光伏銅電鍍技術(shù)采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線電極，實(shí)現(xiàn)整片電池的工藝轉(zhuǎn)換，打破瓶頸，創(chuàng)新行業(yè)發(fā)展。光伏電鍍銅設(shè)計(jì)的導(dǎo)電方式主要有彈片式導(dǎo)電舟方式、水平滾輪導(dǎo)電、模具掛架式、彈片重力夾具等方式。合理的導(dǎo)電方式對(duì)光伏電鍍銅設(shè)備非常重要是實(shí)現(xiàn)可量產(chǎn)的關(guān)鍵因素之一。優(yōu)良的導(dǎo)電方式可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的便捷維修和改善電鍍銅片與片之間的電鍍銅厚極差，甚至可以實(shí)現(xiàn)單片硅上分布電流的可監(jiān)控性。太陽(yáng)能電池電鍍銅技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)不僅可提升太陽(yáng)能電池板效能，而且可大規(guī)模降低成本。以開(kāi)掘市場(chǎng)潛力，全新的電鍍工藝旨在進(jìn)一步針對(duì)低成本電池的需求。無(wú)種子層直接銅電鍍工藝。上海光伏電鍍銅產(chǎn)線

光伏電池整線解決方案，電鍍銅工序包括種子層制備、圖形化、電鍍?nèi)蟓h(huán)節(jié)，涌現(xiàn)多種設(shè)備方案。電鍍銅 工藝尚未定型，各環(huán)節(jié)技術(shù)方案包括（1）種子層：設(shè)備主要采用 PVD，主要技術(shù)分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 分為干膜和油墨，主要技術(shù)分歧在于曝光顯影環(huán)節(jié)選用掩膜類光刻/LDI 激光直寫/激光 開(kāi)槽；（3）電鍍：主要技術(shù)分歧在于水平鍍/垂直鍍/光誘導(dǎo)電鍍。釜川（無(wú)錫）智能科技有限公司，以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì)，憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。光伏電池電鍍銅設(shè)備費(fèi)用電鍍銅工藝流程，圖形化和金屬化為重點(diǎn)心。

電鍍銅光刻技術(shù)是指利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將設(shè)計(jì)好的微圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到覆有感光材料的晶圓、玻璃基板、覆銅板等基材表面上的微納制造技術(shù)。光刻設(shè)備是微納制造的一種關(guān)鍵設(shè)備，在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)是否使用掩膜版，光刻技術(shù)主要分為直寫光刻與掩膜光刻，其中掩膜光刻可進(jìn)一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源發(fā)出的光束，經(jīng)掩膜版在感光材料上成像，具體可分為接近、接觸式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先進(jìn)，能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下獲得更小比例的圖像，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的成像。直寫光刻也稱無(wú)掩膜光刻，是指計(jì)算機(jī)將電路設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)換為機(jī)器可識(shí)別的圖形數(shù)據(jù)，并由計(jì)算機(jī)控制光束調(diào)制器實(shí)現(xiàn)圖形的實(shí)時(shí)顯示，再通過(guò)光學(xué)成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接進(jìn)行掃描曝光。直寫光刻既具有投影光刻的技術(shù)特點(diǎn)，如投影成像技術(shù)、雙臺(tái)面技術(shù)、步進(jìn)式掃描曝光等，又具有投影光刻不具備的高靈活性、低成本以及縮短工藝流程等技術(shù)特點(diǎn)。

銅柵線更細(xì)，線寬線距尺寸小，發(fā)電效率更高。柵線細(xì)、線寬線距小意味著柵線密度更大，更多的柵線可以更好地將光照產(chǎn)生的內(nèi)部載流子通過(guò)電流形式導(dǎo)出電池片，從而提高發(fā)電效率，銅電鍍技術(shù)電池轉(zhuǎn)化效率比絲網(wǎng)印刷高0.3%~0.5%。①低溫銀漿較為粘稠，印刷寬度更寬。高溫銀漿印刷線寬可達(dá)到20μm，但是低溫銀漿印刷的線寬大約為40μm。②銅電鍍銅離子沉積只有電子交換，柵線寬度更小。銅電鍍的線寬大約為20μm，采用類半導(dǎo)體的光刻技術(shù)可低于20μm。圖形化與電鍍銅替代銀漿絲網(wǎng)印刷。

銅電鍍工藝流程：種子層沉積—圖形化—電鍍—后處理，光伏電鍍銅工藝流程主要包括種子層沉積、圖形化、電鍍及后處理四大環(huán)節(jié)，目前各環(huán)節(jié)技術(shù)路線不一，多種組合工藝方案并行，需要綜合性能、成本來(lái)選擇合適的工藝路線。（1）種子層沉積：異質(zhì)結(jié)電池表面沉積有透明導(dǎo)電薄膜（TCO）作為導(dǎo)電層、減反射層，由于銅在TCO層上的附著性較差，兩者間為物理接觸，附著力主要為范德華力，電極容易脫落，一般需要在電鍍前在TCO層上先行使用PVD設(shè)備沉積種子層（100nm），改善電極接觸與附著性問(wèn)題。（2）圖形化：由于在TCO上鍍銅是非選擇性的，需要形成圖形化的掩膜以顯現(xiàn)待鍍銅區(qū)域的線路圖形，劃分導(dǎo)電與非導(dǎo)電部分。圖形化過(guò)程中，將感光膠層覆蓋于HJT電池表面，通過(guò)選擇性光照，使得不需要鍍銅的位置感光材料發(fā)生改性反應(yīng)，而需要鍍銅的位置感光材料不變；在顯影步驟時(shí)，待鍍銅區(qū)域內(nèi)未發(fā)生改性反應(yīng)的感光材料會(huì)被去除，形成圖形化的掩膜，后續(xù)電鍍時(shí)銅將沉積于該線路圖形區(qū)域內(nèi)露出的種子層上并發(fā)生導(dǎo)電，而其他位置不會(huì)發(fā)生銅沉積，實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍。電鍍銅工序包括圖形化環(huán)節(jié)。光伏電池電鍍銅設(shè)備費(fèi)用

電鍍銅路線的第一步是種子層的制備，用來(lái)增加電鍍銅與TCO層之間 的附著力。上海光伏電鍍銅產(chǎn)線

電鍍銅導(dǎo)電性與發(fā)電效率雙重提升金屬柵線電極與透明導(dǎo)電膜之間形成一個(gè)非整流的接觸——?dú)W姆接觸，歐姆接觸效果決定電池導(dǎo)電性與發(fā)電效率能否達(dá)到適合。影響歐姆接觸效果的因素有接觸面緊密結(jié)合度、柵線材料電阻率，電阻率越大，電池片對(duì)電子或載流子的負(fù)荷越高，電子或載流子的通過(guò)率越差。銅柵線導(dǎo)電性強(qiáng)于銀漿。銅的導(dǎo)電性與銀相近，但銀漿屬于混合物膠體，銅柵線是純銅，因此銅柵線的電阻率更低，銅柵線電阻率是1.7Ω/m，銀漿的電阻率大約為5-10Ω/m。上海光伏電鍍銅產(chǎn)線