膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設(shè)計(jì)中場效應(yīng)管特長沒有得到充分發(fā)揮，甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗，其實(shí)這不是場效應(yīng)管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場效應(yīng)管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來嚴(yán)重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動聽，更具有電子管的醇美音色。 場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。杭州V型槽場效應(yīng)管

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。 珠海加強(qiáng)型場效應(yīng)管命名場效應(yīng)管具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、寬動態(tài)范圍、易于集成、無二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。

場效應(yīng)管電阻法測電極:根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是P溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結(jié)，即是正向電阻，判定為N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試，直到判別出柵極為止。

柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。 場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID。

場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、電源等。珠海加強(qiáng)型場效應(yīng)管命名

由于場效應(yīng)管的放大器輸入阻抗很高，因此可以使用容量較小的耦合電容器，不必使用電解電容器。杭州V型槽場效應(yīng)管

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 杭州V型槽場效應(yīng)管

深圳市盟科電子科技有限公司公司是一家專門從事MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷售，是一家生產(chǎn)型企業(yè)，公司成立于2010-11-30，位于深圳市光明新區(qū)鳳凰街道松白路4048號塘尾社區(qū)寶塘工業(yè)區(qū)A1、A2棟廠房。多年來為國內(nèi)各行業(yè)用戶提供各種產(chǎn)品支持。在孜孜不倦的奮斗下，公司產(chǎn)品業(yè)務(wù)越來越廣。目前主要經(jīng)營有MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等產(chǎn)品，并多次以電子元器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、客戶需求定制多款多元化的產(chǎn)品。盟科,MENGKE為用戶提供真誠、貼心的售前、售后服務(wù)，產(chǎn)品價(jià)格實(shí)惠。公司秉承為社會做貢獻(xiàn)、為用戶做服務(wù)的經(jīng)營理念，致力向社會和用戶提供滿意的產(chǎn)品和服務(wù)。深圳市盟科電子科技有限公司注重以人為本、團(tuán)隊(duì)合作的企業(yè)文化，通過保證MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器產(chǎn)品質(zhì)量合格，以誠信經(jīng)營、用戶至上、價(jià)格合理來服務(wù)客戶。建立一切以客戶需求為前提的工作目標(biāo)，真誠歡迎新老客戶前來洽談業(yè)務(wù)。