久久青青草视频,欧美精品v,曰韩在线,不卡一区在线观看,中文字幕亚洲区,奇米影视一区二区三区,亚洲一区二区视频

浙江ITO靶材一般多少錢(qián)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-11-10

靶材,就像它的名字暗示的那樣,可以想象成射箭時(shí)箭靶的那塊區(qū)域,只不過(guò)在我們討論的科學(xué)和工業(yè)領(lǐng)域里,這個(gè)“箭靶”被用于非常特殊的目的。在物理、材料科學(xué)或者電子制造等行業(yè)中,靶材是一塊通常由金屬或其他材料制成的堅(jiān)固板材,它被用作物***相沉積(PVD)等技術(shù)中的一個(gè)關(guān)鍵組成部分。在這些過(guò)程中,靶材表面的材料會(huì)被高能粒子(比如離子)轟擊,從而使得靶材表面的一部分材料被“擊出”并沉積到另一塊材料(比如晶片、鏡片等)上,形成一層薄薄的涂層。材料的純度、結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成直接影響最終產(chǎn)品的性能。浙江ITO靶材一般多少錢(qián)

浙江ITO靶材一般多少錢(qián),靶材

在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是**苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來(lái).而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過(guò)去99.995%(4N5)純度的銅靶,或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無(wú)法滿足如今0.25um的工藝要求,而未來(lái)的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。陜西氧化鋅靶材價(jià)錢(qián)靶材的發(fā)展趨勢(shì)是:高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高純金屬。

浙江ITO靶材一般多少錢(qián),靶材

眾所周知,靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn),靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商.近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜,這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開(kāi)發(fā)將刻不容緩。另外,近年來(lái)平面顯示器(FPD)大幅度取代原以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng).亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤(pán),高密度的可擦寫(xiě)光盤(pán)的需求持續(xù)增加.這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域,以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢(shì)。

一、靶材的定義靶材是指用于產(chǎn)生粒子束并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析的材料,在物理、化學(xué)、材料學(xué)等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。粒子束包括各種粒子,如電子、中子、質(zhì)子、離子等。靶材通常需要具有適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)組成和物理性質(zhì),以便在特定的實(shí)驗(yàn)條件下產(chǎn)生粒子束。二、靶材的種類靶材種類繁多,根據(jù)不同的粒子束和實(shí)驗(yàn)?zāi)康男枰?,主要可以分為以下幾類?.離子束靶材:用于離子束實(shí)驗(yàn)的靶材,主要有金屬、合金、半導(dǎo)體、陶瓷等。它們可以產(chǎn)生大量次級(jí)粒子,如X射線、熒光光譜等。2.中子束靶材:中子束實(shí)驗(yàn)靶材通常為化合物或者金屬,如聚乙烯、水、鋰等,可用于裂變、散裂、反應(yīng)等中子實(shí)驗(yàn)。3.電子束靶材:電子束靶材在電子顯微鏡、電子探針等研究中廣泛應(yīng)用,主要有金屬、合金、氧化物、半導(dǎo)體等。陶瓷靶材具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和高熔點(diǎn)特性。

浙江ITO靶材一般多少錢(qián),靶材

但是靶材制作困難,這是因?yàn)檠趸熀脱趸a不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑,能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材,這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑,Bi2O3在820Cr熔化,在1500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā),這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒,這樣可以簡(jiǎn)化前期的工序。采川這樣的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率達(dá)到8.1×10n-cm,接近純的ITO薄膜的電阻率。例如,高純度金屬或合金通常用于電子和半導(dǎo)體行業(yè)的靶材,而特定的陶瓷或復(fù)合材料則用于更專業(yè)的應(yīng)用。陜西氧化物靶材一般多少錢(qián)

鋁靶材則廣泛應(yīng)用于鏡面反射層的制作。浙江ITO靶材一般多少錢(qián)

銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,能夠滿足!導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問(wèn)題:銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低.并且容易發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致在使用過(guò)程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問(wèn)題,需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物,因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對(duì)困難,如今正在研究鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。浙江ITO靶材一般多少錢(qián)

標(biāo)簽: 陶瓷靶材 靶材