異質結電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT電池轉換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。光伏異質結可以應用在各種表面上，如玻璃、塑料等，具有廣泛的應用前景。山東釜川異質結PECVD

異質結太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結的形成。頂部電極由透明導電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質結硅太陽能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因為它們可以達到很高的轉換效率，可達26.3%，相關團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%，同時使用低溫度加工，通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時保持高產(chǎn)量。異質結電池具備光電轉化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡單等特點，為光伏領域帶來了新的希望。無錫零界高效異質結濕法設備光伏異質結可以與其他太陽能技術結合使用，如太陽能追蹤器和太陽能存儲系統(tǒng)，提高能源利用效率。

異質結電池轉換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產(chǎn)設備、太陽能電池生產(chǎn)設備為主要產(chǎn)品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設備的交付服務。異質結電池整線解決方案：釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現(xiàn)設備國產(chǎn)化,該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產(chǎn)能，并降低了生產(chǎn)成本。

異質結電池的清洗制絨：在沉積a-Si:H之前的晶圓清洗有兩個作用。一個是去除晶圓表面的顆粒和金屬污染。另一個是用氫氣使表面上的懸空鍵部分鈍化。清潔是降低a-Si:H/c-Si界面狀態(tài)密度的關鍵一步。不同清潔程序的效果可以通過測量清潔過的晶圓的載流子壽命來研究，這些晶圓已經(jīng)用相同的a-Si:H薄膜進行了鈍化。在高質量硅片的塊狀區(qū)域的載流子重組可以被認為是可以忽略的，因此對載流子壽命的測量表明了表面重組，因此也表明了清潔過程的質量。下圖顯示了在代爾夫特理工大學進行的三種不同清洗方法的比較。在晶圓兩面沉積本征a-Si:H層之前，以三種不同的方式處理（100）取向的FZ c-Si晶圓。晶圓使用標準的RCA清洗，第二個晶圓使用涉及濃硝酸的標準DIMES清洗程序進行清洗。所有三個晶圓都被浸泡在HF中，以去除原生氧化層，這是對第三個晶圓進行的處理。在預處理之后，在晶圓的兩面都沉積了120納米厚的本征a-Si:H層，每次運行都使用相同的沉積條件。使用Sinton壽命測試器測量載流子壽命，以評估鈍化質量。使用標準RCA工藝清潔的晶圓載流子壽命高，因此鈍化效果也好。只接受HF浸漬處理的晶圓觀察到低的載流子壽命。光伏異質結的廣泛應用將有助于減少溫室氣體排放，降低對化石能源的依賴，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標。

光伏異質結的壽命和穩(wěn)定性是影響其性能和應用的重要因素。光伏異質結的壽命通常由材料的缺陷密度和表面反射率等因素決定。在制備過程中，需要采用優(yōu)化的工藝和材料，以減少缺陷密度和提高表面反射率，從而延長光伏異質結的壽命。此外，光伏異質結的穩(wěn)定性也受到環(huán)境因素的影響，如溫度、濕度、光照強度等。為了提高光伏異質結的穩(wěn)定性，需要采用合適的封裝材料和技術，以保護光伏異質結不受外界環(huán)境的影響。總的來說，光伏異質結的壽命和穩(wěn)定性是可以通過優(yōu)化材料和工藝以及采用合適的封裝技術來提高的。零界高效異質結電池整線解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，明顯提升了太陽能電池的轉換效率。北京單晶硅異質結

光伏異質結的結構簡單，由非晶硅層和晶體硅層組成，具有制造工藝簡單、快速和低成本的優(yōu)勢。山東釜川異質結PECVD

異質結HJT電池生產(chǎn)設備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對n型硅片進行各項異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結構（“金字塔結構”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產(chǎn)生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時間等來進行調節(jié)控制。 山東釜川異質結PECVD