晶閘管又稱可控硅，其與場效應(yīng)管一樣，皆為半導(dǎo)體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們在電路中的用途卻不一樣。晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們在電子電路中可以作為電子開關(guān)使用，用來控制負(fù)載的通斷；可以用來調(diào)節(jié)交流電壓，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控?zé)?，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關(guān)驅(qū)動燈泡工作。在白熾燈泡無級調(diào)光或電風(fēng)扇無級調(diào)速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來實(shí)現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。雙向晶閘管的電路符號。MOS場效應(yīng)管的電路符號。場效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件，其可以分為結(jié)型場效應(yīng)管和MOS場效應(yīng)管兩種，每種類型的場效應(yīng)管又有P溝道和N溝道之分。場效應(yīng)管在電子電路中既可以作為放大器件用來放大信號，又可以作為開關(guān)器件用來控制負(fù)載的通斷，故場效應(yīng)管的用途比晶閘管更廣一些。在功放電路中，采用VMOS場效應(yīng)管作為功率放大元件，可以提高音質(zhì)。在開關(guān)電路中，驅(qū)動電機(jī)等大電流負(fù)載時，選用MOS場效應(yīng)管作為電子開關(guān)，可以減輕前級驅(qū)動電路的負(fù)擔(dān)（若選用晶閘管的話，需要從前級電路汲取較大的驅(qū)動電流）。252封裝場效應(yīng)管選擇深圳盟科電子。佛山貼片場效應(yīng)管

根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試，直到判別出柵極為止。中山IC保護(hù)場效應(yīng)管盟科MK6409參數(shù)是可以替代萬代AO6409的參數(shù)。

場效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時觸及一下G,D極,場效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場效應(yīng)管應(yīng)無反應(yīng),即表針回零位置不動.此時應(yīng)可判斷出場效應(yīng)管為好管.將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應(yīng)管三個管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時,并且再交換表筆后仍為無窮大時,則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬用表測量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓），經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。盟科有TO-252封裝形式的MOS管。

場效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。盟科MK3400參數(shù)是可以替代萬代AO3400的參數(shù)。中山雙N場效應(yīng)管供應(yīng)

開關(guān)mos管盟科電子做得很不錯。佛山貼片場效應(yīng)管

電子產(chǎn)品失效故障中，虛焊焊點(diǎn)失效占很大比重，據(jù)統(tǒng)計數(shù)字表明，在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中，有將近一半是由于焊接不良引起的，幾乎超過電子元器件失效的概率，它使電子產(chǎn)品可靠性降低，輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化，重則電路板無法完成設(shè)計功能，更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰，造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié)，虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時間、精力上造成極大的浪費(fèi)，有時為找一個虛焊點(diǎn)，用上一整天的時間的情況并不鮮見。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程及維修過程中，即使從各方面努力，也無法杜絕虛焊現(xiàn)象，因此，虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點(diǎn)問題。筆者長期從事電子產(chǎn)品裝聯(lián)、電子電路測試、電子產(chǎn)品優(yōu)化和電子產(chǎn)品系統(tǒng)維修，淺談《電子產(chǎn)品生產(chǎn)中虛焊分析及預(yù)防》，旨在減少虛焊的危害，提高電子產(chǎn)品質(zhì)量，也是拋磚引玉，以引起大家對虛焊的注。虛焊：在電子產(chǎn)品裝聯(lián)過程中所產(chǎn)生的不良焊點(diǎn)之一，焊點(diǎn)的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物（IMC）,它使元器件與基板間形成不可靠連接。（這里定義的虛焊指PCBA上的焊點(diǎn)虛焊。）產(chǎn)生原因：基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染。佛山貼片場效應(yīng)管

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