TO-252封裝的超快速恢復(fù)二極管MUR540、MUR560、MUR580平均整流輸出電流為5A，反向重復(fù)峰值電壓為400v、600v、800v。MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流輸出電流為10A，反向重復(fù)峰值電壓為400v、600v、800v。六款超快速恢復(fù)二極管，均采用TO-252封裝，適用于各種整流應(yīng)用。封裝TO-252屬于貼片式背帶散熱片，該產(chǎn)品可以較好的替代傳統(tǒng)直插DO-27封裝，減少了傳統(tǒng)直插帶來的人工成本及再加工成型帶來的壓力損傷等因素，具有效率更高、產(chǎn)品穩(wěn)定性能更佳、空間占用小等優(yōu)勢(shì)。晶體管設(shè)計(jì)，就選深圳市凱軒業(yè)科技，歡迎客戶來電！高效率二極管直銷

橋堆的檢測(cè)1．全橋的檢測(cè)大多數(shù)的整流全橋上，均標(biāo)注有“+”、“-”、“~”符號(hào)（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負(fù)極，“~”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí)，可通過分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“~”極、“-”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測(cè)量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞。若測(cè)得全橋內(nèi)鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。2．半橋的檢測(cè)半橋是由兩只整流二極管組成，通過用萬用表分別測(cè)量半橋內(nèi)部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常ESD二極管制造商單電子晶體管每個(gè)存儲(chǔ)元只包含了一個(gè)或少量電子，因此它將較大降低功耗，提高集成電路的集成度。

雙基極二極管的檢測(cè)1．電極的判別將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆測(cè)量雙基極二極管三個(gè)電極中任意兩個(gè)電極間的正反向電阻值，會(huì)測(cè)出有兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ，這兩個(gè)電極即是基極B1和基極B2，另一個(gè)電極即是發(fā)射極E。再將黑表筆接發(fā)射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個(gè)電極，一般會(huì)測(cè)出兩個(gè)不同的電阻值。有阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆接的是基極B2，另一個(gè)電極即是基極B1。2．性能好壞的判斷雙基極二極管性能的好壞可以通過測(cè)量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個(gè)基極（B1和B2），正常時(shí)均應(yīng)有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個(gè)基極，正常時(shí)阻值為無窮大。雙基極二極管兩個(gè)基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi)，若測(cè)得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時(shí)，則說明該二極管已損壞。

場(chǎng)效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)無反應(yīng),即表針回零位置不動(dòng).此時(shí)應(yīng)可判斷出場(chǎng)效應(yīng)管為好管.將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無窮大時(shí),則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬用表測(cè)量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測(cè)量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.檢測(cè)晶體三極管時(shí)，選擇反應(yīng)靈敏的指針萬用表。將萬用表的量程調(diào)整至擋，并進(jìn)行調(diào)零校正。

MOS管現(xiàn)在用于高電壓、大電流下基本上都使用MOS管。由于工藝和材料的差異，N溝道的MOS管可以做到耐壓高、導(dǎo)通電流大。IXFK38N80是一款大功率MOS管，稱為HiPerFETPowerMOSFETS。數(shù)據(jù)手冊(cè)給定的參數(shù)為：擊穿電壓Vds=800V，工作電流：38A。下圖是測(cè)量該MOS管擊穿電壓與電流曲線，它的擊穿電壓與手冊(cè)規(guī)定的數(shù)值基本一致。IXFK38N80擊穿電壓電流曲線通常情況下，MOS管耐壓越高，導(dǎo)通電阻就越大，使得MOS的功耗增加。將MOS管與雙極性三極管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐壓和低導(dǎo)通電阻兩方面做到兼容。G40N60是手邊的一款I(lǐng)GBT，手冊(cè)給出的擊穿電壓為。600V。下圖給出的擊穿電壓電流曲線顯示實(shí)際的擊穿電壓在750V左右。G40N60擊穿電壓電流曲線IGBT中由于存在雙極性三極管，它是利用少數(shù)載流子完成電流導(dǎo)通，所以IGBT的截止時(shí)間較長(zhǎng)，無法工作在高頻電路中。近年來逐步推廣的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的頻率低的問題，在高電壓、低電阻、高頻率各方面都具有優(yōu)勢(shì)。C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介紹過它的原理和特性。C2M008012碳化硅MOS管但是在前面推文中對(duì)它的擊穿電壓電流曲線測(cè)量存在問題，主要是當(dāng)時(shí)所使用的高壓電源功率太小造成的。晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件。信賴之選深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司。超快恢復(fù)二極管

穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)是反向并聯(lián)在負(fù)載兩端的，如果輸入的電壓沒有超過其穩(wěn)壓值。高效率二極管直銷

TO-252封裝尺寸圖電氣特性方面，關(guān)于***比較大額定值，六款二極管的反向重復(fù)峰值電壓均為400v、600v、800v,反向電壓均為400v、600v、800v.平均整流輸出電流為5A/10A，運(yùn)行結(jié)溫均為150℃，儲(chǔ)存溫度均為-55℃~+150℃。正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)不同。六款直插超快速恢復(fù)二極管的產(chǎn)品特性：.低開關(guān)損耗.低正向電壓.高電流過載能力六款直插超快速恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)：.硅外延平面型.玻璃鈍化PN結(jié)型六款超快速恢復(fù)二極管替代傳統(tǒng)直插DO-27封裝的應(yīng)用:通用的整流應(yīng)用高效率二極管直銷