即使源電阻大幅降低至1MW，對(duì)一個(gè)1mV的信號(hào)的測(cè)量也接近了理論極限，因此要使用一個(gè)普通的數(shù)字多用表（DMM）進(jìn)行測(cè)量將變得十分困難。除了電壓或電流靈敏度不夠高之外，許多DMM在測(cè)量電壓時(shí)的輸入偏移電流很高，而相對(duì)于那些納米技術(shù)[3]常常需要的、靈敏度更高的低電平DC測(cè)量?jī)x器而言，DMM的輸入電阻又過(guò)低。這些特點(diǎn)增加了測(cè)量的噪聲，給電路帶來(lái)不必要的干擾，從而造成測(cè)量的誤差。系統(tǒng)搭建完畢后，必須對(duì)其性能進(jìn)行校驗(yàn)，而且消除潛在的誤差源。誤差的來(lái)源可以包括電纜、連接線、探針[5]、沾污和熱量。下面的章節(jié)中將對(duì)降低這些誤差的一些途徑進(jìn)行探討。納米力學(xué)測(cè)試可以應(yīng)用于納米材料的質(zhì)量控制和品質(zhì)檢測(cè)，確保產(chǎn)品符合規(guī)定的力學(xué)性能要求。福建半導(dǎo)體納米力學(xué)測(cè)試廠家

原位納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)(nanoindentation，instrumented-indentation testing，depth-sensing indentation，continuous-recording indentation，ultra low load indentation)是一類先進(jìn)的材料表面力學(xué)性能測(cè)試儀器。該類儀器裝有高分辨率的致動(dòng)器和傳感器，可以控制和監(jiān)測(cè)壓頭在材料中的壓入和退出，能提供高分辨率連續(xù)載荷和位移的測(cè)量。包括壓痕硬度和劃痕硬度兩種工作模式，主要應(yīng)用于測(cè)試各種薄膜（包括厚度小于100納米的超薄膜、多層復(fù)合膜、抗磨損膜、潤(rùn)滑膜、高分子聚合物膜、生物膜等）、多相復(fù)合材料的基體本構(gòu)和界面、金屬陣列復(fù)合材料、類金剛石碳涂層（DLC）、半導(dǎo)體材料、MEMS、生物醫(yī)學(xué)樣品（包括骨、牙齒、血管等）和生物材料、等在nano水平上的力學(xué)特性，還可以進(jìn)行納米機(jī)械加工。通過(guò)探針壓痕或劃痕來(lái)獲得材料微區(qū)的硬度、彈性模量、摩擦系數(shù)、磨損率、斷裂剛度、失效、蠕變、應(yīng)力釋放、分層、粘附力（結(jié)合力）、存儲(chǔ)模量、損失模量等力學(xué)數(shù)據(jù)。福建金屬納米力學(xué)測(cè)試廠家直銷納米力學(xué)測(cè)試技術(shù)的發(fā)展離不開(kāi)多學(xué)科交叉融合和創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)的共同努力。

對(duì)納米材料和納米器件的研究和發(fā)展來(lái)說(shuō)，表征和檢測(cè)起著至關(guān)重要的作用。由于人們對(duì)納米材料和器件的許多基本特征、結(jié)構(gòu)和相互作用了解得還不很充分，使其在設(shè)計(jì)和制造中存在許多的盲目性，現(xiàn)有的測(cè)量表征技術(shù)就存在著許多問(wèn)題。此外，由于納米材料和器件的特征長(zhǎng)度很小，測(cè)量時(shí)產(chǎn)生很大擾動(dòng)，以至產(chǎn)生的信息并不能完全表示其本身特性。這些都是限制納米測(cè)量技術(shù)通用化和應(yīng)用化的瓶頸，因此，納米尺度下的測(cè)量無(wú)論是在理論上，還是在技術(shù)和設(shè)備上都需要深入研究和發(fā)展。

