這很容易從圖2所示的輸出電壓與溫度特性之間的關(guān)系中看出。請(qǐng)注意，它表示了兩個(gè)可能的溫度特性。未補(bǔ)償?shù)膸чg隙基準(zhǔn)電壓源為拋物線，最小值在溫度極值處，比較大值在中間。帶間隙基準(zhǔn)電壓源（如LT1019)表現(xiàn)為“S形曲線的比較大斜率接近溫度范圍的中心。在后一種情況下，非線性增加，從而降低了溫度范圍內(nèi)的整體不確定性。溫度漂移規(guī)格的比較好用途是計(jì)算指定溫度范圍內(nèi)的比較大總誤差。一般不建議計(jì)算未指定溫度范圍內(nèi)的誤差，除非對(duì)溫度漂移特性有很好的了解?；鶞?zhǔn)源芯片的市場前景怎么樣呢？吉林ADR45基準(zhǔn)源芯片型號(hào)

分流基準(zhǔn)電壓源的優(yōu)點(diǎn)包括：設(shè)計(jì)簡單，包裝小，在寬電流和負(fù)載條件下穩(wěn)定性好。此外，它很容易設(shè)計(jì)為負(fù)基準(zhǔn)電壓源，可以與非常高的電源電壓（因?yàn)橥獠侩娮璺謸?dān)大部分電位）或非常低的電源電壓 （因?yàn)檩敵鲋荒艿陀趲缀练碾娫措妷海?。ADI公司提供的分流產(chǎn)品包括 LT1004、LT1009、LT1389、LT1634、LM399 和 LTZ1000.典型的分流電路如圖 3 所示。串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源為三 (或更多)端器件。更像是低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器，所以它的許多優(yōu)點(diǎn)都是一樣的。**值得注意的是，它在較寬的電源電壓范圍內(nèi)消耗相對(duì)固定的電源電流，需要時(shí)才能傳輸負(fù)載電流。這使得它成為電源電壓或負(fù)載電流變化較大的電路的理想選擇。由于基準(zhǔn)電壓源和電源之間沒有串聯(lián)電阻，因此在負(fù)載電流非常大的電路中尤為有用。陜西工業(yè)自動(dòng)化基準(zhǔn)源芯片現(xiàn)貨基準(zhǔn)源芯片的發(fā)展前景怎么樣呢？

熱遲滯的這一規(guī)格經(jīng)常被忽視，但它也可能成為主要的誤差來源。它本質(zhì)上是機(jī)械的，是熱循環(huán)導(dǎo)致芯片應(yīng)力變化的結(jié)果。經(jīng)過大溫度循環(huán)后，可以在給定溫度下觀察到延遲，表現(xiàn)為輸出電壓的變化。它與溫度系數(shù)和時(shí)間漂移無關(guān)，降低了初始電壓校準(zhǔn)的有效性。在隨后的溫度循環(huán)中，大多數(shù)基準(zhǔn)電壓源傾向于在標(biāo)稱輸出電壓附近發(fā)生變化，因此熱滯通常限于可預(yù)測的最大值。每個(gè)制造商都有自己的方法來指定這個(gè)參數(shù)，所以典型的值可能會(huì)被誤導(dǎo)。

4.溫度補(bǔ)償性齊納二極管體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單便于集成;但存在噪聲大、負(fù)荷能力弱、穩(wěn)定性差以及基準(zhǔn)電壓較高、可調(diào)性較差等缺點(diǎn)。這種基準(zhǔn)電壓源不適用于便攜式和電池供電的場合。5.帶隙基準(zhǔn)源（采用CMOS，TTL等技術(shù)實(shí)現(xiàn)）運(yùn)用半導(dǎo)體集成電路技術(shù)制成的基準(zhǔn)電壓源種類較多，如深埋層穩(wěn)壓管集成基準(zhǔn)源、雙極型晶體管集成帶隙基準(zhǔn)源、CMOS集成帶隙基準(zhǔn)源等?！皫痘鶞?zhǔn)源”是七十年代初出現(xiàn)的一種新型器件，它的問世使基準(zhǔn)器件的指標(biāo)得到了新的飛躍。由于帶隙基準(zhǔn)源具有高精度、低噪聲、優(yōu)點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用于電壓調(diào)整器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(A/D,D/A)、集成傳感器、大器等，以及單獨(dú)作為精密的電壓基準(zhǔn)件，低溫漂等許多微功耗運(yùn)算放。外部基準(zhǔn)將施加的電壓（或電流）用作轉(zhuǎn)換器的基準(zhǔn)信號(hào)。

初始精度在給定溫度(通常是25°C)下測輸出電壓的變化。雖然不同設(shè)備的初始輸出電壓可能不同，但很容易校準(zhǔn)給定設(shè)備。溫度漂移該規(guī)格是基準(zhǔn)電壓源性能評(píng)估中使用*****的規(guī)格，因?yàn)樗砻鬏敵鲭妷弘S溫度而變化。溫度漂移是由電路元件的缺陷和非線性引起的，因此通常是非線性的。溫度漂移TC(以ppm/°C為單位)是主要誤差源。對(duì)于一致漂移的設(shè)備，校準(zhǔn)是可行的。對(duì)溫度漂移的一個(gè)常見誤解是，它是線性的。這導(dǎo)致了設(shè)備在較小溫度范圍內(nèi)漂移較少等觀點(diǎn)，但事實(shí)往往相反。TC一般用黑盒法指定，讓人們了解整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)可能出現(xiàn)的誤差。它是一個(gè)計(jì)算值，*基于電壓的**小值和**大值，而不考慮這些極值的溫度?；鶞?zhǔn)源芯片的生產(chǎn)廠家有哪些呢？遼寧基準(zhǔn)源芯片廠家

前提是基準(zhǔn)電壓源采用容性負(fù)載時(shí)能夠穩(wěn)定工作。吉林ADR45基準(zhǔn)源芯片型號(hào)

**簡單的串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源具有射極跟隨器輸出級(jí)，并且只能提供源電流，但很多基準(zhǔn)電壓源應(yīng)用要求基準(zhǔn)電壓源同時(shí)也能吸取電流。當(dāng)應(yīng)用要求電流雙向流動(dòng)時(shí)，必須檢查這一點(diǎn)。用來生成精密基準(zhǔn)電壓的機(jī)制有時(shí)候可能充滿噪聲，因此檢驗(yàn)基準(zhǔn)電壓源噪聲對(duì)于應(yīng)用而言是否足夠低是很重要的。中頻段噪聲(高于100Hz)的頻譜密度可能為幾十mV/√Hz或更高，但通?？墒褂秒娙轂V除，前提是基準(zhǔn)電壓源采用容性負(fù)載時(shí)能夠穩(wěn)定工作。注意，就算基準(zhǔn)電壓源工作穩(wěn)定，容性負(fù)載也有可能會(huì)增加開啟時(shí)間。低頻噪聲比較麻煩，通常位于低頻段內(nèi)，即0.1Hz至10Hz。低頻噪聲只要不超過5μV峰峰值就行了，1μV至2μV峰峰值就更理想了。適用于通用模擬IC的其他考慮因素也同樣適用于基準(zhǔn)電壓源。吉林ADR45基準(zhǔn)源芯片型號(hào)