高低溫測試又叫作高低溫循環(huán)測試,是產(chǎn)品環(huán)境可靠性測試中的一項?;旧纤械漠a(chǎn)品都是在一定的溫度環(huán)境下存儲保存,或者工作運(yùn)行。有些環(huán)境下的溫度會不斷變化,時高時低。比如在有些溫差大的地區(qū)的白天黑夜?;蛘弋a(chǎn)品在運(yùn)輸、存儲、運(yùn)行過程中反復(fù)進(jìn)出于高溫區(qū)、低溫區(qū)。這種高低溫環(huán)境高溫時可能會達(dá)到70°C度以上甚至更高,低溫時溫度可能會達(dá)到-20°C度以下甚至更低。這種不斷變化的溫度環(huán)境會造成產(chǎn)品的功能、性能、質(zhì)量及壽命等受到影響,會加速產(chǎn)品的老化,縮短產(chǎn)品的使用壽命。晶體振蕩器自動測試設(shè)備用從宇設(shè)備沒問題!徐州智能自動測試設(shè)備訂制價格
在半導(dǎo)體器件封裝前對器件的電學(xué)特性指標(biāo)給出精細(xì)測量,系統(tǒng)中測量儀表可以靈活搭配,測量、計算各種器件的電學(xué)參數(shù),系統(tǒng)軟件兼容源測量單元、LCR表、阻抗分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、數(shù)字電源、數(shù)字萬用表、矩陣開關(guān)等測量設(shè)備以及半自動、全自動探針臺。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,電子芯片元器件尺寸越來越小,在同一片晶圓上能光刻出來的器件也越來越多,因此晶圓在片測試的特點為:器件尺寸小、分布密集、測試復(fù)雜,而對于更高集成度的MEMS器件晶圓,其測試邏輯更為復(fù)雜,所以靠手工測試方式幾乎無法完成整片晶圓的功能測試。實現(xiàn)晶圓器件從直流到射頻電學(xué)參數(shù)的準(zhǔn)確測試、快速提取并生成標(biāo)準(zhǔn)測試報告。徐州智能自動測試設(shè)備訂制價格溫補(bǔ)晶振自動補(bǔ)償設(shè)備在哪購買?
可以自己制定企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn),或按客戶要求制定測試條件。制定測試條件時可參考產(chǎn)品實際的存儲環(huán)境、運(yùn)輸環(huán)境及使用環(huán)境等。常做的溫度是-30至70°C,溫度保持時間2小時至8小時不等,變溫時長一般半小時以內(nèi),循環(huán)周期4至20個周期不等。電子電器產(chǎn)品的高低溫測試分為高低溫存儲測試和高低溫運(yùn)行測試。高低溫存儲是產(chǎn)品不上電,在非工作狀態(tài)下進(jìn)行測試。高低溫運(yùn)行是給產(chǎn)品供電,在產(chǎn)品工作狀態(tài)下進(jìn)行測試。高低溫測試對測試的具體溫度、高溫和低溫各自保持的時間、升溫和降溫的時間、測多少個周期等沒有固定的標(biāo)準(zhǔn),
存儲測試機(jī):存儲測試機(jī)主要針對存儲器進(jìn)行測試,其基本原理與模擬/SoC不同,往往通過寫入一些數(shù)據(jù)再校驗讀回的數(shù)據(jù)進(jìn)行測試,盡管SoC測試機(jī)也能針對存儲單元進(jìn)行測試,但SoC測試機(jī)的復(fù)雜程度較高,且許多功能在進(jìn)行存儲器測試時是用不到的,因此出于性價比及性能的考量存儲芯片廠商需要采購存儲器測試機(jī)進(jìn)行測試,盡管存儲器邏輯電路部分較為簡單,但由于存儲單元較多,其數(shù)據(jù)量巨大,因此存儲測試機(jī)的引腳數(shù)較多。2021年后道測試設(shè)備市場空間有望達(dá)70.4億元,并且由于封測產(chǎn)能逐漸向大陸集中,大陸測試設(shè)備占全球測試設(shè)備比例逐漸提高。自動測試設(shè)備找南京從宇機(jī)電!
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