特點(diǎn)：能同時(shí)實(shí)現(xiàn)SEM/FIB高分辨成像和納米力學(xué)性能測(cè)試，力學(xué)測(cè)量范圍0.5nN-200mN(9個(gè)數(shù)量級(jí))，位移測(cè)量范圍0.05nm-21mm(9個(gè)數(shù)量級(jí))，五軸(X,Y,Z,旋轉(zhuǎn),傾斜)閉環(huán)控制保證樣品和微力傳感探針的精確對(duì)準(zhǔn)，能在SEM/FIB較佳工作距離下實(shí)現(xiàn)高分辨成像(可達(dá)4mm)以及FIB切割和沉積，五軸(X,Y,Z,旋轉(zhuǎn),傾斜)位移記錄器實(shí)現(xiàn)樣品臺(tái)上多樣品的自動(dòng)測(cè)試和掃描，導(dǎo)電的微力傳感探針可有效減少荷電效應(yīng)，能夠通過(guò)力和位移兩種控制模式實(shí)現(xiàn)各種力學(xué)測(cè)試,例如拉伸、壓縮、彎曲、剪切、循環(huán)和斷裂測(cè)試等，電性能測(cè)試模塊能夠?qū)崿F(xiàn)力學(xué)和電學(xué)性能同步測(cè)試(樣品座配備6個(gè)電極)導(dǎo)電的微力傳感探針可有效減少荷電效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)力學(xué)性能測(cè)試與其他SEM/FIB原位分析手段聯(lián)用,如EDX、EBSD、離子束沉積和切割，兼容于SEM本身的樣品臺(tái),安裝和卸載快捷方便。在納米力學(xué)測(cè)試中，常用的測(cè)試方法包括納米壓痕測(cè)試、納米拉伸測(cè)試和納米彎曲測(cè)試等。

原位納米片取樣和力學(xué)測(cè)試技術(shù)，原位納米片取樣和力學(xué)測(cè)試技術(shù)是一種新興的納米尺度力學(xué)測(cè)試方法，其基本原理是利用優(yōu)化的離子束打造方法，在含有待測(cè)塑料表面的納米區(qū)域內(nèi)制備出超薄的平面固體材料，再對(duì)其進(jìn)行拉伸、扭曲等力學(xué)測(cè)試。相比于傳統(tǒng)的拉伸試驗(yàn)等方法，原位納米片取樣技術(shù)具有更優(yōu)的尺寸控制和納米量級(jí)精度，可以為納米尺度力學(xué)測(cè)試提供更加準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)?？傊?，原位納米力學(xué)測(cè)量技術(shù)的研究及應(yīng)用是未來(lái)納米材料科學(xué)發(fā)展的重要方向之一，將為納米材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)以及工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)。在進(jìn)行納米力學(xué)測(cè)試時(shí)，需要特別注意樣品的制備和處理過(guò)程，以避免引入誤差。海南半導(dǎo)體納米力學(xué)測(cè)試廠商

納米力學(xué)測(cè)試可以解決納米材料在高溫、低溫和高壓等極端環(huán)境下的力學(xué)問(wèn)題，提高納米材料的穩(wěn)定性和可靠性。福建半導(dǎo)體納米力學(xué)測(cè)試廠家

銀微納米材料，微納米材料的性能受到其形貌的影響,不同維度類型的銀微納米材料有著不同的應(yīng)用范圍。零維的銀納米材料包括銀原子和粒徑小于15nm 的銀納米粉，主要提高催化性能、 抗細(xì)菌及光性能:一維的銀納米線由化學(xué)還原法制備，主要用于透明納米銀線薄膜制備的柔性電子器件;二維的銀微納米片可用球磨法、光誘導(dǎo)法、模板法等方法制備，其在導(dǎo)電漿料及電子元器件等方面有普遍的應(yīng)用:三維的銀微納米材料包括球形和異形銀粉，球形銀粉主要用于導(dǎo)電漿料填充物，異形銀粉主要應(yīng)用催化、光學(xué)等方面。改善制備方法，實(shí)現(xiàn)微納米材雨的形貌授制，提升產(chǎn)物穩(wěn)定性，是銀納米材料研究的發(fā)展方向。預(yù)覽與源文檔一致,下載高清無(wú)水印微納米技術(shù)是一門(mén)擁有廣闊應(yīng)用前景的高新技術(shù)，不只在材料科學(xué)領(lǐng)域，微納米材料有著普遍的應(yīng)用，在日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中，微納米材料的應(yīng)用實(shí)例不勝枚舉。福建半導(dǎo)體納米力學(xué)測(cè)試廠家