久久青青草视频,欧美精品v,曰韩在线,不卡一区在线观看,中文字幕亚洲区,奇米影视一区二区三区,亚洲一区二区视频

晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時(shí)，就需要將晶閘管模塊進(jìn)行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達(dá)到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當(dāng)晶閘管模塊額定電壓小于要求時(shí)，可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當(dāng)晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時(shí)的正、反向電阻小得多。當(dāng)晶閘管模塊動(dòng)態(tài)不均壓，由于器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓，這時(shí)我們要選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性...

晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時(shí)，就需要將晶閘管模塊進(jìn)行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達(dá)到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當(dāng)晶閘管模塊額定電壓小于要求時(shí)，可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當(dāng)晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時(shí)的正、反向電阻小得多。當(dāng)晶閘管模塊動(dòng)態(tài)不均壓，由于器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓，這時(shí)我們要選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性...

晶閘管模塊與二極管模塊有什么不同.在電氣行業(yè)中，晶閘管模塊和二極管模塊是很常見的器件，它們的區(qū)別的也是很大的，完全是兩種不同的器件，晶閘管模塊有單向和雙向之分，通常的晶閘管模塊，開通后不能自行關(guān)斷，需要在外加電壓下降到0甚至反向時(shí)才關(guān)斷；二極管模塊是一個(gè)單向?qū)щ娖骷?。晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅模塊；晶閘管模塊是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門極；晶閘管模塊具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。二極管模塊是電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)...

要想來探討它們二者之間的區(qū)別，就讓正高的小編帶大家去看一下吧！其實(shí)呢，首先因?yàn)樗鼈儍蓚€(gè)是兩類不同的器件，二極管是一個(gè)比較單向的導(dǎo)電的器件，晶閘管有著單向和雙向的區(qū)分，通常情況下的，開通之后，并不能做到自行關(guān)斷，需要外部添加到電壓下降到0或者是反向時(shí)才會(huì)關(guān)斷。晶閘管的簡(jiǎn)稱是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，反過來講可以稱作可控硅橫流器，也有很多的人稱為可控硅，其實(shí)是屬于PNPN的四層半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，它是有著三個(gè)極：陽(yáng)級(jí)、陰級(jí)和門級(jí)，它具有著硅整流器件的特性，可以再高電壓或者是大電流的情況下，進(jìn)行工作，工作的過程是可以被控制的、也可以是被廣泛應(yīng)用的可以用在可控整流、交流調(diào)壓以及無觸點(diǎn)的電子開關(guān)等相關(guān)的電路中。二極管...

除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長(zhǎng)，體積小等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國(guó)外更大。我國(guó)的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并...

晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。4.晶閘管承受反東臺(tái)極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài).在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)。它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏?，以低電壓控制高電壓?？煽毓杩梢杂萌f用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。檢測(cè)時(shí)，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表...

必須使陽(yáng)極電流《維持電流，對(duì)于電阻負(fù)載，只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后，加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)：1.正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2.額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3.門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部。在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。...

并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、...

三相可控硅觸發(fā)板原理三相可控硅觸發(fā)板是以高級(jí)工業(yè)級(jí)單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活，安裝簡(jiǎn)便。電源用部對(duì)變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案，定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動(dòng)態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對(duì)稱度≤°，用部對(duì)脈沖變壓器觸發(fā)，脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報(bào)警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化，運(yùn)行穩(wěn)定、工作可靠。強(qiáng)抗干擾能力，三相觸發(fā)板配件，采用獨(dú)特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運(yùn)行。通用性強(qiáng)...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓?？煽毓杩梢杂萌f用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。檢測(cè)時(shí)，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表...

晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？晶閘管模塊在長(zhǎng)期的使用情況下會(huì)產(chǎn)生高溫，這時(shí)就必須安裝散熱器，有時(shí)會(huì)因?yàn)樯崞靼惭b與使用方法的不當(dāng)，效果就有很大的差異，下面正高電器來講下晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？用簡(jiǎn)易數(shù)字萬用表附帶的點(diǎn)溫計(jì)對(duì)KK2000A晶閘管管芯陶瓷外殼的溫度進(jìn)行了測(cè)量，對(duì)比同一臺(tái)設(shè)備，同類器件，不同散熱器在相同工作條件下的溫度，以此來比較散熱器的散熱效果。具體測(cè)量的有關(guān)數(shù)據(jù)如下：工作條件中，中頻電源直流電流1800A，進(jìn)水溫度40°C。用此種方法所測(cè)的溫度雖然有一定的誤差，也不能元件的真正殼溫，但通過相對(duì)比較能明顯地說明，不同情況的散熱器散熱...

