電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見(jiàn)的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開(kāi)關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝**材料、電子膠(帶)制品、電子化學(xué)材料及部品等。電子元器件在質(zhì)量方面國(guó)際上有歐盟的CE認(rèn)證,美國(guó)的UL認(rèn)證,德國(guó)的VDE和TUV以及中國(guó)的CQC認(rèn)證等國(guó)內(nèi)外認(rèn)證,來(lái)保證元器件的合格。發(fā)展史電子元器件發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新興技術(shù),二十世紀(jì)發(fā)展**迅速,應(yīng)用*****,成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要標(biāo)志。1906年,美國(guó)發(fā)明家德福雷斯特(DeForestLee)發(fā)明了真空三極管(電子管)。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。繼電器生產(chǎn)研發(fā)單位及企業(yè)上下游供應(yīng)商。新建區(qū)特色機(jī)電元件認(rèn)真負(fù)責(zé)
如10uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法:1m=1000uF1P2=1n=1000PF數(shù)字表示法:一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率。如:102表示10×10^2PF=1000PF224表示22×10^4PF=2uF3、電容容量誤差表符號(hào)FGJKLM允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如:一瓷片電容為104J表示容量為、誤差為±5%。折疊電感電感在電路中常用"L"加數(shù)字表示,如:L6表示編號(hào)為6的電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過(guò)線圈,直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,壓降很小;當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí),線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì),自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過(guò),所以電感的特性是通直流阻交流,頻率越高,線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法,色標(biāo)法與電阻類似。如:棕、黑、金、金表示1uH(誤差5%)的電感。電感的基本單位為:亨(H)換算單位有:1H=10^3mH=10^6uH。折疊晶體二極管晶體二極管在電路中常用"D"加數(shù)字表示,如:D5表示編號(hào)為5的二極管。1、作用:二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟?,?dǎo)通電阻很小。遼中區(qū)制作機(jī)電元件認(rèn)真負(fù)責(zé)得到了廣大客戶與業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注。
很快地被各國(guó)應(yīng)用起來(lái),在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期,世界上出現(xiàn)了***塊集成電路,它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路,從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于,電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說(shuō)明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性,所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來(lái)說(shuō)明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn)。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來(lái)放大電話的聲音電流。此后,人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年,點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是,這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開(kāi)發(fā)成功的同時(shí),結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出。
QuadFlatPackage)四方扁平封裝9、QTP(QuadTapeCarrierPackage)四向型TCP10、SMT(SurfaceMountTechnology)表面貼裝技術(shù)11、TCP(TapeCarrierPackage)柔性線路板,IC可固定于其上12、STN(SuperTwistedNematic)帶有約180度到270度扭曲向列的顯示類型13、tf(FallTime)響應(yīng)速度:下降沿時(shí)間14、TN(TwistedNematic)帶有約90度扭曲向列的顯示類型15、TNR(TnWithRetardationFilm)一種彩色顯示,它不采用彩色濾光片,而是在普通TN玻璃上附加上光程補(bǔ)償片16、tr(RiseTime)響應(yīng)速度:上升沿時(shí)間17、Vop(OperatingVoltage)LCD驅(qū)動(dòng)電壓18、Vth(ThresholdVoltage)閥值電壓折疊識(shí)別電子元器件常用產(chǎn)品的識(shí)別折疊電阻電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示,如:R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識(shí)別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐。電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種,即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路,如:472表示47×100Ω(即);104則表示100Kb、色環(huán)標(biāo)注法使用**多,現(xiàn)舉例如下:四色環(huán)電阻五色環(huán)電阻。有數(shù)十萬(wàn)的讀者群,發(fā)行量居行業(yè)。
精密電阻)2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示:顏色有效數(shù)字倍率允許偏差(%)從電阻的較細(xì)一段算起銀色/±10金色/±5黑色0+0/棕色1x10±1紅色2x100±2橙色3x1000/黃色4x10000/綠色5x100000±藍(lán)色6x1000000±紫色7x10000000±灰色8x/白色9x/折疊電容1、電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號(hào)的頻率,C表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明。機(jī)電一體化技術(shù)獲得前所未有的發(fā)展。和平區(qū)定制機(jī)電元件信息推薦
其發(fā)行范圍覆蓋國(guó)內(nèi)整個(gè)連接器。新建區(qū)特色機(jī)電元件認(rèn)真負(fù)責(zé)
但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步,使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具,進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。新建區(qū)特色機(jī)電元件認(rèn)真負(fù)責(zé)
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