40V低功耗降壓DCDC電源芯片，40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動高達1A的負載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍，因此適用于工業(yè)領(lǐng)域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET，省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實現(xiàn)了軟啟動和補償電路減少了**元器件的數(shù)量，固定5V或3.3V的輸出方式可進一步減少**元器件數(shù)量，從而輕松實現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關(guān)頻率為100kHz，采用低開關(guān)速率設(shè)計適用于有EMI要求的應(yīng)用場合。KP52140X(A)內(nèi)置有完善的保護功能：輸入過壓保護(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP)，和過溫保護(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝，可節(jié)約布局空間。芯片供電管腳，用于能量存儲，串接一電容到地后將輸入能 量傳遞至LDO 輸出級。中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片原廠

芯片引腳內(nèi)部有一個上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時處于使能狀態(tài)。同時，上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時，額外的一個上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會被打開從而改變VEN 的電壓比，實現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動電壓和關(guān)閉電壓值。四川AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片代理在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過于劇烈。

高性能、低成本離線式PWM控制開關(guān)KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān)，適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關(guān)式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內(nèi)部，芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為20μs且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時，芯片設(shè)計有輕重載模式，可輕松獲得低于50mW的待機功耗。KP3501A集成有完備的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護、過載保護和短路保護等。主要特點?高精度5V默認輸出?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?集成采樣電阻，**系統(tǒng)成本?支持**壓輸入(15V以上)應(yīng)用?支持降壓電路?開關(guān)式峰值電流模式控制?**待機功耗小于50Mw?比較高45kHz開關(guān)頻率?**工作電流，支持小VDD電容?集成軟啟動電路?集成式保護功能:?過載保護(OLP)?過熱保護(OTP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?前沿消隱(LEB)?VDD欠壓保護?封裝類型SOP-4

集成了逐周期谷底限流保護(OCL) 功能。每當內(nèi)部低側(cè)MOSFET 導(dǎo)通時，芯片檢測電感電流，當電感電流大于電流限流閾值(ILS(OC)) 時，限流比較器翻轉(zhuǎn)，芯片 進入 OCL模式。此時，芯片內(nèi)部高側(cè)MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài)，直到電感電流下降小于電流限流閾值(ILS(OC)) 后才會再次開啟。如果芯片的負載電流超過電感電流(電感電流被OCL 鉗位)，則輸出電容需要提供額外的電流，從而輸出電容放電，輸出電壓開始下降。當輸出電壓低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) 時，芯片將停止工作，進入到UVP 打嗝模式，以避免溫升過高的情況出現(xiàn)。集成式線電壓和輸出電壓補償優(yōu)化調(diào)整率。

同步降壓變換器的輸出級主要由電感和電容組成，通過內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關(guān)切換，將能量存儲并傳遞給負載，并形成二階低通濾波器平滑開關(guān)節(jié)點電壓，得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計實例主要描述詳細的設(shè)計過程。芯片可以通過使用外部分壓電阻連接到FB引腳來設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下：????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設(shè)計。過大的RFB(B)會導(dǎo)致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾，而過小的RFB(B)會增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者，推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計算得到：?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V電感電流的大小由過流保護門限決定，控 制器工作在臨界導(dǎo)通模式下，加快了輸出電容充電 速度。福建AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片代理

通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周 期的計數(shù)，當振蕩周期數(shù)超過200 次時芯片退出保 護模式并重新開始工作。中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片原廠

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us，同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片原廠

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