BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過流檢測(cè)模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。芯片采用準(zhǔn)諧 振開關(guān)技術(shù)，可獲得優(yōu)越的EMI 性能和較高的系統(tǒng) 效率。中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理

輸出電壓可調(diào)，高壓交流220V非隔離BUCK電路芯片，非常適用于智能照明，智能家電控制產(chǎn)品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合，外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35064內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 下以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。

集成了輸出過壓保護(hù)(OVP) 功能，以減小輸出電壓過沖，并保護(hù)下游用電設(shè)備免受在輸出故障條件或者突減負(fù)載時(shí)可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過監(jiān)測(cè)反饋電壓(VFB) 檢測(cè)過壓條件。當(dāng)VFB 超過 OVP 閾值 (VOVP) 時(shí)，OVP 比較器輸出置高，內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關(guān)閉，以避免VOUT 進(jìn)一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片開始再次工作。輸出過壓保護(hù)功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動(dòng)。

當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩周期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；芯片工作在準(zhǔn)諧振工作模式下，可有 效降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。

芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式，從而允許低側(cè)MOSFET 通過反向電流。在FPWM 模式下，如果輸出端由于意外被連接到外部電源上，芯片可能工作在反向升壓模式，產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測(cè)電路，當(dāng)檢測(cè)到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時(shí)，立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET，然后打開高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上，從而保護(hù)低側(cè)MOSFET。另外，NOC 限流在**小關(guān)斷時(shí)間內(nèi)不生效。這款芯片適用于WIFI模塊供電。中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理

高壓?jiǎn)?dòng)電路和**待機(jī)功耗 (<50mW)。中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理

交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片，KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合，外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP1505X內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理

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