晶體管是一種與其他電路元件結(jié)合使用時(shí)可產(chǎn)生電流增益、電壓增益和信號(hào)功率增益的多結(jié)半導(dǎo)體器件。因此，晶體管稱(chēng)為有源器件，而二極管稱(chēng)為無(wú)源器件。晶體管的基本工作方式是在其兩端施加電壓時(shí)控制另一端的電流。晶體管兩種主要類(lèi)型：雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor-BJT)作為兩種主要類(lèi)型的晶體管之一，又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管、晶體三極管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管。它由兩個(gè)PN結(jié)組合而成，有兩種載流子參與導(dǎo)電是一種電流控制電流源器件。晶體三極管主要應(yīng)用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。S8050 J3Y廠家有哪些？哪家好？盟科電子做得不錯(cuò)。溫州直插三極管測(cè)量方法

晶體三極管的特性曲線：晶體三極管的輸入特性曲線。當(dāng)UCE=0時(shí)，相當(dāng)于集電極與發(fā)射極短路，即發(fā)射結(jié)與集電結(jié)并聯(lián)。因此，輸入特性曲線與PN結(jié)的伏安特性類(lèi)似，呈指數(shù)關(guān)系。當(dāng)UCE增大時(shí)，曲線將右移。對(duì)于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以近似UCE大于1V的所有輸入特性曲線。晶體三極管的輸出特性曲線5所示。對(duì)于每一個(gè)確定的IB,都有一條曲線，所以輸出特性的一族曲線。截止區(qū):發(fā)射結(jié)電壓小于開(kāi)啟電壓，且集電結(jié)反向偏置。放大區(qū):發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。飽和區(qū):發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均處于正向偏置。東莞貼片三極管廠家現(xiàn)貨三極管封裝形式指定該管的外觀形狀，如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導(dǎo)致組件無(wú)法在電路板上實(shí)現(xiàn)。

三極管的電子運(yùn)動(dòng)原理：發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE發(fā)射結(jié)加正向電壓且發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高，所以大量自由電子因擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)越過(guò)發(fā)射結(jié)到達(dá)基區(qū)。與此同時(shí)，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時(shí)可忽略不計(jì)?？梢?jiàn)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成了發(fā)射極電流IE。由于基區(qū)很薄，雜質(zhì)濃度很低，集電結(jié)又加了反向電壓，所以擴(kuò)散到基區(qū)的電子中只有極少部分與空穴復(fù)合，其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子到達(dá)集電結(jié)。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)將源源不斷地進(jìn)行，形成基極電流IB。

三極管單純從“放大”的角度來(lái)看，我們希望 β 值越大越好?？墒?，三極管接成共發(fā)射極放大電路時(shí)，從管子的集電極 c 到發(fā)射極 e 總會(huì)產(chǎn)生一有害的漏電流，稱(chēng)為穿透電流 I ceo ，它的大小與 β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制，卻成為集電極電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關(guān)系，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩(wěn)定性。所以，選擇三極管時(shí)，并不是 β 越大越好，一般取硅管 β 為 40 ～ 150 ，鍺管取 40 ～ 80 。兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

三極管的工作原理：線性區(qū)NMOS如果柵上加正電壓，就會(huì)在其下感應(yīng)出相反極性的負(fù)電荷，從而產(chǎn)生N型溝道，使源漏導(dǎo)通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點(diǎn)，產(chǎn)生的溝道就寬一點(diǎn)，導(dǎo)通能力就大一點(diǎn)，這就是線性區(qū)。NPN管如果BE結(jié)加正向偏置導(dǎo)通，電子就會(huì)進(jìn)入到基區(qū)。除了被基區(qū)的P型空穴俘獲外，它們有兩個(gè)地方可以去：一個(gè)是從基極流出，一個(gè)是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會(huì)越多，這也是線性變化的。在線性區(qū)，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區(qū)電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢(shì)基本一致。三極管輸出信號(hào)的能量實(shí)際上是由直流電源提供的，只是經(jīng)過(guò)三極管的控制，使之轉(zhuǎn)換成信號(hào)能量，提供給負(fù)載。河源PNP三極管按需定制

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三極管將電阻Rc換成一個(gè)燈泡，那么當(dāng)基極電流為0時(shí)，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(shí)(大于流過(guò)燈泡的電流除以三極管的放大倍數(shù)β)，三極管就飽和，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點(diǎn)就行了，所以就可以用一個(gè)小電流來(lái)控制一個(gè)大電流的通斷。如果基極電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會(huì)隨著增加(在三極管未飽和之前)。但是在實(shí)際使用中要注意，在開(kāi)關(guān)電路中，飽和狀態(tài)若在深度飽和時(shí)會(huì)影響其開(kāi)關(guān)速度，飽和電路在基極電流乘放大倍數(shù)等于或稍大于集電極電流時(shí)是淺度飽和，遠(yuǎn)大于集電極電流時(shí)是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態(tài)就可以提高其轉(zhuǎn)換速度。溫州直插三極管測(cè)量方法

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