場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor)也是一種具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱(chēng)FET, 它與三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過(guò)改變柵極的電壓可以控制漏極和源極之間的電流,場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點(diǎn),但容易被擊穿。場(chǎng)效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)不同分為兩大類(lèi),即絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料制成,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管。M0S管按其工作狀態(tài)可分 為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,每種類(lèi)型按其導(dǎo)電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管按其導(dǎo)電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。盟科電子2010年就開(kāi)始做場(chǎng)效應(yīng)管了。加工場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,F(xiàn)ET)的簡(jiǎn)稱(chēng)。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挕⑹軠囟群洼椛溆绊懶〉葍?yōu)點(diǎn),特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以被稱(chēng)為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制和放大,但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管無(wú)法替代的。 肇慶場(chǎng)效應(yīng)管哪家好電源用的高壓mos盟科有做嗎?
場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開(kāi)關(guān)作用,作開(kāi)關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類(lèi)電子負(fù)載控制、開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管,MOS管非常明顯的特性是開(kāi)關(guān)特性好,對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō),Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況,也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō),Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況,也就是驅(qū)動(dòng)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類(lèi)少等原因,在驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。如下圖是某開(kāi)關(guān)電源其中一部分電路圖,在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開(kāi)關(guān)管。
MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件,其輸入電阻不夠高,在許多場(chǎng)合下不能滿(mǎn)足人們的要求,經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐,人們研制出一種仍具有PN結(jié),但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流,故此命名,它的特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng),在工藝上便于集成,因此得到廣的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同,場(chǎng)效應(yīng)三極管可分為以下兩大類(lèi)。①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管(JFET)②絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管(MOS管)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例,以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片,在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域,進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價(jià)的硼),在兩側(cè)形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)的引出線(xiàn)連在一起,作為一個(gè)電極,稱(chēng)之為柵極G。在N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極,分別叫源極S和漏極D。3個(gè)電極G、S、D的作用,可以近似地認(rèn)為分別相當(dāng)于半導(dǎo)體三極管的基極B、射極E和集電極C。兩個(gè)PN結(jié)之間的區(qū)域,稱(chēng)為導(dǎo)電溝道,當(dāng)在漏極和源極間加上電壓,這個(gè)區(qū)域就是載流子流過(guò)的渠道,也就是電流的通道。由于這里的導(dǎo)電通道是N型半導(dǎo)體,所以這種管子叫N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,它的為符號(hào)如圖所示。箭頭的方向。252封裝MOS管盟科電子做得很不錯(cuò)。。
由于PASS ZEN1放大器工作在單端甲類(lèi)狀態(tài),雙通道工作時(shí),靜態(tài)電流約為4 A,如采用單只變壓器供電,變壓器容量與次級(jí)線(xiàn)徑均要較大,否則采用每聲道獨(dú)自供電是個(gè)不錯(cuò)的選擇。本機(jī)采用1只500W 環(huán)牛為雙聲道供電;由于靜態(tài)電流較大,整流橋的容量、品質(zhì)一定要有保證,雙聲道供電應(yīng)選用50A整流橋,否則壓降過(guò)大,整流橋嚴(yán)重發(fā)熱,甚至燒毀,應(yīng)保證供電電壓在34 V左右;同時(shí)由于電源電路負(fù)載較重,濾波電容一定要有足夠的容量,否則可能引發(fā)交流聲,如在不采用穩(wěn)壓供電情況下難以消除交流聲,可采用簡(jiǎn)單的RC濾波形式,效果也很好,此時(shí)R應(yīng)采用阻值在0.1 Ω 以下的電阻,并采用多階濾波形式。捷捷微的mos芯片質(zhì)量怎么樣?惠州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管批量定制
盟科電子MOS管可應(yīng)用于放大。加工場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
為了避免普通音量電位器傳輸失真,非穩(wěn)態(tài)接觸電阻、摩擦噪聲和操作易感疲憊之嫌,本機(jī)采用音響型極低噪聲VMOS場(chǎng)效應(yīng)管IRFD113作指觸音量控制。其相對(duì)于鍵控音量電路又減少了一些元件,并加以屏蔽,使音量控制部分的噪聲系數(shù)達(dá)到1dB以下(VMOS場(chǎng)效應(yīng)管噪聲系數(shù)在0.5dB左右),敢與優(yōu)良真空步進(jìn)電位器或無(wú)源變壓器電位器抗衡,手感更貼切人性化。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻高,屬電壓控制器件,在柵極及源極之間連接充電電容,由于柵漏電流極小,電容電壓在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)能基本保持不變。當(dāng)管子工作于可調(diào)電阻區(qū)時(shí),其漏源極電阻將受到柵源極電壓即電容的電壓所控制,這時(shí)管子相當(dāng)于壓控可變電阻,當(dāng)指觸(依手指電阻導(dǎo)電)開(kāi)關(guān)S1閉合,即向電容充電,當(dāng)指觸開(kāi)關(guān)S2閉合,即將電容放電,從而達(dá)到以電壓控制漏源極電阻的目的。將其按入音響設(shè)備中,即可調(diào)節(jié)音量的大小。S1和S2可用薄銀片或薄銅片制作,間距2mm左右,待調(diào)試后確定,音量增減量設(shè)置在±2dB左右。加工場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
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