KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個(gè)周期的開始，每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時(shí)，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導(dǎo)通時(shí)間后關(guān)閉，此開通時(shí)間由導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器確定。該導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器定時(shí)完畢后，HSF將會(huì)保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時(shí)間)。**小關(guān)斷時(shí)間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個(gè)固定導(dǎo)通時(shí)間。精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能。上海AC高壓降3.3V藍(lán)牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

EN 引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來使能芯片。另外根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實(shí)現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個(gè)5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護(hù)內(nèi)部電路受到過壓風(fēng)險(xiǎn)。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時(shí)，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動(dòng)。湖南低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持支持使用MLCC 陶瓷電容，且支持低輸出電容數(shù)量。

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)超快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。在某些對負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求更高的應(yīng)用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進(jìn)一步提升瞬態(tài)響應(yīng)性能。考慮到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實(shí)際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實(shí)測負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。

交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片，KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP1505X內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能： VDD 欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、 過熱保護(hù)。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會(huì)由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時(shí)，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。為了避免開通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。四川低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片采用管腳復(fù)用技術(shù)，內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過流比較 器的輸入。上海AC高壓降3.3V藍(lán)牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當(dāng)芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進(jìn)入充電窗口。針對該問題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開，對VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。上海AC高壓降3.3V藍(lán)牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

互勤(深圳)科技有限公司在電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片一直在同行業(yè)中處于較強(qiáng)地位，無論是產(chǎn)品還是服務(wù)，其高水平的能力始終貫穿于其中?；デ诳萍际俏覈娮釉骷夹g(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者?；デ诳萍家噪娫葱酒?，MOS管，MCU方案，必易芯片為主業(yè)，服務(wù)于電子元器件等領(lǐng)域，為全國客戶提供先進(jìn)電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片?；デ诳萍紝⒁跃嫉募夹g(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù)，滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求。