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黑龍江濺射陶瓷靶材一般多少錢

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-21

鈣鈦礦太陽(yáng)電池在短短數(shù)十年間不斷刷新轉(zhuǎn)換效率?;谡玫拟}鈦礦太陽(yáng)電池面臨著眾多問(wèn)題,如遲滯較大,光熱穩(wěn)定性差等,相較之下倒置結(jié)構(gòu)可以較好的解決上述問(wèn)題。倒置結(jié)構(gòu)中空穴傳輸層主要有氧化鎳(NiOx)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)等幾種,但是PEDOT:PSS,PTAA等空穴傳輸層并不穩(wěn)定且成本較高,考慮到未來(lái)大面積生產(chǎn)所需,目前只有NiOx較為適合?,F(xiàn)有的NiOx制備工藝以納米晶溶液旋涂、化學(xué)浴沉積、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積等為主。目前合適的大面積制備技術(shù)以化學(xué)氣相沉積為主,其中磁控濺射制備可重復(fù)性高且較為均勻?,F(xiàn)有的技術(shù)手段中,常在氧化鎳基板中添加單獨(dú)的堿金屬元素或者過(guò)渡金屬,用以提升氧化鎳空穴傳輸層的空穴傳輸能力。在反應(yīng)濺射過(guò)程中,靶材表面的濺射通道區(qū)域被反應(yīng)產(chǎn)物覆蓋或反應(yīng)產(chǎn)物被剝離,金屬表面重新暴露。黑龍江濺射陶瓷靶材一般多少錢

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靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計(jì)算得出。熱噴涂的靶材結(jié)構(gòu)疏松多孔,含氧量高(即使在真空噴涂中,也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生)。表面呈灰色,缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源,阻礙了高真空的快速獲得,在濺射過(guò)程中迅速導(dǎo)致放電,甚至燒毀靶材。同時(shí),靶材濺射表面的高溫會(huì)迅速導(dǎo)致松散顆粒落下,污染玻璃表面,影響鍍膜質(zhì)量。相對(duì)密度越高,成膜速度越快,濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同,鑄造靶材的相對(duì)密度應(yīng)在98%以上,粉末冶金靶材應(yīng)在97%以上才能滿足生產(chǎn)使用。因此,應(yīng)嚴(yán)格控制目標(biāo)密度,以減少落渣的發(fā)生。噴涂靶材的密度低,并且制備成本也低。當(dāng)相對(duì)密度能保證90%以上時(shí),一般不影響使用。重慶ITO陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)靶材的純度越高,薄膜的性能就越好。

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背板材料:無(wú)氧銅(OFC)–目前經(jīng)常使用的作背板的材料。因?yàn)闊o(wú)氧銅具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性,而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng),無(wú)氧銅背板可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下,如需要進(jìn)行高溫貼合的條件下,無(wú)氧銅容易被氧化和發(fā)生翹曲,所以會(huì)使用金屬鉬為背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無(wú)法與無(wú)氧銅匹配,同樣也需要使用金屬鉬作為背板材料。不銹鋼管(SST)–目前**常使用不銹鋼管作為旋轉(zhuǎn)靶材的背管,因?yàn)椴讳P鋼管具有良好的強(qiáng)度和導(dǎo)熱性而且非常經(jīng)濟(jì)。

背板重復(fù)使用大部分背板可以重復(fù)使用,尤其是采用金屬銦進(jìn)行貼合的比較容易進(jìn)行清潔和重新使用。如果是采用其他貼合劑(包括環(huán)氧樹脂)則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背板表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶提供的已使用過(guò)的背板后,我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理(如適用)并且對(duì)背板進(jìn)行完全檢查,檢查的重點(diǎn)包括背板的平整度,完整性及密封性等。我們會(huì)通知用戶對(duì)背板的檢查結(jié)果,如我們發(fā)現(xiàn)有需要維修的地方會(huì)書面通知客戶并提供維修報(bào)價(jià)。

