場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxidesemiconductorFET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。盟科電子MOS管可以方便地用作恒流源?;葜軵溝道場效應管出廠價
場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管。而在信號源電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應用三極管。場效應管靠多子導電,管中運動的只是一種極性的載流子;三極管既用多子,又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響,因此在環(huán)境變化較強烈的場合,采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高,適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數(shù)小,適用于低噪聲放大器的前置級。氧化物半導體場效應管廠家現(xiàn)貨盟科有插件封裝形式的MOS管。
MK3401是一款P溝道的增強型場效應管,其參數(shù)匹配萬代AO3401,有SOT-23和SOT-23-3L兩種封裝,盟科從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產(chǎn)和應用。還有其他一些系列,如三極管,二極管,LDO,質(zhì)量穩(wěn)定,供貨能力強。這款電壓BVDSS是大于30V,電流ID可達4.2A,阻抗Rdon在VGS@10V檔位下小于65毫歐,VGS@4.5V檔位下小于80毫歐。開啟電壓VGS(th)典型值在0.7V左右。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS,標準絲印為A19T,也可以支持ODM定制,盟科一直致力于做好產(chǎn)品和服務。公司在深圳寶安區(qū),廠房面積有1萬平方左右,有10幾條生產(chǎn)線。MOS其他系列的20V30V60V100V一系列都作為公司主推產(chǎn)品。
柵極電壓(UGs)對漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時,漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq;當UGs=0時,ID的值為場效應管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時,反映ID與Uds之間的關系曲線為輸出特性曲線,也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應管的輸出特性曲線。由圖可見,它分為三個區(qū):飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時,應工作在飽和區(qū)(這一點與前面講的普通三極管不同)。注意,此處的“飽和區(qū)”對應普通三極管的“放大區(qū)”。盟科MK2302參數(shù)是可以替代SI2302的。
在單端甲類放大電路中使用的放大器件也有一番講究。晶體管具有太低的輸入阻抗,電子管的輸入阻抗很高,但其輸出阻抗也比較高,從原理上講電子管并不適合做功放輸出管,因此只有的選擇是場效應管。場效應管具有很高的輸入阻抗和跨導,也能輸出很大的電流,很適合應用在單端甲類放大器中。而在眾多的場效應管中,用VMOS場效應管制作的單端甲類放大器,更領風,魅力獨特。出色的鈦膜聲,中頻飽滿細膩流暢的磁性聲,彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲,別有一番霸道氣勢。盟科MK6803參數(shù)是可以替代AO6803的。TO-251場效應管哪家好
中壓壓mos管盟科電子做得很不錯?;葜軵溝道場效應管出廠價
場效應管(Field-EffectTransistor)也是一種具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的半導體器件,簡稱FET,它與三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過改變柵極的電壓可以控制漏極和源極之間的電流,場效應管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點,但容易被擊穿。場效應管按其結(jié)構(gòu)不同分為兩大類,即絕緣柵型場效應管和結(jié)型場效應管。絕緣柵型場效應管由金屬、氧化物和半導體材料制成,簡稱MOS管。M0S管按其工作狀態(tài)可分為增強型和耗盡型兩種,每種類型按其導電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場效應管按其導電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種?;葜軵溝道場效應管出廠價
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