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ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中,靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復(fù)雜的物理化學(xué)變化,ITO靶材表面會產(chǎn)生許多小的結(jié)瘤,這個現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結(jié)瘤毒化后.靶材的濺射速率降低,孤光放電頻率增加,所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差,此時必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴重降低濺射鍍膜效率。目前對于結(jié)瘤形成機理尚未有統(tǒng)一定論,如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認為結(jié)瘤是In2O3、分解所致,導(dǎo)電導(dǎo)熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心,使結(jié)瘤進一步發(fā)展;姚吉升等研究了結(jié)瘤物相組成及化學(xué)組分,認為結(jié)瘤是偏離了化學(xué)計量的ITO材料在靶材表面再沉積的結(jié)果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態(tài)對靶材表面結(jié)瘤形成速率的影響,認為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結(jié)瘤的主要原因。盡管結(jié)瘤機理尚不明確,但毋庸置疑的是,結(jié)瘤的產(chǎn)生嚴重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能,因此,對結(jié)瘤的形成機理進行深入研究具有重要意義。陶瓷靶材的制備工藝;重慶光伏行業(yè)陶瓷靶材一般多少錢
靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進行濺射,可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進行預(yù)濺射時建議慢慢加大濺射功率,陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時/平方厘米。金屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材快,一個合理的功率加大速率為1.5W小時/平方厘米。在進行預(yù)濺射的同時需要檢查靶材起弧狀況,預(yù)濺射時間一般為10分鐘左右。如沒有起弧現(xiàn)象,繼續(xù)提升濺射功率到設(shè)定功率。根據(jù)經(jīng)驗,一般應(yīng)確保冷卻水出水口的水溫應(yīng)低于35攝氏度,但非常重要的是確保冷卻水的循環(huán)系統(tǒng)能有效工作,通過冷卻水的快速循環(huán)帶走熱量,是確保能以較高功率連續(xù)濺射的一項重要保障。福建濺射陶瓷靶材多少錢冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點。
靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。(1)靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料,屬于濺射靶材的主要部分,涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過程中,靶坯被離子撞擊后,其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜。(2)背板起到主要起到固定濺射靶材的作用,涉及焊接工藝。由于高純度金屬強度較低,而濺射靶材需要安裝在機臺內(nèi)完成濺射過程。機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境,因此,超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合,背板需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。
ITO靶材就是氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型,再高溫氣氛燒結(jié)(1600度,通氧氣燒結(jié))形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。ito薄膜是利用ito材作為原材料,通過磁控濺射把ito氣化濺渡到玻璃基板或柔性有機薄膜上ito材主要是在平板顯示器中得到廣的運用,靶材主用是在半導(dǎo)體中運用廣??萍及l(fā)展的迅速,讓電子行業(yè)在市場中占據(jù)很大的份額,直接影響到了人們的工作和生活I(lǐng)TO濺射靶材是一種由氧化銦錫制成的陶瓷射材料。氧化銦錫(ITO)是氧化銦(In203)和氧化錫(SnO2)的固溶體,通常按重量計90%In203、10%SnO2。銦錫氧化物(ITO)因其導(dǎo)電性和光學(xué)透明性而成為應(yīng)用廣的透明導(dǎo)電氧化物之一。銦錫氧化物薄膜常通過氣相沉積(PVD)沉積在表面上。ITO濺射靶材的發(fā)展趨勢!
通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應(yīng)氣體和濺射氣體比例的影響。在反應(yīng)濺射過程中,靶材表面的濺射通道區(qū)域被反應(yīng)產(chǎn)物覆蓋或反應(yīng)產(chǎn)物被剝離,金屬表面重新暴露。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率,則化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成速率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過多,復(fù)合覆蓋面積增加,如果反應(yīng)氣體流量不能及時調(diào)整,復(fù)合覆蓋面積增加的速度不會受到抑制,濺射通道將被化合物進一步覆蓋。當(dāng)濺射靶材完全被化合物覆蓋時,靶材將完全中毒。靶材中毒變黑的影響a、正離子積聚:當(dāng)靶材中毒時,在靶材表面形成絕緣膜。當(dāng)正離子到達陰極靶表面時,由于絕緣層的阻擋,它們不能直接進入陰極靶表面。相反,它們沉積在靶材表面,很可能產(chǎn)生電弧放電——在冷場中產(chǎn)生電弧,使陰極濺射無法進行。b、陽極消失:當(dāng)靶材中毒時,地面真空室壁上沉積絕緣膜,到達陽極的電子不能進入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到,是一種透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料。廣西鍍膜陶瓷靶材
陶瓷靶材的制備工藝難點;重慶光伏行業(yè)陶瓷靶材一般多少錢
靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材(如氧化物、碳化物、氮化物等)和脆性材料濺射靶材(如鉻、銻、鉍等)中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外,這些應(yīng)力不能通過退火過程完全消除,因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中,轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標原子,為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標的溫度,在原子水平上可能達到1,000,000攝氏度。這些熱沖擊將目標中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下,如果不注意適當(dāng)?shù)纳?,靶材可能會開裂。靶材開裂預(yù)防措施為了防止靶材開裂,重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去除靶材中不需要的熱能,另一方面考慮提高功率,在很短的時間內(nèi)提升功率也會給目標帶來熱沖擊。此外,建議將這些靶材綁定到背板上,這不僅為靶材提供支撐,而且還促進靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下,它仍然可以毫無問題地使用。重慶光伏行業(yè)陶瓷靶材一般多少錢