變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部"PN結(jié)"的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)出來(lái)的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差:發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，5高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間。蘇家屯區(qū)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體分立器件互惠互利

    而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，無(wú)繩電話機(jī)中常，把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機(jī)里使用的晶體二極管按作用可分為:整流二極管(如1N4004)、隔離二極管(如1N4148)、肖特基二極管(如BAT85)、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。2、識(shí)別方法:二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單，小功率二極管的N極(負(fù)極)，在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來(lái)，有些二極管也用二極管**符號(hào)來(lái)表示P極(正極)或N極(負(fù)極)，也有采用符號(hào)標(biāo)志為"P"、"N"來(lái)確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來(lái)識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)。3、測(cè)試注意事項(xiàng):用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下:型號(hào)1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007電流(A)均為1。折疊穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管在電路中常用"ZD"加數(shù)字表示，如:ZD5表示編號(hào)為5的穩(wěn)壓管。1、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理:穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后。鐵西區(qū)什么是半導(dǎo)體分立器件質(zhì)量保障因此，有關(guān)SIC基、GSN基以及封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展。

    磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件折疊集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC/錄象機(jī)IC/電腦IC通信IC/遙控IC/照相機(jī)IC報(bào)警器IC/門鈴IC/閃燈IC電動(dòng)玩具IC/溫控IC/音樂(lè)IC電子琴IC/手表IC/其他集成電路折疊電子五金件觸點(diǎn)/觸片/探針鐵心/其他電子五金件折疊顯示器件點(diǎn)陣/led數(shù)碼管/背光器件液晶屏/偏光片/發(fā)光二極管芯片發(fā)光二極管顯示屏/液晶顯示模塊其他顯示器件折疊編輯本段**材料電容器**極板材料/導(dǎo)電材料電極材料/光學(xué)材料/測(cè)溫材料半導(dǎo)體材料/屏蔽材料真空電子材料/覆銅板材料壓電晶體材料/電工陶瓷材料光電子功能材料|強(qiáng)電、弱電用接點(diǎn)材料激光工質(zhì)/電子元器件**薄膜材料電子玻璃/類金剛石膜膨脹合金與熱雙金屬片/電熱材料與電熱元件其它電子**材料折疊編輯本段術(shù)語(yǔ)1、COB(ChipOnBoard)通過(guò)幫定將IC裸片固定于印刷線路板上2、COF(ChipOnFPC)將芯片固定于FPC上3、COG(ChipOnGlass)將芯片固定于玻璃上4、El(ElectroLuminescence)電致發(fā)光，EL層由高分子量薄片構(gòu)成，用作LCD的EL光源5、FTN(FormutatedSTN)一層光程補(bǔ)償片加于STN，用于黑白顯示6、LED(LightEmittingDiode)發(fā)光二極管7、PCB(PrintCircuitBoard)印刷線路板8、QFP。

    很快地被各國(guó)應(yīng)用起來(lái)，在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了***塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說(shuō)明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性，所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來(lái)說(shuō)明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn)。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開(kāi)發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出。熱點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用前景等成了廣受關(guān)注的問(wèn)題。

    QuadFlatPackage)四方扁平封裝9、QTP(QuadTapeCarrierPackage)四向型TCP10、SMT(SurfaceMountTechnology)表面貼裝技術(shù)11、TCP(TapeCarrierPackage)柔性線路板，IC可固定于其上12、STN(SuperTwistedNematic)帶有約180度到270度扭曲向列的顯示類型13、tf(FallTime)響應(yīng)速度:下降沿時(shí)間14、TN(TwistedNematic)帶有約90度扭曲向列的顯示類型15、TNR(TnWithRetardationFilm)一種彩色顯示，它不采用彩色濾光片，而是在普通TN玻璃上附加上光程補(bǔ)償片16、tr(RiseTime)響應(yīng)速度:上升沿時(shí)間17、Vop(OperatingVoltage)LCD驅(qū)動(dòng)電壓18、Vth(ThresholdVoltage)閥值電壓折疊識(shí)別電子元器件常用產(chǎn)品的識(shí)別折疊電阻電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示，如:R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識(shí)別:電阻的單位為歐姆(Ω)，倍率單位有:千歐(KΩ)，兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐。電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如:472表示47×100Ω(即);104則表示100Kb、色環(huán)標(biāo)注法使用**多，現(xiàn)舉例如下:四色環(huán)電阻五色環(huán)電阻。三極管及半導(dǎo)體特殊器件。沈河區(qū)有名的半導(dǎo)體分立器件技術(shù)指導(dǎo)

新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等。蘇家屯區(qū)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體分立器件互惠互利

    但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具，進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。蘇家屯區(qū)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體分立器件互惠互利

深圳市東鴻歆?？萍加邢薰疚挥谖鬣l(xiāng)街道寶源路168號(hào)名優(yōu)采購(gòu)中心B座3區(qū)625。公司業(yè)務(wù)分為寄存器等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電工電氣良好品牌。深圳市東鴻歆睿秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。