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溫州進(jìn)口霍爾傳感器哪家好

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-09-03

    由霍爾效應(yīng)的原理知,霍爾電勢(shì)的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān);IC為霍爾元件的偏置電流;B為磁場(chǎng)強(qiáng)度;d為半導(dǎo)體材料的厚度。對(duì)于一個(gè)給定的霍爾器件,Vh將完全取決于被測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度B。由霍爾效應(yīng)的原理知,霍爾電勢(shì)的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān);IC為霍爾元件的偏置電流;B為磁場(chǎng)強(qiáng)度;d為半導(dǎo)體材料的厚度。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。對(duì)于一個(gè)給定的霍爾器件,Vh將完全取決于被測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度B。一個(gè)霍爾元件一般有四個(gè)引出端子,其中兩根是霍爾元件的偏置電流IC的輸入端,另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構(gòu)成外回路,就會(huì)產(chǎn)生霍爾電流。一般地說,偏置電流的設(shè)定通常由外部的基準(zhǔn)電壓源給出;若精度要求高,則基準(zhǔn)電壓源均用恒流源取代。為了達(dá)到高的靈敏度,有的霍爾元件的傳感面上裝有高導(dǎo)磁系數(shù)的坡莫合金;這類傳感器的霍爾電勢(shì)較大,但在,適用在低量限、小量程下使用。利用集成霍爾傳感器組成過流檢測(cè)保護(hù)電路近年來,由于半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,出現(xiàn)了各種類型的新型集成霍爾元件?;魻杺鞲衅鲝S家選擇世華高!溫州進(jìn)口霍爾傳感器哪家好

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    其***是不與被測(cè)電路發(fā)生電接觸,不影響被測(cè)電路,不消耗被測(cè)電源的功率,特別適合于高電壓、大電流傳感?;魻栯娏鱾鞲衅鞴ぷ髟砣鐖D6所示,標(biāo)準(zhǔn)圓環(huán)鐵芯有一個(gè)缺口,將霍爾傳感器插入缺口中,圓環(huán)上繞有線圈,當(dāng)電流通過線圈時(shí)產(chǎn)生磁場(chǎng),則霍爾傳感器有信號(hào)輸出。2、位移測(cè)量如圖7所示,兩塊永久磁鐵同極性相對(duì)放置,將線性型霍爾傳感器置于中間。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其磁感應(yīng)強(qiáng)度為零,這個(gè)點(diǎn)可作為位移的零點(diǎn),當(dāng)霍爾傳感器在Z軸上作△Z位移時(shí),傳感器有一個(gè)電壓輸出,電壓大小與位移大小成正比。如果把拉力、壓力等參數(shù)變成位移,便可測(cè)出拉力及壓力的大小,如圖8所示,是按這一原理制成的力傳感器。(二)開關(guān)型霍爾傳感器主要用于測(cè)轉(zhuǎn)數(shù)、轉(zhuǎn)速、風(fēng)速、流速、接近開關(guān)、關(guān)門告知器、報(bào)警器、自動(dòng)控制電路等。1、測(cè)轉(zhuǎn)速或轉(zhuǎn)數(shù)如圖9所示,在非磁性材料的圓盤邊上粘一塊磁鋼,霍爾傳感器放在靠近圓盤邊緣處,圓盤旋轉(zhuǎn)一周,霍爾傳感器就輸出一個(gè)脈沖,從而可測(cè)出轉(zhuǎn)數(shù)(計(jì)數(shù)器),若接入頻率計(jì),便可測(cè)出轉(zhuǎn)速。徐州霍爾霍爾傳感器傳感器世華高霍爾傳感器性能穩(wěn)定,技術(shù)成熟。

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    在該程序中,需要完成當(dāng)前行駛里程數(shù)和總額的累加操作,并將結(jié)果存入里程和總額寄存器中?;魻栯娏鱾鞲衅髟谧冾l器中的應(yīng)用在有電流流過的導(dǎo)線周圍會(huì)感生出磁場(chǎng),再用霍爾器件檢測(cè)由電流感生的磁場(chǎng),即可測(cè)出產(chǎn)生這個(gè)磁場(chǎng)的電流的量值。由此就可以構(gòu)成霍爾電流、電壓傳感器。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。因?yàn)榛魻柶骷妮敵鲭妷号c加在它上面的磁感應(yīng)強(qiáng)度以及流過其中的工作電流的乘積成比例,是一個(gè)具有乘法器功能的器件,并且可與各種邏輯電路直接接口,還可以直接驅(qū)動(dòng)各種性質(zhì)的負(fù)載。因?yàn)榛魻柶骷膽?yīng)用原理簡(jiǎn)單,信號(hào)處理方便,器件本身又具有一系列的獨(dú)特***,所以在變頻器中也發(fā)揮了非常重要的作用。在變頻器中,霍爾電流傳感器的主要作用是保護(hù)昂貴的大功率晶體管。由于霍爾電流傳感器的響應(yīng)時(shí)間短于1μs,因此,出現(xiàn)過載短路時(shí),在晶體管未達(dá)到極限溫度之前即可切斷電源,使晶體管得到可靠的保護(hù)?;魻栯娏鱾鞲衅靼雌涔ぷ髂J娇煞譃橹苯訙y(cè)量式和零磁通式,在變頻器中由于需要的控制及計(jì)算,因此選用了零磁通方式。

