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浙江晶片濕法裝備

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-12

電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備,其主要功能是將原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料,以及制造電解液和電池外殼等組成部分。具體來說,電池濕法設(shè)備的主要功能包括以下幾個(gè)方面:1.制備正負(fù)極材料:電池濕法設(shè)備可以將金屬氧化物、碳酸鹽等原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料,如鋰鐵磷酸、鈷酸鋰等。2.制造電解液:電池濕法設(shè)備可以制造電池的電解液,如鋰鹽溶液、電解液添加劑等。3.生產(chǎn)電池外殼:電池濕法設(shè)備可以生產(chǎn)電池的外殼,如鋁殼、鋼殼等。4.控制生產(chǎn)過程:電池濕法設(shè)備可以對(duì)生產(chǎn)過程進(jìn)行控制,如溫度、壓力、流量等參數(shù)的控制,以確保電池的質(zhì)量和性能。5.檢測(cè)和測(cè)試:電池濕法設(shè)備可以進(jìn)行電池的檢測(cè)和測(cè)試,如電池容量、電壓、內(nèi)阻等參數(shù)的測(cè)試,以確保電池的質(zhì)量和性能??傊?,電池濕法設(shè)備是電池生產(chǎn)過程中不可或缺的設(shè)備,其主要功能是將原材料轉(zhuǎn)化為電池的各個(gè)組成部分,并對(duì)生產(chǎn)過程進(jìn)行控制和檢測(cè),以確保電池的質(zhì)量和性能。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)去硅片除背面PSG和拋光處理。浙江晶片濕法裝備

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濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。西安智能濕法設(shè)備Topcon工藝光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;

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電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備,功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì):進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。

光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽(yáng)能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等電池濕法設(shè)備在制造過程中注重工藝流程的優(yōu)化和改進(jìn),不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

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電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。自動(dòng)化濕法刻蝕

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光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。浙江晶片濕法裝備