從ITO靶材制備方法來看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫燒結法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢；2）產品的密度相對更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤滑劑；4）生產成本低，適合大規(guī)模生產。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進行砂磨。然后進行噴霧干燥，調節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，噴霧制備不同松裝密度的ITO粉末。再將ITO粉末進行篩網篩分，獲得合格的ITO粉末；2）制備素胚，將ITO粉末裝入橡膠模具中振實，密封投料口，進行冷等靜壓，得到靶材素坯；3）結燒，將素坯放置于常壓燒結爐中，保溫溫度為1450—1600℃，采用多個階段保溫燒結，燒結過程中通入氧氣。透明導電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好。黑龍江陶瓷靶材咨詢報價

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。中國臺灣AZO陶瓷靶材售價靶材是制備薄膜的主要材料之一。

從ITO靶材的發(fā)展趨勢來看：1）大尺寸化，在需要大面積鍍膜時，通常將小尺寸靶材拼接焊接成大尺寸靶材，由于具有焊縫，靶材鍍膜質量將降低；2）高密度化，在濺射過程中ITO靶材表面會出現(xiàn)結瘤現(xiàn)象，如果繼續(xù)濺射，所制備的薄膜光學性能以及電學性能將降低。高密度的靶材具有較好的熱傳導性以及較小的界面電阻，因此結瘤現(xiàn)象出現(xiàn)的概率較小，所制備的ITO薄膜的質量較高，且生產效率、成本較低；3）提高靶材利用率，由于平面靶材在濺射過程中，中間部分難以被侵蝕，因此靶材利用效率相對較低。通過改變靶材形狀，可以提高靶材的利用效率，從而降低備ITO薄膜的成本。

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達60mev，比室溫熱離化能(26mev)大得多。第三代半導體材料是指寬禁帶半導體材料，它們的發(fā)光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光發(fā)射以來，ZnO薄膜的制備技術及其光電特性成為人們研究的熱點。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導、半導體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調制器等壓電轉換器，在光電通信領域得到大面積的應用。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。

靶材作為半導體、顯示面板、光伏電池等的關鍵原料，預計2025年全球市場規(guī)模將達333億美元，從下游來看，能夠認為半導體靶材市場、顯示面板靶材市場以及光伏面板靶材市場未來成長空間較大，國產替代需求強烈。而HJT電池靶材有望快速實現(xiàn)國產替代國產靶材廠商有望在HJT電池時代實現(xiàn)靶材上的彎道超車。對于異質結電池這個全新領域，靶材還未大規(guī)模應用，考慮到電池廠商與海外企業(yè)合作研發(fā)效率較低，同時隆華科技等國內的靶材廠商品質已經在顯示面板領域得到充分展現(xiàn)。因此從HJT電池靶材應用源頭開始，HJT電池靶材國產化就已先行一步。ITO靶材被廣泛應用于各大行業(yè)之中。河北顯示行業(yè)陶瓷靶材咨詢報價

ITO靶材是將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后經過生產加工成型，再高溫氣氛燒結形成的黑灰色陶瓷半導體。黑龍江陶瓷靶材咨詢報價

透明導電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關鍵。高質量的成品 ITO 濺射靶應具有99%的相對密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導熱率及較高的機械強度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導電薄膜。甚至可以在有機材料上濺射 ITO 導電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結法，其相對密度能達到 99%以上，燒結溫度高，保溫時間長，制備工藝復雜。放電等離子燒結(SPS)是在脈沖電流作用下，粉末顆粒間放電，產生瞬間高溫進行燒結。SPS技術具有快速、低溫、高效率等優(yōu)點。能在很低的燒結溫度下，保溫很短的時間制備高密度的材料。

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