透明導(dǎo)電薄膜的種類很多,主要有 ITO,TCO,AZO 等,其中 ITO的性能比較好,ITO具有高透光率,低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射,要獲得高質(zhì)量的 ITO薄膜,制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關(guān)鍵。高質(zhì)量的成品 ITO 濺射靶應(yīng)具有99%的相對(duì)密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導(dǎo)熱率及較高的機(jī)械強(qiáng)度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射,獲得較低電阻率和較高透光率的導(dǎo)電薄膜。甚至可以在有機(jī)材料上濺射 ITO 導(dǎo)電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結(jié)法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結(jié)法,其相對(duì)密度能達(dá)到 99%以上,燒結(jié)溫度高,保溫時(shí)間長(zhǎng),制備工藝復(fù)雜。放電等離子燒結(jié)(SPS)是在脈沖電流作用下,粉末顆粒間放電,產(chǎn)生瞬間高溫進(jìn)行燒結(jié)。SPS技術(shù)具有快速、低溫、高效率等優(yōu)點(diǎn)。能在很低的燒結(jié)溫度下,保溫很短的時(shí)間制備高密度的材料。


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靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材(如氧化物、碳化物、氮化物等)和脆性材料濺射靶材(如鉻、銻、鉍等)中。陶瓷或脆性材料目標(biāo)始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過(guò)程中產(chǎn)生的。此外,這些應(yīng)力不能通過(guò)退火過(guò)程完全消除,因?yàn)樗沁@些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中,轟擊的氣體離子將其動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子,為它們提供足夠的能量來(lái)脫離晶格。這種放熱動(dòng)量傳遞增加了目標(biāo)的溫度,在原子水平上可能達(dá)到1,000,000攝氏度。這些熱沖擊將目標(biāo)中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下,如果不注意適當(dāng)?shù)纳?,靶材可能?huì)開裂。靶材開裂預(yù)防措施為了防止靶材開裂,重要的考慮因素是散熱。一方面運(yùn)用水冷機(jī)制來(lái)去除靶材中不需要的熱能,另一方面考慮提高功率,在很短的時(shí)間內(nèi)提升功率也會(huì)給目標(biāo)帶來(lái)熱沖擊。此外,建議將這些靶材綁定到背板上,這不僅為靶材提供支撐,而且還促進(jìn)靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下,它仍然可以毫無(wú)問(wèn)題地使用。IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到,是一種透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料。中國(guó)香港陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

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AZO透明導(dǎo)電薄膜具有高可見光透過(guò)率和低電阻率的特點(diǎn),因此可以作為平面顯示器和太陽(yáng)能平面電極材料,也可用在節(jié)能方面,如建筑玻璃表面和汽車玻璃表面近年來(lái),隨著液晶顯示、觸控面板、有機(jī)發(fā)光顯示、太陽(yáng)能電池等的發(fā)展,使得透明導(dǎo)電薄膜成為關(guān)鍵性材料之一。目前,常用的錫摻雜氧化鋼(ITO)透明導(dǎo)電薄膜材料中的金屬銦屬于稀缺資源,開發(fā)具有透光、導(dǎo)電特性的“非銦”材料已成為研究的熱點(diǎn)之一。由于氧化鋅基(ZnO)透明導(dǎo)電薄膜價(jià)格較為低廉,且不具毒性,在發(fā)展上具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)異性。因此,對(duì)于氧化鋅薄膜材料及其制備技術(shù)的研發(fā),引起了大家的重視。AZO薄膜是一種透明導(dǎo)電膜,具有與ITO薄膜相比擬的光學(xué)和電學(xué)特性,并具有制備工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低、無(wú)毒和穩(wěn)定性好等特點(diǎn),被認(rèn)為是ITO薄膜的比較好替代材料。黑龍江濺射陶瓷靶材一般多少錢

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標(biāo)簽: 靶材 陶瓷靶材