從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢或將為靶材帶來降本空間。在相關實驗中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實驗薄膜（共6份樣品）。實驗中主要從光學性能和電學性能上對AZO薄膜和ITO薄膜進行了對比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學性能差距縮小。根據比較終實驗數據來看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當AZO薄膜厚度為640nm時，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學性能優(yōu)于ITO薄膜。ITO薄膜的光學性能隨著厚度的增加明顯變差，但是對于AZO薄膜，透射率并沒有隨著厚度的增加而明顯下降，在厚度為395nm時，高透射率光譜范圍比較寬，可見光區(qū)平均透射率比較高，光學總體性能比較好，可充當透射率要求在85%以上的寬光譜透明導電薄膜的光學器件靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。福建ITO陶瓷靶材

靶材清潔的目的及方法：靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。金屬靶材可以通過四步清潔：第一步用浸泡過的無絨軟布清潔；第二步與第一步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建議用“無絨布”進行清潔。第四步用高壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會造成起弧的雜質微粒。

我們建議用戶將靶材無論是金屬或陶瓷類保存在真空包裝中，尤其是貼合靶材更需要保存在真空條件下，以避免貼合層氧化影響貼合質量。 福建ITO陶瓷靶材陶瓷靶材的制備工藝；

江蘇迪納科精細材料股份有限公司是一家主要生產和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。陶瓷靶材以氧化銦基和氧化鋅基為主，金屬和合金靶材以各種熔煉工藝和擠壓鍛造工藝為主。

ITO靶材應用領域

1、平板顯示器(純度4N)在平板顯示領域，ITO靶材主要用于制作ITO導電玻璃及觸控屏電極平板，是LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類平板顯示器件制備的主要材料。顯示面板一般涉及上下兩層ITO導電膜，用量較大，ITO靶材是平板顯示領域用量比較大的靶材之一。

2、薄膜太陽能電池(純度4N)ITO是一種透明導電層，在太陽能電池中作為透光層，同時作為電極，一般為正極，另一個電極一般以金屬銀或鋁作為背電極使用。ITO靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極。

3、保溫透光領域ITO透明導電膜玻璃作為發(fā)熱體，通電后可以除冰霜，用于飛機擋風玻璃、飛機防眩窗、激光測距儀、潛望鏡觀察窗等多年來已得到了大規(guī)模的應用。ITO透明導電膜玻璃正反面具有相反的紅外線通過及反射性能，玻璃正面具有優(yōu)良的紅外線通性，衰減量極小，而反面又具有紅外線阻擋反射作用，因而該種玻璃具有優(yōu)良的保溫透光性能，已大量用于制造冷藏柜，隨著成本的降低將有望用于房屋節(jié)能。

靶材是制備薄膜的主要材料之一，主要應用于集成電路、平板顯示、太陽能電池、記錄媒體、智能玻璃等，對材料純度和穩(wěn)定性要求高。濺射靶材的工作原理：濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。靶材發(fā)展趨勢是：高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高純金屬。透明導電薄膜的種類很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產品生產環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產工藝中，玻璃基板要經過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經過鍍膜，加工組裝用于生產LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了實現平板顯示產品的抗反射、消影等功能，還可以在鍍膜環(huán)節(jié)中增加相應膜層的鍍膜。陶瓷靶材按化學組成,分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。福建ITO陶瓷靶材

靶材的純度越高，薄膜的性能就越好。福建ITO陶瓷靶材

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生.

ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經常發(fā)生??靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質劣化，迫使停機清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴重影響了鍍膜效率。 福建ITO陶瓷靶材

江蘇迪納科精細材料股份有限公司是我國濺射靶材，陶瓷靶材，金屬靶材，等離子噴涂靶材專業(yè)化較早的私營股份有限公司之一，公司成立于2011-07-22，旗下迪納科,迪丞,東玖,靶材，已經具有一定的業(yè)內水平。迪納科材料以濺射靶材，陶瓷靶材，金屬靶材，等離子噴涂靶材為主業(yè)，服務于電子元器件等領域，為全國客戶提供先進濺射靶材，陶瓷靶材，金屬靶材，等離子噴涂靶材。產品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內外眾多企業(yè)和客戶所認可。