壓縮蒸汽制冷循環(huán)采用低沸點(diǎn)物質(zhì)作制冷劑，利用在濕蒸汽區(qū)定壓即定溫的特性，在低溫下定壓氣化吸熱制冷，可以克服上述壓縮空氣、回?zé)釅嚎s空氣循環(huán)的部分缺點(diǎn)。芯片高低溫測(cè)試機(jī)吸收式制冷循環(huán)：吸收式制冷循環(huán)利用制冷劑在溶液中不同溫度下具有不同溶解度的特性，使制冷劑在較低的溫度和壓力下被吸收劑吸收，同時(shí)又使它在較高的溫度和壓力下從溶液中蒸發(fā)，完成循環(huán)實(shí)現(xiàn)制冷目的。芯片高低溫測(cè)試機(jī)是可供各種行業(yè)使用，比如：制藥、化工、工業(yè)、研究所、高校等行業(yè)中使用，當(dāng)然，無(wú)錫晟澤的其他制冷加熱控溫設(shè)備使用的范圍也比較廣。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的電學(xué)參數(shù)，包括電流和電壓等。天津晶圓芯片測(cè)試機(jī)定制

存儲(chǔ)器，芯片往往集成著各種類型的存儲(chǔ)器（例如ROM/RAM/Flash），為了測(cè)試存儲(chǔ)器讀寫和存儲(chǔ)功能，通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST（Built-In SelfTest）邏輯，用于存儲(chǔ)器自測(cè)。芯片通過(guò)特殊的管腳配置進(jìn)入各類BIST功能，完成自測(cè)試后BIST模塊將測(cè)試結(jié)果反饋給Tester。ROM（Read-Only Memory）通過(guò)讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)內(nèi)容是否正確。RAM（Random-Access Memory）通過(guò)除檢測(cè)讀寫和存儲(chǔ)功能外，有些測(cè)試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。Embedded Flash除了正常讀寫和存儲(chǔ)功能外，還要測(cè)試擦除功能。Wafer還需要經(jīng)過(guò)Baking烘烤和Stress加壓來(lái)檢測(cè)Flash的Retention是否正常。還有Margin Write/Read、Punch Through測(cè)試等等。天津晶圓芯片測(cè)試機(jī)定制芯片測(cè)試機(jī)可以測(cè)試芯片的信號(hào)幅度和靈敏度。

Probe Card---乃是Tester與wafer上的DUT之間其中一個(gè)連接介面，目的在連接Tester Channel 與待測(cè)DUT。大部分為鎢銅或鈹銅，也有鈀等其他材質(zhì)；材質(zhì)的選擇需要強(qiáng)度高、導(dǎo)電性及不易氧化等特性，樣子如下面所示。當(dāng) probe card 的探針正確接觸wafer內(nèi)一顆 die的每個(gè)bond pads后, 送出start信號(hào)通過(guò)Interface給tester開始測(cè)試, tester完成測(cè)試送回分類訊號(hào) ( End of test) 給Prober, 量產(chǎn)時(shí)必須 tester 與 prober 做連接(docking) 才能測(cè)試。較終測(cè)試(FT,或者封裝測(cè)試)：就是在圖（3）中的Package Device上進(jìn)行測(cè)試.下圖就是一個(gè)完整的FT的測(cè)試系統(tǒng)。對(duì)比wafer test，其中硬件部分，prober換成了handler，其作用是一樣的，handler的主要作用是機(jī)械手臂，抓取DUT，放在測(cè)試區(qū)域，由tester對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，然后handler再根據(jù)tester的測(cè)試結(jié)果，抓取DUT放到相應(yīng)的區(qū)域，比如好品區(qū)，比如壞品1類區(qū)，壞品2類區(qū)等。

本發(fā)明的目的在于提供一種芯片測(cè)試機(jī)及芯片測(cè)試方法，本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊、體積較小，占地面積只一平米左右，可以滿足小批量的芯片測(cè)試要求。其技術(shù)方案如下：本發(fā)明在一實(shí)施例中公開了一種芯片測(cè)試機(jī)。該芯片測(cè)試機(jī)包括機(jī)架，以及設(shè)置于機(jī)架上的移載裝置、測(cè)試裝置、自動(dòng)上料裝置、自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)，所述自動(dòng)上料裝置包括頭一料倉(cāng)及自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)，所述自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)在所述頭一料倉(cāng)內(nèi)上下移動(dòng)；所述自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)包括第二料倉(cāng)及自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)，所述自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)在所述第二料倉(cāng)內(nèi)上下移動(dòng)，所述移載裝置位于所述自動(dòng)上料裝置、自動(dòng)下料裝置、測(cè)試裝置及不良品放置臺(tái)的上方，所述移載裝置將自動(dòng)上料裝置的待測(cè)試芯片移動(dòng)至測(cè)試裝置，并將測(cè)試完成的芯片移動(dòng)至自動(dòng)下料裝置或不良品放置臺(tái)，所述移載裝置還將自動(dòng)上料裝置的空tray盤移動(dòng)至自動(dòng)下料裝置。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行閂鎖掃描測(cè)試和邊緣掃描測(cè)試。

以下以一個(gè)具體的例子對(duì)中轉(zhuǎn)裝置60的功能進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。例如一個(gè)tray盤中較多可以放置50個(gè)芯片，自動(dòng)上料裝置40的每一個(gè)tray盤中都裝有50個(gè)芯片。移載裝置20吸取自動(dòng)上料裝置40的tray盤中的芯片到測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空的tray盤中。當(dāng)出現(xiàn)一個(gè)不良品時(shí)，該不良品則被移動(dòng)至不良品放置臺(tái)60，當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試后，自動(dòng)下料裝置50的tray盤中只裝了49個(gè)測(cè)試合格的芯片。此時(shí)，移載裝置20則把自動(dòng)上料裝置40的空的tray盤移載至tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上，然后移載裝置20從下方的另一個(gè)tray盤中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試，直至把自動(dòng)下料裝置50的tray盤中裝滿50個(gè)芯片，然后把tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上的空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。芯片測(cè)試機(jī)能夠檢測(cè)到芯片的缺陷并提供反饋。江蘇全自動(dòng)芯片測(cè)試機(jī)廠商

芯片測(cè)試機(jī)提供的測(cè)試數(shù)據(jù)可以用于制定改進(jìn)方案。天津晶圓芯片測(cè)試機(jī)定制

下面對(duì)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行說(shuō)明：使用本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，首先在自動(dòng)上料裝置上放置多個(gè)tray盤，每一個(gè)tray盤上均放滿或放置多個(gè)待測(cè)試芯片，同時(shí)在自動(dòng)下料裝置和不良品放置臺(tái)上分別放置空的tray盤。測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，由移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤中吸取待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試，芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤中放置。當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤中全部裝滿測(cè)試后的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置。本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊，體積較小，占地面積只為一平米左右，可滿足小批量的芯片測(cè)試需求。天津晶圓芯片測(cè)試機(jī)定制

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