輸出電容選擇：對(duì)于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實(shí)際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負(fù)載選擇：需在空載輸出電壓和待機(jī)損耗上折中：即過(guò)大的假負(fù)載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機(jī)損耗也隨之加大；而過(guò)小的假負(fù)載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負(fù)載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負(fù)載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程?？山o藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。四川低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存

220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BUCK電路，給MCU提供穩(wěn)定的5V電壓。高性能、低成本離線式PWM功率開關(guān)KP311A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān)，適用于降壓型和升降壓型電路。KP311A采用高壓?jiǎn)尉A工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關(guān)式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認(rèn)輸出。在芯片內(nèi)部，芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32μs且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時(shí)，芯片設(shè)計(jì)有輕重載模式，可輕松獲得低于50mW的待機(jī)功耗。浙江低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對(duì)于 VDD 電容大小的要求， 同時(shí)也可以提高系統(tǒng)效率。

集成了內(nèi)部軟啟動(dòng)功能，以減小芯片啟動(dòng)上電過(guò)程中的沖擊電流和保證輸出電壓平穩(wěn)上升。當(dāng)VIN 高于 UVLO 閾值時(shí)，輸出電壓從EN上升沿延遲440μs (典型值) 后開始上升。當(dāng)芯片啟動(dòng)時(shí)，內(nèi)部的軟啟動(dòng)電路產(chǎn)生一個(gè)從0V 開始上升的軟啟動(dòng)電壓(SS)。當(dāng)SS 低于內(nèi)部參考電壓(VREF) 時(shí)，SS 覆蓋 VREF，因此電壓誤差積分器和控制比較器使用SS 作為參考電壓，輸出電壓跟隨SS 平穩(wěn)上升。當(dāng)SS 升到 VREF 電壓時(shí)，VREF 重新獲得控制，參考電壓穩(wěn)定為VREF，輸出電壓隨之穩(wěn)定在設(shè)定值VOUT，軟啟動(dòng)結(jié)束。

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測(cè)電路，該電路通過(guò)Drain端對(duì)地內(nèi)置的分壓電阻檢測(cè)AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測(cè)到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對(duì)VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對(duì)地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過(guò)高，芯片將一直無(wú)法進(jìn)入充電窗口。針對(duì)該問(wèn)題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過(guò)對(duì)芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對(duì)VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開，對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對(duì)Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能。

如果輸出電容在芯片啟動(dòng)時(shí)已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動(dòng)開關(guān)，VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動(dòng)方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能，通過(guò)不斷監(jiān)測(cè)反饋電壓VFB 防止芯片輸出過(guò)載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會(huì)置高，以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管，阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。電感電流的大小由過(guò)流保護(hù)門限決定，控 制器工作在臨界導(dǎo)通模式下，加快了輸出電容充電 速度。AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存

采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制實(shí)現(xiàn)超快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。四川低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存

持續(xù)的研發(fā)是保持產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵，而模擬芯片的研發(fā)與設(shè)計(jì)需要電子、材料、半導(dǎo)體等跨學(xué)科知識(shí)的積累和跨行業(yè)技術(shù)的整合，且對(duì)研發(fā)人員的專業(yè)水平和工作經(jīng)驗(yàn)要求較高。必易微的**研發(fā)團(tuán)隊(duì)均具備國(guó)內(nèi)外名校的學(xué)歷背景，并曾在國(guó)內(nèi)外**科技企業(yè)擔(dān)任高層研發(fā)和管理職務(wù)，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)有著深刻的理解。必易微在市場(chǎng)開拓的進(jìn)程中專注客戶服務(wù)，對(duì)客戶的需求能夠快速響應(yīng)，以解決客戶痛點(diǎn)、**市場(chǎng)潮流為市場(chǎng)價(jià)值導(dǎo)向，取得了行業(yè)頭部客戶的認(rèn)可和采用，推動(dòng)了公司產(chǎn)品打破國(guó)外廠商對(duì)市場(chǎng)的壟斷地位，為公司新產(chǎn)品、新業(yè)務(wù)的發(fā)展提供了***遼闊的市場(chǎng)空間。四川低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存

互勤(深圳)科技有限公司依托可靠的品質(zhì)，旗下品牌必易,杰華特,矽力杰,華潤(rùn)微以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞。業(yè)務(wù)涵蓋了電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等諸多領(lǐng)域，尤其電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等到眾多其他領(lǐng)域，已經(jīng)逐步成長(zhǎng)為一個(gè)獨(dú)特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)?；デ?深圳)科技有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及經(jīng)營(yíng)范圍包括一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品、電子元器件、半導(dǎo)體芯片、系統(tǒng)集成的銷售；電池、電池管理系統(tǒng)、電子類板卡，PCBA、電子產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)支撐、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售。(法律、行政法規(guī)、決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目除外）等多個(gè)環(huán)節(jié)，在國(guó)內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢(shì)。在電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等領(lǐng)域完成了眾多可靠項(xiàng)目。