場(chǎng)效應(yīng)管/場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)兩大類(lèi)。按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。 20V耐壓的mos怎么選型?東莞TO-252場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S(可互換),余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另外一極是屏蔽極(使用中接地)。用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。 惠州TO-251場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)過(guò)程20V的N管有什么型號(hào)推薦?
為了安全地使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線(xiàn)路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓,P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,所以,在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)同時(shí)也要注意管子的防潮。為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線(xiàn)路本身都必須有良好的接地,管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前。管的全部引線(xiàn)端保持互相短接的狀態(tài),焊接完后才把短接材科去掉,從元器件架上取下管子時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,并且可確保安全在未關(guān)斷電源時(shí),相對(duì)不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。
場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,F(xiàn)ET)的簡(jiǎn)稱(chēng)。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點(diǎn),特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以被稱(chēng)為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制和放大,但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管無(wú)法替代的。 場(chǎng)效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電。
場(chǎng)效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬(wàn)用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)無(wú)反應(yīng),即表針回零位置不動(dòng).此時(shí)應(yīng)可判斷出場(chǎng)效應(yīng)管為好管.將萬(wàn)用表的量程選擇在RX1K檔,分別測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無(wú)窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無(wú)窮大時(shí),則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬(wàn)用表測(cè)量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測(cè)量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.盟科有SOT-23封裝形式的MOS管。中山低壓場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家
盟科有TO封裝形式的MOS管。東莞TO-252場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn):具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號(hào)源吸取電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。東莞TO-252場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家
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