研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過(guò)程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽(yáng)能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過(guò)程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴(yán)重影響了鍍膜效率。

靶材是半導(dǎo)體、顯示面板、異質(zhì)結(jié)光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵材料，存在工藝不可替代性。寧夏濺射陶瓷靶材價(jià)格咨詢

磁控濺射的工作原理簡(jiǎn)單說(shuō)就是利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，氬離子轟擊靶材表面，同時(shí)也把動(dòng)能傳導(dǎo)進(jìn)去，隨后靶材表面的原子就被轟擊出來(lái)，從不同角度飛向基片，在其表面凝集沉積形成一層薄膜。“這層薄膜非常薄，往往都在納米量級(jí)，是人類(lèi)肉眼看不見(jiàn)的，而一支10毫米厚的靶材所鍍的薄膜面積可達(dá)幾萬(wàn)甚至十幾萬(wàn)平方米，鍍膜后產(chǎn)生的價(jià)值遠(yuǎn)超過(guò)靶材本身的價(jià)值，靶材起的作用非常關(guān)鍵，所以我常將靶材稱為小而美、小而精的材料。”“別小看這些薄膜材料，它們是很多功能器件得以大顯神威的主要材料?！敝袊?guó)香港AZO陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類(lèi)型的濺射薄膜材料無(wú)論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應(yīng)用。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒，再透過(guò)微影圖案化與蝕刻，終一層層金屬導(dǎo)線，而芯片的數(shù)據(jù)傳輸全靠這些金屬導(dǎo)線。濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計(jì)算得出。熱噴涂的靶材結(jié)構(gòu)疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過(guò)程中迅速導(dǎo)致放電，甚至燒毀靶材。同時(shí)，靶材濺射表面的高溫會(huì)迅速導(dǎo)致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質(zhì)量。相對(duì)密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對(duì)密度應(yīng)在98%以上，粉末冶金靶材應(yīng)在97%以上才能滿足生產(chǎn)使用。因此，應(yīng)嚴(yán)格控制目標(biāo)密度，以減少落渣的發(fā)生。噴涂靶材的密度低，并且制備成本也低。當(dāng)相對(duì)密度能保證90%以上時(shí)，一般不影響使用。HJT電池靶材有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代國(guó)產(chǎn)靶材廠商有望在HJT電池時(shí)代實(shí)現(xiàn)靶材上的彎道超車(chē)。

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢(shì)或?qū)榘胁膸?lái)降本空間。在相關(guān)實(shí)驗(yàn)中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實(shí)驗(yàn)薄膜（共6份樣品）。實(shí)驗(yàn)中主要從光學(xué)性能和電學(xué)性能上對(duì)AZO薄膜和ITO薄膜進(jìn)行了對(duì)比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學(xué)性能差距縮小。根據(jù)比較終實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當(dāng)AZO薄膜厚度為640nm時(shí)，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學(xué)性能優(yōu)于ITO薄膜。ITO薄膜的光學(xué)性能隨著厚度的增加明顯變差，但是對(duì)于AZO薄膜，透射率并沒(méi)有隨著厚度的增加而明顯下降，在厚度為395nm時(shí)，高透射率光譜范圍比較寬，可見(jiàn)光區(qū)平均透射率比較高，光學(xué)總體性能比較好，可充當(dāng)透射率要求在85%以上的寬光譜透明導(dǎo)電薄膜的光學(xué)器件鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。中國(guó)香港顯示行業(yè)陶瓷靶材推薦廠家

通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應(yīng)氣體和濺射氣體比例的影響。寧夏濺射陶瓷靶材價(jià)格咨詢

主要PVD方法的特點(diǎn)：半導(dǎo)體、顯示面板使用濺射鍍膜法（1）金屬提純：靶材純度要求高。金屬提純的主要方式有化學(xué)提純與物理提純，化學(xué)提純主要分為濕法提純與火法提純，通過(guò)電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過(guò)蒸發(fā)結(jié)晶、電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。（2）制造加工：塑性變形、熱處理、控制晶粒取向：需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過(guò)焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。靶材制造涉及的工序精細(xì)繁多，技術(shù)門(mén)檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少。靶材制造的方法主要有熔煉法與粉末冶金法。熔煉法主要有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過(guò)機(jī)械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該方法得到的靶材雜質(zhì)含量低、密度高、可大型化、內(nèi)部無(wú)氣孔，但若兩種合金熔點(diǎn)、密度差異較大則無(wú)法形成均勻合金靶材。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三種方法，通過(guò)將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材，該方法優(yōu)點(diǎn)是靶材成分較為均勻、機(jī)械性能好，缺點(diǎn)為含氧量較高。寧夏濺射陶瓷靶材價(jià)格咨詢

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