    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。它能更容易計(jì)數(shù)及時(shí)間控制。雖然VR傳感器是基于很成熟的技術(shù),但它仍然有一些較大的缺點(diǎn)。是價(jià)格,線圈及磁鐵相對(duì)說是便宜的,可惜的是需要附加的信號(hào)處理電路,價(jià)格就高了。另外,取決于VR傳感器的信號(hào)的大小是正比于靶的速度,這使得設(shè)計(jì)電路適應(yīng)很低速度的信號(hào)很困難。一個(gè)給定的VR傳感器有一個(gè)明確的限制,即靶的運(yùn)動(dòng)慢到什么程度仍可以產(chǎn)生一個(gè)有用的信號(hào)。在高溫應(yīng)用領(lǐng)域中,VR傳感器優(yōu)于霍爾效應(yīng)傳感器,因?yàn)楣ぷ鳒囟仁艿狡骷兴玫牟牧系奶匦缘南拗疲眠m當(dāng)結(jié)構(gòu)的VR傳感器能使它工作溫度超過300℃。一個(gè)應(yīng)用例子是在噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)中檢測(cè)渦輪的轉(zhuǎn)速?;魻栃?yīng)傳感器在霍爾效應(yīng)速度傳感器中(見圖2),當(dāng)測(cè)速的靶轉(zhuǎn)到霍爾效應(yīng)傳感器的位置,即霍爾傳感器位于靶及磁鐵之間,霍爾效應(yīng)傳感器檢測(cè)到靶感應(yīng)的磁通量變化。不象可變磁阻傳感器(VR),霍爾效應(yīng)傳感器感測(cè)的是磁通量的大小,而VR感測(cè)的是磁通量的變化率。圖2:在霍爾效應(yīng)速度傳感器中,信號(hào)處理電路集成在傳感器中,直接輸出數(shù)字信號(hào)?;魻杺鞲衅髡l(shuí)做的好,世華高!

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    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直于薄片,如圖所示。當(dāng)有電流I流過薄片時(shí),在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)EH,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng),該電動(dòng)勢(shì)稱為霍爾電勢(shì),上述半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。原理簡(jiǎn)述如下:激勵(lì)電流I從a、b端流入,磁場(chǎng)B由正上方作用于薄片,這時(shí)電子e的運(yùn)動(dòng)方向與電流方向相反,將受到洛侖茲力FL的作用,向內(nèi)側(cè)偏移,該側(cè)形成電子的堆積,從而在薄片的c、d方向產(chǎn)生電場(chǎng)E。電子積累得越多,F(xiàn)E也越大,在半導(dǎo)體薄片c、d方向的端面之間建立的電動(dòng)勢(shì)EH就是霍爾電勢(shì)。由實(shí)驗(yàn)可知,流入激勵(lì)電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場(chǎng)強(qiáng)度B越強(qiáng),霍爾電勢(shì)也就越高。磁場(chǎng)方向相反,霍爾電勢(shì)的方向也隨之改變,因此霍爾傳感器能用于測(cè)量靜態(tài)磁場(chǎng)或交變磁場(chǎng)?;魻杺鞲衅骶哂畜w積小、功能多、壽命長(zhǎng)、精度高、響應(yīng)速度快-世華高。北京車規(guī)霍爾傳感器收費(fèi)

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    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其靈敏度高,約為5—10mv/100mt.溫度誤差可忽略不計(jì),且材料性能好,可以做的體積較小。在被測(cè)磁場(chǎng)精度較低.體積要求不高.如精度低于±0.5%時(shí),好選用硅和鍺雹爾元件。2、電流測(cè)量。大部分霍爾元件可以用于電流測(cè)量,要求精度較高時(shí).選用砷化鎵霍爾元件,精度不高時(shí),可選用砷化鎵、硅、鍺等霍爾元件。3、轉(zhuǎn)速和脈沖測(cè)量。測(cè)量轉(zhuǎn)速和脈沖時(shí),通常是選用集成霍爾開關(guān)和銻化銦霍爾元件。如在錄像機(jī)和攝像機(jī)中采用了銻銦霍爾元件替代電機(jī)的電刷.提高了使用壽命。4、信號(hào)的運(yùn)算和測(cè)量。通常利用霍爾電勢(shì)與控制電流、被測(cè)磁場(chǎng)成正比,并與被測(cè)磁場(chǎng)同霍爾元件表面的夾角成正弦關(guān)系的特性,制造函數(shù)發(fā)生器。利用霍爾元件輸出與控制電流和被測(cè)磁場(chǎng)乘積成正比的特性。制造功率表、電度表等。5、拉力和壓力測(cè)量。選用霍爾件制成的傳感器較其它材料制成的陣感器靈敏度和線性度更佳。溫州進(jìn)口霍爾傳感器哪家好