焊料性能不良、助焊劑性能不良、基板焊盤(pán)金屬鍍層不良；焊接參數(shù)（溫度、時(shí)間）設(shè)置不當(dāng)。影響：虛焊使焊點(diǎn)成為或有接觸電阻的連接狀態(tài)，導(dǎo)致電路工作不正常，或出現(xiàn)電連接時(shí)通時(shí)不通的不穩(wěn)定現(xiàn)象，電路中的噪聲(特別在通信電路中)增加而沒(méi)有規(guī)律性，給電路的調(diào)試、使用和維護(hù)帶來(lái)重大隱患。此外，也有一部分虛焊點(diǎn)在電路開(kāi)始工作的一段較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，保持電氣接觸尚好，因此不容易發(fā)現(xiàn)。但在溫度變化、濕度變化和振動(dòng)等環(huán)境條件作用下，接觸表面逐步被氧化，接觸慢慢地變得不完全起來(lái)，進(jìn)而使電路“**”。另外，虛焊點(diǎn)的接觸電阻會(huì)引起局部發(fā)熱，局部溫度升高又促使不完全接觸的焊點(diǎn)情況進(jìn)一步惡化，**終甚至使焊點(diǎn)脫落，電路完全不能正常工作。這一過(guò)程有時(shí)可長(zhǎng)達(dá)一、二年。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)和維修服務(wù)中，要從一臺(tái)成千上萬(wàn)個(gè)焊點(diǎn)的電子設(shè)備里找出引起故障的虛焊點(diǎn)來(lái)，這并不是一件容易的事。所以，虛焊是電路可靠性的一大隱患，必須引起重視，研究其規(guī)律，采取措施，降低其危害。虛焊的特點(diǎn)：從電子產(chǎn)品測(cè)試角度講，一部分虛焊焊點(diǎn)在生產(chǎn)的測(cè)試環(huán)節(jié)中，表現(xiàn)出時(shí)通時(shí)不通的特點(diǎn)，故障雖然查找較麻煩。但可以把故障焊點(diǎn)解決在出廠之前。它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱(chēng)為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管。惠州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方法(1)．準(zhǔn)備工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線(xiàn)與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開(kāi)，然后拆掉導(dǎo)線(xiàn)。(2)．判定電極將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。(3)．檢查放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類(lèi)，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：(1).MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線(xiàn)把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。。中山有什么場(chǎng)效應(yīng)管MOS放大mos管選擇深圳盟科電子。

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號(hào)源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。

由于PASS ZEN1放大器工作在單端甲類(lèi)狀態(tài)，雙通道工作時(shí)，靜態(tài)電流約為4 A，如采用單只變壓器供電，變壓器容量與次級(jí)線(xiàn)徑均要較大，否則采用每聲道獨(dú)自供電是個(gè)不錯(cuò)的選擇。本機(jī)采用1只500W 環(huán)牛為雙聲道供電；由于靜態(tài)電流較大，整流橋的容量、品質(zhì)一定要有保證，雙聲道供電應(yīng)選用50A整流橋，否則壓降過(guò)大，整流橋嚴(yán)重發(fā)熱，甚至燒毀，應(yīng)保證供電電壓在34 V左右；同時(shí)由于電源電路負(fù)載較重，濾波電容一定要有足夠的容量，否則可能引發(fā)交流聲，如在不采用穩(wěn)壓供電情況下難以消除交流聲，可采用簡(jiǎn)單的RC濾波形式，效果也很好，此時(shí)R應(yīng)采用阻值在0.1 Ω 以下的電阻，并采用多階濾波形式。20V的N管有什么型號(hào)推薦？

PASSZEN1的靜態(tài)工作電流由R1設(shè)定，適當(dāng)加大R1可進(jìn)一步降低功耗，但同時(shí)機(jī)器的最大輸出功率也有所下降。在散熱片面積偏小情況下，可利用上述方法折中，但一般不建議這樣做。在電路連接無(wú)誤情況下，給機(jī)器加電，測(cè)量Q1的S，D腳間電壓，并調(diào)整P1，使得S，D間電壓為供電電壓的一半。機(jī)器音色的調(diào)校對(duì)本放大器音色影響較大的器件，主要是IRFP140及輸出電容C3，C4，電容應(yīng)盡量選取音頻電容器，同時(shí)也可使用1支6800uF并聯(lián)1支1uFCBB電容代替C3，C4。盟科MK6803參數(shù)是可以替代萬(wàn)代AO6803的參數(shù)。惠州中低壓場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌

盟科有貼片封裝形式的場(chǎng)效應(yīng)管?；葜軵溝道場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌

    將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng)。無(wú)論表針的擺動(dòng)方向如何，只要能有明顯地?cái)[動(dòng)，就說(shuō)明管子具有放大能力。本方法也適用于測(cè)MOS管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上，將管子損壞。 惠州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌

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