連接件可以連接激光器模組的n面及第二激光器模組的n面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的并聯(lián)設(shè)置。本申請(qǐng)進(jìn)一步提出第五實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器，如圖6所示，本實(shí)施例半導(dǎo)體激光器601與上述實(shí)施例半導(dǎo)體激光器401的區(qū)別在于：本實(shí)施例的連接件607連接激光器模組608的p面及第二激光器模組609的p面，第二連接件610連接第二激光器模組609的n面及第三激光器模組611的p面。具體地，激光器模組608的巴條602的上表面為半導(dǎo)體n面，巴條602的下表面為半導(dǎo)體p面，第二激光器模組609的第二巴條603的上表面為半導(dǎo)體p面，第二巴條603的下表面為半導(dǎo)體n面，第三激光器模組611第三巴條604的上表面為半導(dǎo)體p面，第三巴條604的下表面為半導(dǎo)體n面，上電極層605及第三下電極層606與負(fù)電極引線a連接，下電極層605和與正電極引線b連接。通過(guò)上述設(shè)置，能夠?qū)崿F(xiàn)三個(gè)激光器模組的串并聯(lián)設(shè)置，能夠減少激光器的電極引線數(shù)量。本申請(qǐng)進(jìn)一步提出第六實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器，如圖7所示，本實(shí)施例半導(dǎo)體激光器701與上述實(shí)施例半導(dǎo)體激光器601的區(qū)別在于：本實(shí)施例的連接件713連接激光器模組714的p面及第二激光器模組715的p面，第二連接件717連接第二激光器模組715的n面及第三激光器模組716的n面。江蘇大型半導(dǎo)體激光加工推薦廠家。四川智能半導(dǎo)體激光加工應(yīng)用范圍

    一種半導(dǎo)體激光器，該半導(dǎo)體激光器包括：半導(dǎo)體激光器芯片cos(chip-on-submount)1、快軸準(zhǔn)直透鏡3、光束整形機(jī)構(gòu)4和光纖輸入端結(jié)構(gòu)7，具體結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖1。如圖2所示，光束整形機(jī)構(gòu)4包括：套筒41，以及設(shè)置在套筒41內(nèi)的慢軸準(zhǔn)直透鏡42、自聚焦透鏡43和限位環(huán)44。如圖2所示，光纖輸入端結(jié)構(gòu)7包括：陶瓷插針71和穿設(shè)在陶瓷插針71內(nèi)的光纖73；陶瓷插針71用于固定光纖73。陶瓷插針71的一端安裝于套筒41內(nèi)，限位環(huán)44位于陶瓷插針71和自聚焦透鏡43中間，實(shí)現(xiàn)自聚焦透鏡43和光纖73的光學(xué)定位；限位環(huán)44的長(zhǎng)度控制光纖73與自聚焦透鏡43間距，實(shí)現(xiàn)耦合焦距等的調(diào)整。半導(dǎo)體激光器芯片cos1依次通過(guò)快軸準(zhǔn)直透鏡3、慢軸準(zhǔn)直透鏡42、自聚焦透鏡43實(shí)現(xiàn)和光纖73前端的耦合對(duì)準(zhǔn)，半導(dǎo)體激光器芯片cos1輸出光束的光軸與快軸準(zhǔn)直透鏡3的光軸及光束整形機(jī)構(gòu)4的光軸在同一條直線上，使其適用于大的發(fā)光條寬的半導(dǎo)體激光器芯片cos1耦合進(jìn)芯徑較小的光纖73內(nèi)，耦合效率高，可靠性好，操作簡(jiǎn)單?？燧S準(zhǔn)直透鏡3是固定于靠近半導(dǎo)體激光器芯片cos1前端的位置，兩者距離在微米級(jí)。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，陶瓷插針71的一端通過(guò)膠粘方式安裝于套筒41內(nèi)。吉林本地半導(dǎo)體激光加工哪里買江蘇大型半導(dǎo)體激光加工按需定制。

    本發(fā)明涉及激光技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體激光器。背景技術(shù)：半導(dǎo)體激光器所發(fā)出的光在垂直于p-n結(jié)方向(通稱快軸)具有較大發(fā)散角和較窄的發(fā)光區(qū)，快軸發(fā)散角通常為30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n結(jié)方向(通稱慢軸)具有較小發(fā)散角及較大的發(fā)光區(qū)，慢軸發(fā)散角通常為8°～12°，發(fā)光條的寬度通常在100～200μm。如何提高大的發(fā)光條寬度的半導(dǎo)體激光器芯片cos發(fā)出的光耦合進(jìn)入直徑和na(數(shù)值孔徑)較小的光纖內(nèi)的耦合效率，一直是一個(gè)難題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N半導(dǎo)體激光器，以便解決或者部分解決上述問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體激光器，該半導(dǎo)體激光器包括：半導(dǎo)體激光器芯片cos、快軸準(zhǔn)直透鏡、光束整形機(jī)構(gòu)和光纖輸入端結(jié)構(gòu)；所述光束整形機(jī)構(gòu)包括：套筒，以及設(shè)置在所述套筒內(nèi)的慢軸準(zhǔn)直透鏡、自聚焦透鏡和限位環(huán)；所述光纖輸入端結(jié)構(gòu)包括：陶瓷插針和穿設(shè)在所述陶瓷插針內(nèi)的光纖；所述陶瓷插針的一端安裝于所述套筒內(nèi)，所述限位環(huán)位于所述陶瓷插針和所述自聚焦透鏡中間，實(shí)現(xiàn)所述自聚焦透鏡和所述光纖的光學(xué)定位。

