集電極電流-基極電壓特性曲線描述了三極管的輸入電流與集電極電壓之間的關(guān)系。當基極電壓小于閾值時，集電極電流非常??；當基極電壓超過閾值時，集電極電流迅速增加。這個閾值稱為飽和電壓，通常用Vce(sat)表示。三極管的輸出特性是指輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，通常用輸出特性曲線來描述。輸出特性曲線是以集電極電壓為橫坐標，集電極電流為縱坐標的曲線，可以分為集電極電流-集電極電壓特性曲線和集電極電流-基極電壓特性曲線。集電極電流-集電極電壓特性曲線描述了三極管的輸出電流與集電極電壓之間的關(guān)系。當集電極電壓小于飽和電壓時，輸出電流基本上為零；當集電極電壓超過飽和電壓時，輸出電流迅速增加。集電極電流-基極電壓特性曲線描述了三極管的輸出電流與基極電壓之間的關(guān)系。當基極電壓小于閾值時，輸出電流非常?。划敾鶚O電壓超過閾值時，輸出電流迅速增加。三極管的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-220等。TO-252三極管生產(chǎn)廠家

三極管基極有電流流動時；由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發(fā)射極向基極移動，又因為C極和E極間施加了反向電壓，因此，從發(fā)射極向基極移動的電子，在高電壓的作用下，通過基極進入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作用下，發(fā)射極的大量電子被輸送到集電極，產(chǎn)生很大的集電極電流?；鶚O無電流流動時；在B極和E極之間不能施加電壓的狀態(tài)時，由于C極和E極間施加了反向電壓，所以集電極的電子受電源正電壓吸引而在C極和E極之間產(chǎn)生空間電荷區(qū)，阻礙了從發(fā)射極向集電極的電子流動，因而就沒有集電極電流產(chǎn)生。河源達林頓三極管三極管可以作為開關(guān)，控制電路的通斷，實現(xiàn)數(shù)字電路的邏輯運算。

三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關(guān)系，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發(fā)射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯(lián)在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。

三極管有90×&TImes;系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31（低頻小功率鍺管）等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產(chǎn)的晶體管有一套命名規(guī)則，電子工程技術(shù)人員和電子愛好者應該了解三極管符號的含義。符號的一部分“3”表示三極管。符號的二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu)：A——PNP型鍺材料；B——NPN型鍺材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符號的三部分表示功能：U——光電管；K——開關(guān)管；X——低頻小功率管；G——高頻小功率管；D——低頻大功率管；A——高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。三極管的工作原理是基于PN結(jié)的特性。

三極管在數(shù)字電路中也有著的應用。在數(shù)字電路中，三極管通常作為開關(guān)元件使用。當三極管的基極輸入高電平時，三極管導通，集電極和發(fā)射極之間相當于短路；當基極輸入低電平時，三極管截止，集電極和發(fā)射極之間相當于開路。通過控制三極管的導通和截止狀態(tài)，可以實現(xiàn)數(shù)字信號的傳輸和處理。例如，在計數(shù)器、寄存器等數(shù)字電路中，三極管作為存儲單元的開關(guān)元件，控制著數(shù)據(jù)的存儲和讀取。當需要存儲數(shù)據(jù)時，三極管導通，將數(shù)據(jù)寫入存儲單元；當需要讀取數(shù)據(jù)時，三極管截止，將存儲單元中的數(shù)據(jù)輸出。三極管的開關(guān)速度非?？?，可以滿足數(shù)字電路對高速信號處理的要求。此外，三極管還可以用于數(shù)字電路中的邏輯門電路，實現(xiàn)各種邏輯功能。晶體三極管應用于電子電路中，如放大器、開關(guān)、振蕩器等。江蘇TO-252三極管代理價格

三極管的工作溫度范圍一般為-55℃至+150℃。TO-252三極管生產(chǎn)廠家

三極管的結(jié)構(gòu)是由三個摻雜不同的半導體材料層疊而成。它由以下三個部分組成：基區(qū)（BaseRegion）：基區(qū)是三極管的中間部分，通常是非導電的。它是由輕度摻雜的半導體材料（通常是硅）構(gòu)成的。發(fā)射區(qū)（EmitterRegion）：發(fā)射區(qū)位于基區(qū)的一側(cè)，通常是強烈摻雜的半導體材料（通常是硅）。發(fā)射區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)高，形成了一個P-N結(jié)。集電區(qū)（CollectorRegion）：集電區(qū)位于基區(qū)的另一側(cè)，通常是中度摻雜的半導體材料（通常是硅）。集電區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)低，形成了另一個P-N結(jié)。這三個區(qū)域的結(jié)構(gòu)形成了兩個P-N結(jié)，其中一個是發(fā)射結(jié)（EmitterJunction），另一個是集電結(jié)（CollectorJunction）。 TO-252三極管生產(chǎn)廠家