在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),永久磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。復合材料靶材由兩種或兩種以上材料組成。寧夏氧化鋅靶材價格咨詢
(3)濺射鍍膜:在濺射鍍膜過程中,濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應(yīng),濺射機臺**性強、精密度高,市場長期被美國、日本跨國集團壟斷。(4)終端應(yīng)用:1)半導體芯片:單元器件中的介質(zhì)層、導體層與保護層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2)平板顯示器件:為了保證大面積膜層的均勻性,提高生產(chǎn)率和降低成本,濺射技術(shù)鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料;3)薄膜太陽能電池——第三代,濺射鍍膜工藝是被優(yōu)先選用的制備方法,靶材是不可或缺的原材料;4)計算機儲存器:磁信息存儲、磁光信息存儲和全光信息存儲等。在光盤、機械硬盤等記錄媒體,需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。寧夏氧化鋅靶材價格咨詢靶材由“靶坯”和“背板”組成。
2. 制備方法a. 粉末冶金法 這是制備鎢靶材**傳統(tǒng)也**常用的方法。首先將鎢粉進行壓制成型,然后在氫氣氛圍中高溫燒結(jié)。這個過程可以產(chǎn)生高純度、高密度的鎢靶材,但其制品往往需要后續(xù)的加工以滿足特定的尺寸和形狀要求。b. 濺射靶材制備 濺射是一種在真空中利用離子轟擊的方法,將鎢材料沉積到一個基底上形成薄膜。這種方法對于制備高純度、精細結(jié)構(gòu)的鎢薄膜靶材特別有效。適用于需要非常平整和均勻表面的應(yīng)用,如半導體制造。c. 熱等靜壓技術(shù) 熱等靜壓(HIP)技術(shù)通過同時施加高溫和高壓來對鎢材料進行致密化處理。此方法能夠消除粉末冶金過程中可能產(chǎn)生的氣孔和缺陷,從而生產(chǎn)出密度更高、均勻性更好的鎢靶材。d. 熔融法 使用高溫將鎢完全熔化,然后通過鑄造或其他成型工藝制成靶材。雖然這種方法可以生產(chǎn)出尺寸較大的鎢靶材,但控制其純度和微觀結(jié)構(gòu)比較困難。e. 化學氣相沉積(CVD) CVD是一種在高溫下將氣態(tài)前驅(qū)體分解,將鎢沉積在基材上的方法。此技術(shù)主要用于制備特定微觀結(jié)構(gòu)和純度要求高的薄膜材料。
金屬靶材應(yīng)用主要包括平板顯示器、半導體、太陽能電池、記錄媒體等領(lǐng)域。其中平板顯示器占,半導體占,太陽能電池占,記錄媒體占。半導體芯片用金屬濺射靶材的作用,就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導線。具體的濺射過程:首先利用高速離子流,在高真空條件下分別去轟擊不同種類的金屬濺射靶材的表面,使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導體芯片的表面上,然后再通過的特殊加工工藝,將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級別的金屬線,將芯片內(nèi)部數(shù)以億計的微型晶體管相互連接起來,從而起到傳遞信號的作用。行業(yè)用的金屬濺射靶材,主要種類包括:銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純?yōu)R射靶材,以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的金屬濺射靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展,銅導線工藝的應(yīng)用量在逐步增大,因此,銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前,在汽車電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域,仍需大量使用鋁、鈦靶材。行業(yè)用的金屬濺射靶材,主要種類包括:銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純?yōu)R射靶材,以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的金屬濺射靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。在粒子加速器實驗中,特定元素的定制靶材用于產(chǎn)生稀有或非常規(guī)的核反應(yīng)。
鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話,靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時,會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如:蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等),即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。稀土元素具有獨特的光學和磁性特性,使得相關(guān)靶材在特定應(yīng)用中非常有價值。黑龍江氧化物靶材價錢
銅靶材在半導體制造中用于沉積導電層。寧夏氧化鋅靶材價格咨詢
碳化硅靶材的基本特性中的物理特性:高密度:碳化硅靶材具有高密度,這意味著它能提供較高的靶材利用率,降**造過程中的材料浪費。極高硬度:硬度是材料抵抗形變的能力,碳化硅的摩氏硬度高達9-10,僅次于鉆石。這一特性使其能夠耐受**度的機械壓力和磨損,保證了制造過程的精度和穩(wěn)定性。高熔點:碳化硅的熔點高達約2,730°C,這種高熔點保證了在半導體器件的生產(chǎn)過程中,即使在極高溫度環(huán)境下,這樣也能保持材料的穩(wěn)定性和性能。寧夏氧化鋅靶材價格咨詢