    激光器模組203包括：巴條206、上電極層207及下電極層208，其中，上電極層206設(shè)置在巴條203的上表面，下電極層208位于巴條206與熱沉基板202的上表面之間；第二激光器模組204包括：第二巴條209、第二上電極層210及第二下電極層211，第二上電極層210位于熱沉基板202的下表面與第二巴條209之間，第二下電極層211設(shè)置在第二巴條209的下表面；其中，下電極層208與第二上電極層210通過(guò)連接件205連接。本實(shí)施例的熱沉基板202用于對(duì)位于其上表面的激光器模組203及位于下表面的第二激光器模組204進(jìn)行散熱。其中，本實(shí)施例的巴條206及第二巴條209均為半導(dǎo)體巴條。本實(shí)施例可以通過(guò)激光打孔或者光刻、刻蝕等工藝在熱沉基板202上形成上述通孔。通孔的形狀、大小和數(shù)量是由半導(dǎo)體激光器功率和制備的工藝等因素來(lái)決定。其中，本實(shí)施例的上述通孔推薦為圓形，該通孔的孔徑范圍為5～200um，具體可為5um、50um、100um、150um及200um等，具體不做限定。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，該通孔還可以是其它形狀，如方形，或者具有其它孔徑。需要注意的是，本實(shí)施例只示出了半導(dǎo)體激光器201的垂直疊層結(jié)構(gòu)，在水平方向上。江蘇工業(yè)半導(dǎo)體激光加工推薦廠家。

    激光器領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體激光器。背景技術(shù)：半導(dǎo)體激光泵浦的全固態(tài)激光器是20世紀(jì)80年代末期出現(xiàn)的新型激光器。其總體效率至少要比燈泵浦高10倍，由于單位輸出的熱負(fù)荷降低，可獲取更高的功率，系統(tǒng)壽命和可靠性大約是閃光燈泵浦系統(tǒng)的100倍，因此，半導(dǎo)體激光器泵浦技術(shù)為固體激光器注入了新的生機(jī)和活力，使全固態(tài)激光器同時(shí)具有固體激光器和半導(dǎo)體激光器的雙重特點(diǎn)，它的出現(xiàn)和逐漸成熟是固體激光器的一場(chǎng)，也是固體激光器的發(fā)展方向。并且，它已滲透到各個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，例如：激光信息存儲(chǔ)與處理、激光材料加工、激光醫(yī)學(xué)及生物學(xué)、激光通訊、激光印刷、激光光譜學(xué)、激光化學(xué)、激光分離同位素、激光核聚變、激光投影顯示、激光檢測(cè)與計(jì)量及激光技術(shù)等，極大地促進(jìn)了這些領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和前所未有的發(fā)展。本申請(qǐng)的發(fā)明人在長(zhǎng)期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前在大功率激光器封裝技術(shù)的研究主要集中在激光器的工藝，而在可靠性和散熱方面的相關(guān)研究較少，現(xiàn)有的大功率激光器一般采用激光巴條堆疊的方式，一是使用銦(indium)、或金錫共金，將激光巴條與電導(dǎo)體銅塊黏合串連，但由于銅塊金屬的熱膨脹系數(shù)(thermalexpansioncoefficient,tce)高達(dá)17e-6/℃。江蘇工業(yè)半導(dǎo)體激光加工批量定制。銷售半導(dǎo)體激光加工設(shè)備價(jià)格

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    由于這些特點(diǎn)，半導(dǎo)體激光器自問(wèn)世以來(lái)得到了世界各國(guó)的關(guān)注與研究。成為世界上發(fā)展快、應(yīng)用、早走出實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)商用化且產(chǎn)值大的一類激光器。經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展，半導(dǎo)體激光器已經(jīng)從初的低溫77K、脈沖運(yùn)轉(zhuǎn)發(fā)展到室溫連續(xù)工作、工作波長(zhǎng)從開(kāi)始的紅外、紅光擴(kuò)展到藍(lán)紫光；閾值電流由10^5A/cm2量級(jí)降至10^2A/cm2量級(jí)；工作電流小到亞mA量級(jí)；輸出功率從幾mW到陣列器件輸出功率達(dá)數(shù)kW；結(jié)構(gòu)從同質(zhì)結(jié)發(fā)展到單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)、量子阱、量子阱陣列、分布反饋型、DFB、分布布拉格反射型、DBR等270多種形式。制作方法從擴(kuò)散法發(fā)展到液相外延、LPE、氣相外延、VPE、金屬有機(jī)化合物淀積、MOCVD、分子束外延、MBE、化學(xué)束外延、CBE等多種制備工藝。詞條圖冊(cè)更多圖冊(cè)詞條標(biāo)簽：科學(xué)百科信息科學(xué)分類，中國(guó)通信學(xué)會(huì)，科技產(chǎn)品。 四川智能半導(dǎo)體激光加工應(yīng)用范圍

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