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西安新型濕法設備

來源: 發(fā)布時間:2023-12-18

電池濕法設備Topcon工藝RCA槽式清洗設備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢:閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風機+高效過濾器的方式,l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃l引進半導體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設備結構、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。光伏電池濕法制絨設備(HJT工藝)所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出。西安新型濕法設備

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電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理,雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設備,結構穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除,利用背面PSG保護,在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機設計為雙五道/雙六道分布結構,料臺歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口;去PSG設備布局前后通透,給設備使用者提供了便捷性;上料臺搭配了大流量全新滴液泵;南京HJT濕法設備廠家濕法刻蝕設備(Perc 工藝)去硅片除背面PSG和拋光處理。

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電池濕法設備的成本因設備規(guī)模、生產(chǎn)能力、設備品質(zhì)等因素而異。一般來說,電池濕法設備的成本包括設備本身的采購費用、安裝調(diào)試費用、運行維護費用等。設備本身的采購費用是影響成本的主要因素之一,一般來說,設備規(guī)模越大,生產(chǎn)能力越高,設備品質(zhì)越好,成本也就越高。此外,設備的運行維護費用也是影響成本的重要因素之一,包括能源消耗、人工維護費用、設備壽命等。因此,在選擇電池濕法設備時,需要綜合考慮設備的采購費用、運行維護費用等因素,以確保設備的成本合理、經(jīng)濟。

光伏電池濕法設備Topcon工藝,拋清洗設備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風機+高效過濾器的方式,l鏈式去BSG+槽式堿拋設備,設備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備,提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法制絨設備(Topcon工藝)增加背鈍化膜的膜厚均勻性。

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光伏電池濕法設備Topcon工藝,拋清洗設備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風機+高效過濾器的方式,l鏈式去BSG+槽式堿拋設備,設備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備,提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法設備的生產(chǎn)流程環(huán)保節(jié)能,減少對環(huán)境的影響,實現(xiàn)綠色制造和可持續(xù)發(fā)展。安徽HJT濕法設備報價

電池濕法背拋清洗設備(Topcon工藝)慢提拉采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。西安新型濕法設備

電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設備,并實現(xiàn)量產(chǎn),結構穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除,利用背面PSG保護,在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機設計為雙五道/雙六道分布結構,料臺歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口;去PSG設備布局前后通透,給設備使用者提供了便捷性;上料臺搭配了大流量全新滴液泵;西安新型濕法設備