這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其余的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國(guó)產(chǎn)3CT系列。可控硅調(diào)壓器電路圖（二）在很多使用交流電源的負(fù)載中，需要完成調(diào)光、調(diào)溫等功能，要求交流電源能平穩(wěn)地調(diào)節(jié)電壓。圖205所示，是一種筒單交流調(diào)壓器，可代替普通交流調(diào)壓器，體積小、重量輕、控制方便。工作原理電源經(jīng)電阻R，和電位器W向電容C充電。當(dāng)電容上的電成送到手定值時(shí)堯通過二極管D和可控硅控制極，使可...

這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其余的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國(guó)產(chǎn)3CT系列?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（二）在很多使用交流電源的負(fù)載中，需要完成調(diào)光、調(diào)溫等功能，要求交流電源能平穩(wěn)地調(diào)節(jié)電壓。圖205所示，是一種筒單交流調(diào)壓器，可代替普通交流調(diào)壓器，體積小、重量輕、控制方便。工作原理電源經(jīng)電阻R，和電位器W向電容C充電。當(dāng)電容上的電成送到手定值時(shí)堯通過二極管D和可控硅控制極，使可...

正高講：雙向可控硅模塊的工作象限，可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件，它的工作能力以及優(yōu)勢(shì)是有目共睹的，那么您知道雙向可控硅模塊公國(guó)在哪幾象限嗎？下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個(gè)工作象限，在實(shí)際工作時(shí)只有兩個(gè)象限組合成一個(gè)完整的工作周期。組合如下：Ⅰ-Ⅲ、Ⅱ-Ⅲ、Ⅰ-Ⅳ，沒有Ⅰ-Ⅱ、Ⅱ-Ⅳ、Ⅲ-Ⅳ組合同時(shí)根據(jù)G-T1和T2-T1的極性來判別工作象限。一般門極外接的電路是（1）RC+DB3此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限；（2）光電耦合器，此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限，特點(diǎn)：觸發(fā)信號(hào)的極性隨著主回路的交流電過零在變化。且極外接的是多腳集成塊（或再串小信號(hào)管），此時(shí)雙向可控...

要想來探討它們二者之間的區(qū)別，就讓正高的小編帶大家去看一下吧！其實(shí)呢，首先因?yàn)樗鼈儍蓚€(gè)是兩類不同的器件，二極管是一個(gè)比較單向的導(dǎo)電的器件，晶閘管有著單向和雙向的區(qū)分，通常情況下的，開通之后，并不能做到自行關(guān)斷，需要外部添加到電壓下降到0或者是反向時(shí)才會(huì)關(guān)斷。晶閘管的簡(jiǎn)稱是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，反過來講可以稱作可控硅橫流器，也有很多的人稱為可控硅，其實(shí)是屬于PNPN的四層半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，它是有著三個(gè)極：陽(yáng)級(jí)、陰級(jí)和門級(jí)，它具有著硅整流器件的特性，可以再高電壓或者是大電流的情況下，進(jìn)行工作，工作的過程是可以被控制的、也可以是被廣泛應(yīng)用的可以用在可控整流、交流調(diào)壓以及無觸點(diǎn)的電子開關(guān)等相關(guān)的電路中。二極管...

可控硅的參數(shù)有：1、額定通態(tài)均勻電流IT正在必然條件下，陽(yáng)極---陰極間能夠持續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。2、正向阻斷峰值電壓VPF正在控造極開路未加觸發(fā)，陽(yáng)極正向電壓還未超越導(dǎo)能電壓時(shí)，能夠反復(fù)加正在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅接受的正向電壓峰值，不克不及超越手冊(cè)給出的那個(gè)參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷形態(tài)時(shí)，能夠反復(fù)加正在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不克不及超越手冊(cè)給出的那個(gè)參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT正在劃定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有必然電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷形態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通形態(tài)所需要的小控造極電流和電壓。水管以回轉(zhuǎn)方式固定敷設(shè)在金...

使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率，若電壓上升率過大，超過了可控硅的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于可控硅的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榭煽毓杩梢钥醋魇怯扇齻€(gè)PN結(jié)組成。在可控硅處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)可控硅陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果可控硅在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，可控硅誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。對(duì)加到可控硅上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制...

我國(guó)的晶閘管中頻電源的共同特點(diǎn)是全集成化控制線路數(shù)字化程度高于90%、啟動(dòng)成功率幾乎達(dá)到、除具有常規(guī)的水壓不足、快熔熔斷、過流、過壓等保護(hù)功能外，還具有限流、限壓等保護(hù)功能、功能較齊全的晶閘管電源還配置逆變失敗、水溫監(jiān)視等可選功能，其頻率較高可以作到8kHz，額定功率可以作到1000kW左右，如果在裝配工藝上再進(jìn)一步改進(jìn)的話，可以接近世界先進(jìn)水平。所以，希望各大公司在選擇晶閘管的時(shí)候，不要只只考慮到晶閘管的單次成本?？赡艽文I晶閘管時(shí)，有的公司報(bào)價(jià)很低。但是三五天就燒壞了。這樣您幾天就換一只管子，對(duì)您公司來說是造成更嚴(yán)重的利益損失。還不如一次選擇好的，選擇質(zhì)量?jī)?yōu)勝的產(chǎn)品。這樣晶閘管使用壽命長(zhǎng)，...

