。它可以作為催化劑，促進(jìn)酯化、?；王０坊确磻?yīng)的進(jìn)行。此外，三氟乙酸還可以作為溶劑，在有機(jī)合成中起到溶解和催化的作用。其次，三氟乙酸...

有一種三氟乙酸酐的合成方法，先在反應(yīng)釜分散五氧化二磷并降溫，再快速加入三氟乙酸，回流反應(yīng)后開(kāi)始常壓蒸餾，之后適時(shí)滴加入高沸點(diǎn)酸，使反應(yīng)體系溶解澄清，同時(shí)保持常壓蒸餾，直至三氟乙酸酐被完全蒸餾出來(lái)。本方法能克服三氟乙酸反應(yīng)不完全、三氟乙酸酐蒸餾不完全的技術(shù)問(wèn)題，...

在一些反應(yīng)中，三氟乙酸作為母液需要回收，其重要目的是為了出去其中的水分，但由于三氟乙酸易與水形成共沸物，因此不能采用蒸餾的方法進(jìn)行分離。參照三氟乙酸純化工藝，將三氟乙酸母液制成鈉鹽，然后再用濃硫酸酸化，蒸出三氟乙酸。在中和反應(yīng)中，放熱較小，但由于反應(yīng)會(huì)產(chǎn)生大量...

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開(kāi)始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開(kāi)始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長(zhǎng)更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨...

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度。同時(shí)，國(guó)內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，國(guó)內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國(guó)光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)...

根據(jù)2019年數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額。其中日本占有四家，分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料，這四家的市場(chǎng)份額達(dá)到72%，市場(chǎng)集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域，日本廠商在市場(chǎng)中具有較強(qiáng)話語(yǔ)權(quán)。（1）g...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機(jī)配體...

中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增速超過(guò)全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小，光刻工藝對(duì)光刻膠要求越來(lái)越高，需求量也越來(lái)越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)5年年均增速約8%-10%；中國(guó)半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機(jī)配體...

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái)，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的...

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來(lái)光刻領(lǐng)域的進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無(wú)法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推...

浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí)，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒(méi)工藝中；光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必...

光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)...

中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增速超過(guò)全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小，光刻工藝對(duì)光刻膠要求越來(lái)越高，需求量也越來(lái)越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)5年年均增速約8%-10%；中國(guó)半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)...

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì)。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被...

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度。同時(shí)，國(guó)內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，國(guó)內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國(guó)光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)...

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹(shù)脂、光敏劑等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試等設(shè)備供應(yīng)商。從原材料市場(chǎng)來(lái)看，由于中國(guó)從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少，中國(guó)光刻膠原材料市場(chǎng)主要被日本、韓國(guó)和美國(guó)廠商所占據(jù)。從設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看，中國(guó)在光刻機(jī)、顯影機(jī)、...

從90年代后半期開(kāi)始，光刻光源就開(kāi)始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開(kāi)始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源...

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái)，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類(lèi)——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來(lái)說(shuō)，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬(wàn)以上，因此溶解性甚低，無(wú)論在光刻膠的配制還是顯影過(guò)程中都有很大困難。因此無(wú)法直接采用橡...

浸沒(méi)光刻：在與浸沒(méi)光刻相對(duì)的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒(méi)光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射，波長(zhǎng)變...

按顯示效果分類(lèi)；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。 按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類(lèi)；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和...

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類(lèi)光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì)，自 2011年至今，光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率...

X射線對(duì)物質(zhì)的化學(xué)作用類(lèi)似電子束，X射線曝光時(shí)，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng)，它的能量是消耗的光電子放射過(guò)程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵(lì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或...

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴(lài)，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝，對(duì)制造出更先進(jìn)，晶體管...