場效應(yīng)管的工作原理，我們先了解一下只含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過程。如圖6所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。場效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大。東莞N型場效應(yīng)管生產(chǎn)過程

場效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。中山雙N場效應(yīng)管銷售廠能替代SI的國產(chǎn)品牌有哪些？

MOS場效應(yīng)管的測試方法(1)．準(zhǔn)備工作測量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判定電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。(3)．檢查放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：(1).MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。。

場效應(yīng)管在mpn中，它的長相和我們常面講的三極管非常像，所以有不少修朋友好長時(shí)間還分不清楚，統(tǒng)一的把這些長相相同的三極管、場效應(yīng)管、雙二極管、還有各種穩(wěn)壓IC統(tǒng)統(tǒng)稱作“三個(gè)腳的管管”，呵呵，如果這樣麻木不分的話，你的維修技術(shù)恐怕很難快速提高的哦！關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據(jù)使用的場合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關(guān)使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強(qiáng)型的場效應(yīng)管(MOS型)，它的電路圖符號(hào)：盟科電子MOS管可以用作可變電阻。

場效應(yīng)管測試儀儀器主要用以功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內(nèi)、國際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計(jì)，是交流安全通用測試儀器，合適家電及低壓電器的安全測試。測試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示，測試時(shí)間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調(diào)和細(xì)調(diào)旋鈕調(diào)節(jié)。漏電流超差時(shí)自動(dòng)切斷測試電壓，并發(fā)出聲光報(bào)警信號(hào)。有外控端子。臣式機(jī)箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術(shù)參數(shù)：測試電壓：AC0～5KV。測試電壓誤差：低于3％。測試電壓波形：50Hz市電正弦波。輸出容量：500VA(DF2670)，500VA/750VA(DF2670A)。漏電流范圍：2mA～20mA共六檔(DF2670)～2mA/～20mA(DF2670A)。漏電流測試誤差：低于3％。測試時(shí)間：1～99秒。時(shí)間誤差：低于1％。一：場效應(yīng)管的主要參數(shù)(1)直流參數(shù)飽和漏極電流IDSS它可概念為：當(dāng)柵、源極之間的電壓相等零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對(duì)應(yīng)的漏極電流。夾斷電壓UP它可概念為：當(dāng)UDS一定時(shí)，使ID減少到一個(gè)細(xì)微的電流時(shí)所需的UGS打開電壓UT它可概念為：當(dāng)UDS一定時(shí)，使ID到達(dá)某一個(gè)數(shù)值時(shí)所需的UGS。盟科MK6409參數(shù)是可以替代AO6409的。中山雙P場效應(yīng)管代理品牌

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    場效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開關(guān)型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場效應(yīng)管包括結(jié)型場效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個(gè)電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS《0時(shí)，會(huì)形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體，在VGS》0時(shí)，會(huì)形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的器件，主要用作可控整流、功率開關(guān)、信號(hào)放大等，應(yīng)用比較多方面。MOS管的通道依靠VGS的電平，對(duì)于NMOS而言，VGS》0時(shí)，NMOS導(dǎo)通，否則NMOS截止；對(duì)于PMOS而言，VGS《0，PMOS導(dǎo)通，否則截止。晶閘管又稱可控硅，其與場效應(yīng)管一樣，皆為半導(dǎo)體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們?cè)陔娐分械挠猛緟s不一樣。 東莞N型場效應(yīng)管生產(chǎn)過程

深圳市盟科電子科技有限公司位于燕羅街道燕川社區(qū)紅湖東路西側(cè)嘉達(dá)工業(yè)園5棟廠房301。公司業(yè)務(wù)分為MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。盟科電子立足于全國市場，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。