通過真空熔煉或粉末冶金技術(shù),把元素周期表中的某一種金屬或非金屬元素加工制作得到某種材料,此材料就是我們所說的靶材,是一種高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。靶材純度在99.9%到99.9999%,形狀有平面靶、旋轉(zhuǎn)靶、異型定制。根據(jù)材質(zhì)靶材可分為-金屬靶材(Al,Au,Cr,Co,Ni,Cu,Mo,Ti,Ta...)、合金靶材(NiCr,CoNi,CoCr,TbFeCo,GdFeCo,MoW,CrSi...)、陶瓷靶材(氧化物,硅化物,碳化物,硫化物...)等等各方面的靶材制作與加工在儲(chǔ)存技術(shù)方面,高密度、大容量硬盤的發(fā)展,需要大量的巨磁阻薄膜材料。山西智能玻璃靶材價(jià)格咨詢
二、制備方法:粉末冶金法:混合:首先,將氧化銦(In2O3)與少量的氧化錫(SnO2)粉末按一定比例混合,這一比例直接決定了ITO靶材的**終電學(xué)性質(zhì)。球磨:混合后的粉末會(huì)進(jìn)行球磨處理,以提高粉末的均勻性和反應(yīng)活性,球磨時(shí)間和方式對(duì)粉末粒徑和形貌有著重要影響。壓制:經(jīng)過球磨的粉末隨后會(huì)在高壓下壓制成型,成型的密度和均勻性直接影響后續(xù)燒結(jié)過程。燒結(jié):***,將壓制好的坯體在高溫下進(jìn)行燒結(jié),高溫?zé)Y(jié)可以促使粉末顆粒之間發(fā)生固相反應(yīng),形成密實(shí)的ITO塊材。安徽氧化鋅靶材市場價(jià)鋁靶材則廣泛應(yīng)用于鏡面反射層的制作。
2. 制備方法a. 粉末冶金法 這是制備鎢靶材**傳統(tǒng)也**常用的方法。首先將鎢粉進(jìn)行壓制成型,然后在氫氣氛圍中高溫?zé)Y(jié)。這個(gè)過程可以產(chǎn)生高純度、高密度的鎢靶材,但其制品往往需要后續(xù)的加工以滿足特定的尺寸和形狀要求。b. 濺射靶材制備 濺射是一種在真空中利用離子轟擊的方法,將鎢材料沉積到一個(gè)基底上形成薄膜。這種方法對(duì)于制備高純度、精細(xì)結(jié)構(gòu)的鎢薄膜靶材特別有效。適用于需要非常平整和均勻表面的應(yīng)用,如半導(dǎo)體制造。c. 熱等靜壓技術(shù) 熱等靜壓(HIP)技術(shù)通過同時(shí)施加高溫和高壓來對(duì)鎢材料進(jìn)行致密化處理。此方法能夠消除粉末冶金過程中可能產(chǎn)生的氣孔和缺陷,從而生產(chǎn)出密度更高、均勻性更好的鎢靶材。d. 熔融法 使用高溫將鎢完全熔化,然后通過鑄造或其他成型工藝制成靶材。雖然這種方法可以生產(chǎn)出尺寸較大的鎢靶材,但控制其純度和微觀結(jié)構(gòu)比較困難。e. 化學(xué)氣相沉積(CVD) CVD是一種在高溫下將氣態(tài)前驅(qū)體分解,將鎢沉積在基材上的方法。此技術(shù)主要用于制備特定微觀結(jié)構(gòu)和純度要求高的薄膜材料。
銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,能夠滿足!導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題:銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低.并且容易發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問題,需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物,因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對(duì)困難,如今正在研究鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。釹靶材在激光技術(shù)和高性能磁性材料的制造中尤為重要。
4.防潮措施:-存儲(chǔ)區(qū)域的相對(duì)濕度應(yīng)保持在40%至60%之間??梢允褂酶稍飫┖蜐穸瓤刂葡到y(tǒng)來維持適宜的濕度。5.保養(yǎng)和清潔:-定期檢查靶材的完整性,如果發(fā)現(xiàn)裂紋或者其他損傷,應(yīng)避免使用。-在清潔靶材時(shí),應(yīng)使用高純度酒精或去離子水輕輕擦拭,不宜使用有機(jī)溶劑或者酸堿性強(qiáng)的清潔劑。6.使用前的準(zhǔn)備:-在靶材裝入濺射設(shè)備前,應(yīng)在潔凈室環(huán)境下進(jìn)行再次清潔,確保表面無污染。-濺射前進(jìn)行一段時(shí)間的預(yù)濺射,以去除靶材表面可能存在的輕微雜質(zhì)。7.保養(yǎng)記錄:-建議建立靶材使用和保養(yǎng)記錄,詳細(xì)記錄每次使用情況和存儲(chǔ)條件,以便跟蹤性能變化并及時(shí)做出調(diào)整。通過遵循以上存儲(chǔ)和保養(yǎng)建議,可以有效延長ITO靶材的使用壽命,確保濺射過程的穩(wěn)定性和薄膜的高質(zhì)量。靶材,也稱為濺射靶材,是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。湖南功能性靶材市場價(jià)
此過程包括粉碎、混合、壓制成形和燒結(jié),以形成均勻和緊密的靶材。山西智能玻璃靶材價(jià)格咨詢
不過在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求,而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如,半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。山西智能玻璃靶材價(jià)格咨詢