由于甲類功放在信號(hào)放大過(guò)程中,不存在交越失真,音樂(lè)味濃郁.深受音響發(fā)燒友推崇而制約甲類功放普及的一個(gè)重要因素是幾乎所有的單端甲類機(jī)器都需要輸出變壓器;另外甲類機(jī)器功耗較大.機(jī)器的穩(wěn)定性也受到影響。一般家用的甲類功放,具有的6W的功率輸出.足以滿足音樂(lè)欣賞的要求.前提是聽(tīng)音面積不能太大.另外音箱要有較好的靈敏度,從降低功率作成本、減小功耗、提高可靠性的角度考慮.需要選擇一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,功耗相對(duì)較低的線路。國(guó)內(nèi)品質(zhì)比較好的場(chǎng)效應(yīng)管廠家。東莞P溝道場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,我們先了解一下只含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過(guò)程。如圖6所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。同理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),二極管截止?;葜莨β蕡?chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)盟科電子場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。
場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù):飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up,(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,或開(kāi)啟電壓UT(加強(qiáng)型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和比較大漏源電流IDSM。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(juncTIonFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorFET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。開(kāi)關(guān)mos管選擇深圳盟科電子。
簡(jiǎn)稱晶體管)是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié),并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型,這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ),所謂OTL電路中的對(duì)管就是由PNP型和NPN型配對(duì)使用。按材料來(lái)分可分硅和鍺管,我國(guó)目前生產(chǎn)的硅管多為NPN型,鍺管多為PNP型。4、半導(dǎo)體三極管放大的條件:要實(shí)現(xiàn)放大作用,必須給三極管加合適的電壓,即管子發(fā)射結(jié)必須具備正向偏壓,而集電極必須反向偏壓,這也是三極管的放大必須具備的外部條件。5、半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)a;電流放大系數(shù):對(duì)于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化,使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化,即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大,這就是三極管的電流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;極間反向電流,集電極與基極的反向飽和電流。c;極限參數(shù):反向擊穿電壓,集電極比較大允許電流、集電極比較大允許功率損耗。6、半導(dǎo)體三極管具有三種工作狀態(tài),放大、飽和、截止,在模擬電路中一般使用放大作用。飽和和截止?fàn)顟B(tài)一般合用在數(shù)字電路中。a;半導(dǎo)體三極管的三種基本的放大電路。b;三極管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過(guò)交流信號(hào)的傳輸路徑來(lái)判斷,沒(méi)有交流信號(hào)通過(guò)的極。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。深圳大23場(chǎng)效應(yīng)管哪家好
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場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用非常為多方面的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,以及非常近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。東莞P溝道場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
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