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氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會降低熱循環(huán)能力。對于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會在熱循環(huán)期間對鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長，設(shè)計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！“2025年中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會：粉末冶金及硬質(zhì)合金...

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因為其尺寸小、精度高、內(nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)...

碳化硅外延需經(jīng)過光刻、沉積、離子注入等前段工藝形成碳化硅晶圓，再經(jīng)過減薄、封裝等后段工藝分別形成碳化硅芯片、功率器件及功率模塊。在制程上，SiC芯片與硅基器件的工藝類似，但SiC制備需要特殊設(shè)備，如高溫離子注入機(jī)和高溫?zé)崽幚碓O(shè)備等。刻蝕、減薄等環(huán)節(jié)也需特殊設(shè)備?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現(xiàn)從設(shè)計到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現(xiàn)批量供應(yīng)。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和20...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，是國?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間順序來看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場景的器件要求。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平...

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因為其尺寸小、精度高、內(nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”...

AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導(dǎo)率，一個是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運(yùn)用?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展...

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測。在考慮后續(xù)加工余量后，用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過全自動測試設(shè)備對面型進(jìn)行檢測。切片作為晶體加工的首要步驟，對后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時間長、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問題。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、202...

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅是通過鍵能很高的共價鍵結(jié)合的晶體。碳化硅是用石英沙(SiO2)加焦碳直接加熱至高溫還原而成，其燒結(jié)工藝主要有熱壓和反應(yīng)燒結(jié)兩種。由于碳化硅表面有一層薄氧化膜，因此很難燒結(jié)，需添加燒結(jié)助劑促進(jìn)燒結(jié)，常加的助劑有硼、碳、鋁等。碳化硅的特點是高溫強(qiáng)度高，有很好的耐磨損、耐腐蝕、抗蠕變性能，其熱傳導(dǎo)能力很強(qiáng)，僅次于氧化鈹陶瓷。碳化硅陶瓷常用于制造火箭噴嘴、澆注金屬的喉管、熱電偶套管、爐管、燃?xì)廨啓C(jī)葉片及軸承，泵的密封圈、拉絲成型模具等?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌150...

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，是國家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMICCHINA...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,0...

碳化硅外延需經(jīng)過光刻、沉積、離子注入等前段工藝形成碳化硅晶圓，再經(jīng)過減薄、封裝等后段工藝分別形成碳化硅芯片、功率器件及功率模塊。在制程上，SiC芯片與硅基器件的工藝類似，但SiC制備需要特殊設(shè)備，如高溫離子注入機(jī)和高溫?zé)崽幚碓O(shè)備等。刻蝕、減薄等環(huán)節(jié)也需特殊設(shè)備?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競爭。同時，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)企業(yè)未來將面臨國際先進(jìn)企業(yè)和國內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競爭。若競爭過早進(jìn)入白熱化，會對大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個...

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應(yīng)鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實現(xiàn)大規(guī)模商用及國產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價格跌幅達(dá)30%-40%，有助于其提升市場滲透率?！爸袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕，高壓燒結(jié)有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結(jié)，第二種為高壓氣氛燒結(jié)。1、高壓成型常壓燒結(jié)高壓成型常壓燒結(jié)中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點增加且氣孔減少，導(dǎo)致燒結(jié)前坯體的相對密度明顯增加，而陶瓷燒結(jié)活性與樣品的壓坯密度緊密相關(guān)，所以燒結(jié)溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結(jié)使燒結(jié)溫度降低了至少200℃（無壓燒結(jié)溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結(jié)高壓氣氛燒結(jié)中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅(qū)動力，并且由于成核勢壘的降低使成核速率增加，擴(kuò)散能力的降低使生長速率減小。高壓氣氛燒結(jié)被認(rèn)為是一種比較理想的得到致密細(xì)...

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件較硅基器件具有更高的工作頻率、更高的能量轉(zhuǎn)換效率、更好的散熱能力。碳化硅功率器件和功能模塊廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、電源、軌道交通等領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于電驅(qū)主逆變器、車載充電器（OBC）及DC-DC（直流—直流）轉(zhuǎn)換器。隨著新能源汽車需求增長及碳化硅功率器件的普及，其市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在光伏發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆變器，能提高能量轉(zhuǎn)換效率、降低能量損耗、增加功率密度并解決系統(tǒng)成本。隨著光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V，未來將進(jìn)一步提升至1700V乃至2000V，在更高的電壓等級下，碳化硅功率器件的優(yōu)...

注射成型過程中由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)，或者是喂料本身缺陷，以及模具設(shè)計不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結(jié)合具體過程，對常見的注射缺陷進(jìn)行分析，并加以控制，以提高生產(chǎn)率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過程中不能充滿整個模腔。一般在剛開始注射時產(chǎn)生，可能是由喂料溫度或模具溫度過低、加料量不足、喂料粘度過大等因素引起的。通過增加預(yù)塑時間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進(jìn)料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因為模具溫度太低，或者是保壓和冷卻時間過長，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體...

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)。刻蝕環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、...

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)?？涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無機(jī)非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機(jī)和金屬材料以外的其他所有材料，即無機(jī)非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學(xué)成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常?；ハ嘟咏诲e，無明顯的界限，而在應(yīng)用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個系統(tǒng)，...

五展聯(lián)動；孕育無限發(fā)展商機(jī)；IACECHINA2025將與第17屆中國國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,000人次。20...

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平...

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現(xiàn)從設(shè)計到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現(xiàn)批量供應(yīng)。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)...