常見到的是發(fā)紅光、綠光或黃光的發(fā)光二極管,翠綠色是人眼感覺較舒服的顏色,所以發(fā)翠綠光的發(fā)光二極管使用的較多,同時價格也就較便宜,比如手機上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發(fā)光二極管內(nèi)阻是不同的,這就造成了同樣電壓和電流情況下,發(fā)出的光線強度不同,比如電路...
對于PNP型三極管,分析方法類似,不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反,因此發(fā)射極上面那個箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個PN結(jié)...
下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點,然后對1,2重點進(jìn)行分析:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)...
場效應(yīng)管的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型;當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用:1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2.場...
MOS管開關(guān)電路圖:頭一種應(yīng)用,由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)V8V存在時,此時電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時,VSIN由8V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開啟,...
三極管的應(yīng)用領(lǐng)域,三極管作為一種重要的電子器件,普遍應(yīng)用于電子工業(yè)、電力系統(tǒng)、通訊系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)等領(lǐng)域。它可以被用作信號放大器、開關(guān)、振蕩器、調(diào)制器等電路中。在電子工程師的日常工作中,三極管也是非常重要的組成部分。本文介紹了三極管的定義、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。...
對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取(400~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且...
發(fā)光二極管,施加正向偏置,可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管,當(dāng)LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光(Coherent Light)時,則稱為激光二極管。光電二極管,光線射入PN結(jié),P區(qū)空穴、N區(qū)...
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具有耐...
場效應(yīng)管與晶體管的比較:(1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體...
Zener二極管:Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管,可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出,普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域??傊O管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍,不同類型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管: 基本原理是在...
二極管是否損壞如何判斷:單負(fù)導(dǎo)電性能的檢測及好壞的判斷,通常,鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右,反向電阻值為(無窮大)。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極管的單向...
二極管是否損壞如何判斷:反向擊穿電壓的檢測,二極管反向擊穿電壓(耐壓值)可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量。其方法是:測量二極管時,應(yīng)將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài),再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內(nèi),負(fù)極插入測試表的“e”插孔,然后按...
場效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時,MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通,這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件:PMOS增強型管:UG-US|UGSTH| , UGSTH是開啟電壓;NM...
MOSFET的特性和作用:MOS管導(dǎo)作用,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...
三極管的起源,1947年12月23日,巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發(fā)現(xiàn),在他們發(fā)明的器件中通過的一部分微量電流,竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流,因而產(chǎn)生了放大效應(yīng),這個器件就叫晶體管。三極管的發(fā)展沿革,在晶體管電子流出端的襯底外,沉積一層對應(yīng)材料,...
什么是三極管,三極管,不管是在模電還是數(shù)電中都是常見的電子器件,利用它的特性,在模電中通常作放大作用,而在數(shù)電中則作開關(guān)或者邏輯轉(zhuǎn)換。三極管的主要結(jié)構(gòu)是PN結(jié),可以是NPN組合,也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大,把微弱的電信號放大成一定強度的信號,...
二極管是否損壞如何判斷:反向擊穿電壓的檢測,二極管反向擊穿電壓(耐壓值)可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量。其方法是:測量二極管時,應(yīng)將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài),再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內(nèi),負(fù)極插入測試表的“e”插孔,然后按...
如果GATE相對于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了,因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,PMOS的閾值電壓是負(fù)的,所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號,一個工程師可能說,"PMOS Vt從0.6V...
二極管的分類:一、按半導(dǎo)體材料分類,二極管按其使用的材料可分為鍺(Ge)二極管、硅(Si)二極管、砷化鎵(GaAs)二極管、磷化鎵(GaP)二極管等。二、按封裝形式分類,二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...
導(dǎo)電溝道的形成:當(dāng)vGS數(shù)值較小,吸引電子的能力不強時,漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),如圖1(b)所示。vGS增加時,吸引到P襯底表面層的電子就增多,當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時,這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,且與兩個N+區(qū)相連通,在漏——源極...
場效應(yīng)晶體管:截止區(qū):當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,MOS 不導(dǎo)通??勺冸娮鑵^(qū):UDS 很小,I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū):UDS 變化,I_DID 變化很小。擊穿區(qū):UDS 達(dá)到一定值時,MOS 被擊穿,I_DID 突然增大,如果沒有限...
SOA失效的預(yù)防措施:1:確保在較差條件下,MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2:將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點設(shè)計時,一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電...
MOS管的工作原理,在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負(fù)載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。N...
印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個使用晶體檢測無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級別對微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德( Greenleaf Whittier Pickard )發(fā)明了硅晶檢波器,并在...
對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且...
變?nèi)荻O管:變?nèi)荻O管英文名稱為Varactor Diodes,又稱可變電抗二極管,是利用PN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量一般較小,其較大值為幾十pF到幾百pF,較大電容與較小電容...
三極管的應(yīng)用:放大作用,三極管較主要的功能就是放大功能。通過控制輸入信號的大小,三極管可以對電流進(jìn)行放大,從而實現(xiàn)對信號的增強。其基于小電流控制大電流的原則,通過較小的基極電流IB來控制較大的集電極電流IC。當(dāng)基極電流IB有微小的變化時,會引發(fā)集電極電流IC和...
對于PNP型三極管,分析方法類似,不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反,因此發(fā)射極上面那個箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個PN結(jié)...
MOSFET的作用如下:1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...