三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯電子三極管Triode這個(gè)是英漢字典里面"三極管"這個(gè)詞匯的英文翻譯，這是和電子三極管**早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個(gè)詞**初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實(shí)際翻譯的時(shí)候是***不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)恼f，在英文里面根本就沒有三個(gè)腳的管子這樣一個(gè)詞匯!帶阻三極管/磁敏三極管開關(guān)晶體管/閘流晶體管中高頻放大三極管/低噪聲放大三極管低頻、高頻、微波功率晶體管/開關(guān)三極管光敏三極管/微波三極管高反壓三極管/達(dá)林頓三極管光敏晶體管/低頻放大三極管功率開關(guān)晶體管/其他三極管折疊電容器電容器通常簡稱其為電容，用字母C表示。定義1:電容器，顧名思義，是'裝電的容器'，是一種容納電荷的器件。英文名稱:capacitor。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。定義2:電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。半導(dǎo)體分立器件泛指半導(dǎo)體晶體二極管。沈北新區(qū)定制半導(dǎo)體分立器件互惠互利

    磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件折疊集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC/錄象機(jī)IC/電腦IC通信IC/遙控IC/照相機(jī)IC報(bào)警器IC/門鈴IC/閃燈IC電動(dòng)玩具IC/溫控IC/音樂IC電子琴IC/手表IC/其他集成電路折疊電子五金件觸點(diǎn)/觸片/探針鐵心/其他電子五金件折疊顯示器件點(diǎn)陣/led數(shù)碼管/背光器件液晶屏/偏光片/發(fā)光二極管芯片發(fā)光二極管顯示屏/液晶顯示模塊其他顯示器件折疊編輯本段**材料電容器**極板材料/導(dǎo)電材料電極材料/光學(xué)材料/測溫材料半導(dǎo)體材料/屏蔽材料真空電子材料/覆銅板材料壓電晶體材料/電工陶瓷材料光電子功能材料|強(qiáng)電、弱電用接點(diǎn)材料激光工質(zhì)/電子元器件**薄膜材料電子玻璃/類金剛石膜膨脹合金與熱雙金屬片/電熱材料與電熱元件其它電子**材料折疊編輯本段術(shù)語1、COB(ChipOnBoard)通過幫定將IC裸片固定于印刷線路板上2、COF(ChipOnFPC)將芯片固定于FPC上3、COG(ChipOnGlass)將芯片固定于玻璃上4、El(ElectroLuminescence)電致發(fā)光，EL層由高分子量薄片構(gòu)成，用作LCD的EL光源5、FTN(FormutatedSTN)一層光程補(bǔ)償片加于STN，用于黑白顯示6、LED(LightEmittingDiode)發(fā)光二極管7、PCB(PrintCircuitBoard)印刷線路板8、QFP。蘇家屯區(qū)有口碑的半導(dǎo)體分立器件認(rèn)真負(fù)責(zé)半導(dǎo)體三極管簡稱二極管.

    很快地被各國應(yīng)用起來，在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了***塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性，所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn)。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出。

    如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動(dòng)的電路調(diào)試，模擬而得到，與此相對(duì)應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動(dòng)的綜合產(chǎn)生。數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個(gè)以內(nèi)，或元器件數(shù)不超過100個(gè);中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個(gè)之間，或元器件數(shù)在100-1000個(gè)之間;大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個(gè)以上，或元器件數(shù)在10-10個(gè)之間;超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬個(gè)以上，或元器件數(shù)在10-10之間;特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括:基本邏輯門、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅(qū)動(dòng)器、計(jì)數(shù)器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機(jī)、DSP等。因此，有關(guān)SIC基、GSN基以及封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展。

    精密電阻)2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示:顏色有效數(shù)字倍率允許偏差(%)從電阻的較細(xì)一段算起銀色/±10金色/±5黑色0+0/棕色1x10±1紅色2x100±2橙色3x1000/黃色4x10000/綠色5x100000±藍(lán)色6x1000000±紫色7x10000000±灰色8x/白色9x/折疊電容1、電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號(hào)的頻率，C表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明。三極管及半導(dǎo)體特殊器件。江蘇技術(shù)半導(dǎo)體分立器件質(zhì)量保障

半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間。沈北新區(qū)定制半導(dǎo)體分立器件互惠互利

    但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具，進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。沈北新區(qū)定制半導(dǎo)體分立器件互惠互利

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