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廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

來源: 發(fā)布時間:2023-03-15

集成了內(nèi)部軟啟動功能,以減小芯片啟動上電過程中的沖擊電流和保證輸出電壓平穩(wěn)上升。當(dāng)VIN 高于 UVLO 閾值時,輸出電壓從EN上升沿延遲440μs (典型值) 后開始上升。當(dāng)芯片啟動時,內(nèi)部的軟啟動電路產(chǎn)生一個從0V 開始上升的軟啟動電壓(SS)。當(dāng)SS 低于內(nèi)部參考電壓(VREF) 時,SS 覆蓋 VREF,因此電壓誤差積分器和控制比較器使用SS 作為參考電壓,輸出電壓跟隨SS 平穩(wěn)上升。當(dāng)SS 升到 VREF 電壓時,VREF 重新獲得控制,參考電壓穩(wěn)定為VREF,輸出電壓隨之穩(wěn)定在設(shè)定值VOUT,軟啟動結(jié)束??山o藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

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30V降壓DCDC電源轉(zhuǎn)換芯片,低待機(jī)功耗。提供一個芯片外部使能控制引腳(EN) 以使能或禁止芯片工作。當(dāng)EN 引腳電壓高于EN 上升閾值電壓(VEN(R)) 且 VIN 電壓高于VIN 欠壓鎖定閾值(VUVLO(R)) 時,芯片使能開始正常工作。如果EN 引腳電壓被拉低到閾值電壓(VEN(F)) 以下,則芯片停止開關(guān)動作并進(jìn)入關(guān)機(jī)模式,即使VIN 電壓高于VIN 欠壓鎖定閾值(VUVLO(R)),芯片也被禁用,開關(guān)動作停止。在關(guān)機(jī)模式下,芯片的輸入電流降低到比較低的關(guān)斷電流(典型值為2.5μA)。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路。

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當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時,芯片進(jìn)入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通,同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù),當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除,系統(tǒng)開始正常工作;否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定,推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài),即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下:L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中:Vo:輸出電壓;Vf:續(xù)流二極管壓降;Toff_min:IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時間,約32us;ΔI:電感紋波電流,CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講,參考5V-100mA輸出規(guī)格,設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍,即120mA;

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us,同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中,系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低,所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當(dāng)過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾,芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路(典型值400ns),在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。為了避免開通瞬間的 干擾, 芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路( 典型值 300ns)。

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芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式,從而允許低側(cè)MOSFET 通過反向電流。在FPWM 模式下,如果輸出端由于意外被連接到外部電源上,芯片可能工作在反向升壓模式,產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測電路,當(dāng)檢測到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時,立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET,然后打開高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上,從而保護(hù)低側(cè)MOSFET。另外,NOC 限流在**小關(guān)斷時間內(nèi)不生效。芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求, 同時也可以提高系統(tǒng)效率。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

內(nèi)部集成的平均電流反饋環(huán)路可以確保高輸出電流 精度。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

PCB設(shè)計對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要,請遵循以下指南設(shè)計以獲得比較好的電路工作性能:1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降,提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點的電壓波形為高頻方波,適當(dāng)減小SW節(jié)點的鋪銅可以改善EMI性能,另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能,可根據(jù)實際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源,比如SW節(jié)點和BST節(jié)點。5.輸出電壓VOUT的采樣點靠近輸出電容末端放置,且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計中,推薦為GND引腳設(shè)置一個完整的GND層,并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

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