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如上所述，本實用新型的合封整流橋的封裝結構及電源模組，具有以下有益效果：本實用新型的合封整流橋的封裝結構及電源模組將整流橋、功率開關管、邏輯電路通過一個引線框架封裝在同一個塑封體中，以此減小封裝成本。附圖說明圖1顯示為本實用新型的合封整流橋的封裝結構的一種實現(xiàn)...

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需評估整個負載回路容易發(fā)生短路現(xiàn)象的位置，然后在該位置設置短路點，連接好相應設備，測量短路過程中熔斷器兩端電壓波形，整個負載回路的實際短路電流等參數(shù)。圖6為試驗短路前選用熔斷器照片，短路回路為A／C回路，試驗用熔斷器型號為PEC30A／450VDC...

根據(jù)以下資料，回答下題某220kV變電站位于Ⅲ級污穢區(qū)，海拔高度600m，220kV2回電源進線，2回負荷出線，每回出線各帶負荷120MVA，采用單母線分段接線，2臺電壓等級為220/110/10kV，容量為240MVA主變，負載率為65％，母線采...

共54頁目錄基礎檢驗批質(zhì)量驗收記錄表構架及遮欄檢驗批質(zhì)量驗收記錄表電力變壓器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表互感器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表高壓斷路器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表隔離開關、負荷開關及高壓熔斷器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表避雷器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表電容器、電抗器檢驗批質(zhì)量驗收記錄...

根據(jù)以下資料，回答下題某220kV變電站位于Ⅲ級污穢區(qū)，海拔高度600m，220kV2回電源進線，2回負荷出線，每回出線各帶負荷120MVA，采用單母線分段接線，2臺電壓等級為220/110/10kV，容量為240MVA主變，負載率為65％，母線采用管形鋁鎂合...

即使低輸出電壓也是如此。當使能升壓變換器，且其輸出電壓超過MAX810的復位門檻電平并經(jīng)過復位延遲后，MAX810的輸出將由高變低，使Q1導通，連通負載。同時，MAX810輸出的低電平使MAX4544的COM端與NC端（常閉端）接通，使得反饋電阻由Q1的源極切...

熔管5起絕緣、滅弧作用，外...高壓跌開式熔斷器的操作要求來源：電子元器件論壇查看：1507回復：0高壓跌開式熔斷器具有熔斷保護和隔離電源的作用，它簡單、經(jīng)濟、實用。在農(nóng)村配電線路及戶外的中小型變壓器上得到***的使用。在實踐中，通過對高壓跌開式熔斷器操作的不...

完成一組電氣設備的倒閘操作任務。（5）消弧線圈操作：1）拉、合消弧線圈的隔離開關前，必須檢查該系統(tǒng)確無接地故障，防止帶接地電流拉、合消弧線圈的隔離開關。2）消弧線圈在兩臺變壓器中性點之間切換時應先拉后合，即任何時間不得將兩臺變壓器中性點并列使用消弧...

陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個...

這主要是因為使用vce退飽和檢測時，檢測盲區(qū)(1-8微秒)相對較長，發(fā)射極電壓檢測閾值設置的相對較高，使檢測效果并不理想。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的是提供一種ipm模塊短路檢測電路，解決了現(xiàn)有ipm模塊退飽和短路檢測因檢測盲區(qū)時間長，使ipm模...

所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-3，本實用新型提供一種技術方案：一種低壓供配電變電...

所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負載及第...

經(jīng)常接觸高壓電容器的人們就會知道在理想中的可變高壓電容，當動片固定在某一位置以后，全部工作時間內(nèi)高壓電容器的該位置上電容量應當固定不變。但實際上由于外界因素的影響，其電容量存在一些變化的，其他電容也是一樣(金屬化電容、瓷片電容等)。其變化程度就是電容量穩(wěn)定性的...

***禁止用隔離開關接通或切斷回路負荷電流。（2）線路停送電操作：1）線路送電時，應從電源側進行，在檢查斷路器確在斷開位置后，按先合上母線側隔離開關，再合上線路側（負荷側）隔離開關，**后合上斷路器的順序操作。2）線路停電時，應從負荷側進行，拉開斷...

圖4為初選某品牌35A熔斷器的時間-電流特性，在圖4的基礎上，比對尖峰電流的持續(xù)時間及峰值。圖4（左）某品牌35A熔斷器時間-電流特性圖5（右）實測沖擊電流圖5為用示波器配合電流互感器測得負載的沖擊電流波形，1V對應電流值25A。黑色波形為示波器電流探頭測得波...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA...

環(huán)境溫度越高，保險絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運行會延長保險絲的壽命。5．熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是保險絲在額定電壓下能夠確實熔斷的**大許可電流。短路時，保險絲中會多次通過比正常工作電流大的瞬時過載電流。安全運行要...

便于根據(jù)線路的大小調(diào)節(jié)固定帶的長度，固定完畢后，將托板由滑塊在第三凹槽內(nèi)部滑動，滑動到孔洞位置時，對托板進行固定；3、該低壓供配電變電裝置設置有固定腿和散熱風扇，通過安裝在濾網(wǎng)蓋底部的固定腿，將固定腿塞入柜體內(nèi)壁中，卡扣通過卡扣底部的彈簧與滑動槽構成滑動結構，...

摘要：純電動汽車的驅(qū)動部分及高壓附件系統(tǒng)的電源均為動力電池電源，為保護車輛及乘員安全，相關動力電池電源回路均選用相應熔斷器作為短路保護的措施。本文主要從熔斷器壽命校核，沖擊電流對熔斷器影響，熔斷器分斷能力等方面，闡述純電動汽車直流高壓熔斷器的選型原...

晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，...

不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。（2）要準確測量GTO的...

④電壓相等（允許電壓偏差不大于10%）。2）停用并列點斷路器的重合閘連接片。3）進行解列操作時，應將解列點的有功潮流調(diào)至零，無功調(diào)至**小，應防止操作過電壓（電壓波動不大于10%）。解列后檢查各系統(tǒng)電壓、頻率是否正常。5．倒閘操作的技術要求（1）斷...

認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，形成三個PN結，分別稱：陽極，陰極和控制極。圖1晶閘管的結構晶閘管在工作過程中，它...

使電弧很快熄滅。限流式熔斷器結構限流式熔斷器熄弧能力強，能在短路電流未達到**大值之前，將電弧熄滅。可限制短路電流數(shù)值，降低對電路中電器設備的動、熱穩(wěn)定性要求。限流式熔斷器在開斷電路時，無游離氣體排出，故在戶內(nèi)配電裝置中被***采用。[2]限流式熔斷器限流式熔...

2）對于音頻信號而言，由于高頻濾波電容C1的容量很小，它對音頻信號的容抗很大，相當于開路，所以音頻信號也不能被C1旁路到地線。3）對于高頻載波信號而言，其頻率很高，C1對它的容抗很小而呈通路狀態(tài)，這樣惟有檢波電路輸出端的高頻載波信號被C1旁路到地線，起到高頻濾...

整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。...

早期原始型態(tài)的保險絲，直接以螺絲鎖定，用于各種尺寸的舊式開關、插座。車用片狀保險絲2、片狀（裸片狀）。比舊式絲狀方便使用。3、玻璃管狀。有幾種不同尺寸，常見于電子產(chǎn)品。x32mm（直徑x長度）5x20mm4、陶瓷管狀。有幾種不同形狀及尺寸，可避免玻璃爆裂。5、...

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subcha...