場效應(yīng)管非常重要的一個作用是作開關(guān)作用，作開關(guān)時候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負載控制、開關(guān)電源開關(guān)管，MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是驅(qū)動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關(guān)電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管。高壓mos管選擇深圳盟科電子。珠海插件場效應(yīng)管

場管效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用非常為多方面的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及非常近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。小家電場效應(yīng)管多少錢國內(nèi)品質(zhì)比較好的場效應(yīng)管廠家。

各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點及屬性，也各有其不足之處，而場效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢，同時還具備兩者所沒有的優(yōu)勢。在電路程式上，大量實踐證明，單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范，具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復(fù)制作功放，反復(fù)對比聽音，非常終為A類所動，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂。各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點及屬性，也各有其不足之處，而場效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢，同時還具備兩者所沒有的優(yōu)勢。在電路程式上，大量實踐證明，單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范，具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復(fù)制作功放，反復(fù)對比聽音，非常終為A類所動，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂。

結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別：場效應(yīng)管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。場效應(yīng)管產(chǎn)品選擇盟科電子。

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構(gòu)造，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當Vgs=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構(gòu)成電流。當柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓），經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。盟科電子MOS管可以方便地用作恒流源。P型場效應(yīng)管產(chǎn)品介紹

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為了安全地使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負偏壓等等。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時比較好放在金屬盒內(nèi)同時也要注意管子的防潮。為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地，管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài)，焊接完后才把短接材科去掉，從元器件架上取下管子時，應(yīng)以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且可確保安全在未關(guān)斷電源時，相對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。珠海插件場效應(yīng)管

深圳市盟科電子科技有限公司位于燕羅街道燕川社區(qū)紅湖東路西側(cè)嘉達工業(yè)園5棟廠房301。公司業(yè)務(wù)涵蓋MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等，價格合理，品質(zhì)有保證。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。盟科電子秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念，全力打造公司的重點競爭力。