隨著科技與社會(huì)的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來越被大眾所認(rèn)知，因?yàn)樗跈C(jī)器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對(duì)于剛接觸它的來講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點(diǎn)困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.要先保證com端必須為正，各個(gè)功能端相對(duì)，如果com的功能端相對(duì)是負(fù)極，則會(huì)出現(xiàn)調(diào)壓的輸出端出現(xiàn)失控的的情況。2.智能晶閘管調(diào)壓模塊它的正極性就是各個(gè)功能端的控制，意思就是控制電壓越高，它的強(qiáng)電輸出電路就越高。3.晶閘管模塊屬于受信號(hào)所控制的，他是在某一個(gè)時(shí)刻使用的一種輸入控制方式，當(dāng)2種方式同...

三相可控硅觸發(fā)板是以高級(jí)工業(yè)級(jí)單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活,安裝簡(jiǎn)便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動(dòng)態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對(duì)稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報(bào)警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化，運(yùn)行穩(wěn)定、工作可靠。強(qiáng)抗干擾能力，采用獨(dú)特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運(yùn)行。通用性強(qiáng)，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)...

螺栓式和平板式的晶閘管模塊哪個(gè)更好？可控硅模塊在端電力元器件中是非常常見的設(shè)備，功能也非常強(qiáng)大，類型有很多，從外形分類有凸型、凹型、半厚型和螺栓型，還有平板型。那么您知道螺栓式和平板式的可控硅模塊哪個(gè)更好？下面可控硅生產(chǎn)廠家正高來帶您了解一下。螺栓晶閘管是市場(chǎng)上較早出現(xiàn)的一種整流晶閘管模塊,它是90年代非常受歡迎的晶閘管模塊之一。隨著市場(chǎng)的不斷發(fā)展與更新，平板式晶閘管逐漸取代螺栓式晶閘管，無論是在價(jià)格、過電流還是安裝維護(hù)上，平板式晶閘管都比螺栓晶閘管更有優(yōu)勢(shì)..平板式晶閘管模塊采用沖氮壓接的生產(chǎn)工業(yè);產(chǎn)品的壓降小，過流能力強(qiáng)，一致的觸發(fā)特性，電壓特性一致，封裝密封性強(qiáng)，更耐用，壽命更長(zhǎng)；平板式...

設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面，若可控硅開通時(shí)電流上升率di/dt過大，會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大，由于晶...

設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面，若可控硅開通時(shí)電流上升率di/dt過大，會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大，由于晶...

根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元、器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成VLSI電路和特大規(guī)模集成ULSI)電路。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān)。在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類...

Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的較小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓...

雙向可控硅MAC97A6的電路應(yīng)用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管），多應(yīng)用于電風(fēng)扇速度控制或電燈的亮度控制，市場(chǎng)上流行的“電腦風(fēng)扇”或“電子程控風(fēng)扇”，不外乎是用集成電路控制器與老式風(fēng)扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇，很適宜無線電愛好者制作與改裝。這種新型IC的主要特點(diǎn)是：（1）集開關(guān)、定時(shí)、調(diào)速、模擬自然風(fēng)為一體，外面圍元件少、電路簡(jiǎn)單、易于制作；（2）省掉了體積較大的機(jī)械定時(shí)器和調(diào)速器，采用輕觸式開關(guān)和電腦控制脈沖觸發(fā)，因而無機(jī)械磨損，使用壽命長(zhǎng)。（3）各種動(dòng)作電腦程序具備相應(yīng)的發(fā)光...

當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、B...

儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以這種過電壓，但由于變壓器過載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。過電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅，而是保護(hù)變壓器線圈。電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件。為了解決均流問題，過去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好，一只一只進(jìn)行對(duì)比，擰螺絲松緊，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號(hào)，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配，很間單。每一只元件上都刻有字，以便下更換時(shí)參考。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到。淄博...

可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過電流保護(hù)的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護(hù)措施有哪些？下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋砜聪??？煽毓枘K產(chǎn)生出的過電流的原因有很多種，當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負(fù)載過載等原因，都會(huì)引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過電流保護(hù)可控硅模塊的措施。接下來可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護(hù)管理措施：1、交流進(jìn)線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗...