晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們?cè)陔娮与娐分锌梢宰鳛殡娮娱_關(guān)使用，用來(lái)控制負(fù)載的通斷；可以用來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。
晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控?zé)?，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關(guān)驅(qū)動(dòng)燈泡工作。在白熾燈泡無(wú)級(jí)調(diào)光或電風(fēng)扇無(wú)級(jí)調(diào)速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。
場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件，其可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管兩種，每種類型的場(chǎng)效應(yīng)管又有P溝道和N溝道之分。場(chǎng)效應(yīng)管在電子電路中既可以作為放大器件用來(lái)放大信號(hào)，又可以作為開關(guān)器件用來(lái)控制負(fù)載的通斷，故場(chǎng)效應(yīng)管的用途比晶閘管更廣一些。在功放電路中，采用VMOS場(chǎng)效應(yīng)管作為功率放大元件，可以提高音質(zhì)。在開關(guān)電路中，驅(qū)動(dòng)電機(jī)等大電流負(fù)載時(shí)，選用MOS場(chǎng)效應(yīng)管作為電子開關(guān)，可以減輕前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)擔(dān)（若選用晶閘管的話，需要從前級(jí)電路汲取較大的驅(qū)動(dòng)電流）。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝復(fù)雜，費(fèi)用較高。東莞SMD場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管，作為電子學(xué)領(lǐng)域中的重要元件，具有獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用。它是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、功耗小等優(yōu)點(diǎn)。例如，在高保真音頻放大器中，場(chǎng)效應(yīng)管的低噪聲特性能夠確保音頻信號(hào)的純凈度，為聽眾帶來(lái)清晰、逼真的聲音體驗(yàn)。在通信領(lǐng)域，其高輸入阻抗有助于減少信號(hào)的損耗和干擾，從而提高通信質(zhì)量。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理基于電場(chǎng)對(duì)導(dǎo)電溝道的控制。以常見的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管為例，當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，溝道關(guān)閉，沒(méi)有電流通過(guò)；當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，溝道形成，電流得以導(dǎo)通。這種通過(guò)電場(chǎng)控制電流的方式，使得場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)中具有很大的靈活性。比如，在電源管理電路中，可以利用場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通和截止來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的穩(wěn)定輸出。而且，由于場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻較小，在大電流應(yīng)用中能夠有效地降低功率損耗。珠海場(chǎng)效應(yīng)管什么價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、寬動(dòng)態(tài)范圍、易于集成、無(wú)二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。

在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接比較低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過(guò)這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái)，不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)寄生二極管方向判定：3、MOS管的應(yīng)用1）開關(guān)作用現(xiàn)在電子主板上用得多的電子器件便是MOS管，可見MOS管在低功耗方面應(yīng)用得非常廣。 場(chǎng)效應(yīng)管可以用于功率放大器設(shè)計(jì)。

場(chǎng)效應(yīng)管在開關(guān)電路中的應(yīng)用也非常的。當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)的；當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管截止，相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。由于場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)速度快的、損耗小，因此在數(shù)字電路的和功率電子領(lǐng)域中得到了大量的應(yīng)用。例如，在計(jì)算機(jī)主板上的，場(chǎng)效應(yīng)管被用于控制電源的開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)部件的供電控制。在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的，場(chǎng)效應(yīng)管則作為功率開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的高效控制。場(chǎng)效應(yīng)管具有放大和開關(guān)功能。深圳低功率場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱FET）是一種半導(dǎo)體器件，其原理是利用半導(dǎo)體材料中的電場(chǎng)控制電流的流動(dòng)。東莞SMD場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管和MOS管在主體、特性和原理規(guī)則方面存在一些區(qū)別。以下是具體的比較：1.主體：場(chǎng)效應(yīng)管是V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管，繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效功率開關(guān)器件。MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。2.特性：場(chǎng)效應(yīng)管不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)良特性，如輸入阻抗高（≥108W）和驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（比較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等特性。MOS管主要特點(diǎn)是金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（比較高可達(dá)1015Ω）。3.原理規(guī)則：場(chǎng)效應(yīng)管將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。而MOS管在VGS=0時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，加入正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，形成導(dǎo)電溝道。東莞SMD場(chǎng)效應(yīng)管